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표면에 주름 구조가 형성된 것인 도전성 박막;상기 도전성 박막 상에 형성된 그래핀 단일층; 및상기 그래핀 단일층 상에 형성된 복수의 금속 나노 입자들;을 포함하는 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 주름 구조는 일정한 간격으로 형성된 적어도 하나 이상의 요철부를 포함하고, 상기 요철부는 돌출부와 오목부를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 2에 있어서,상기 인접한 두 개의 요철부에 포함된 돌출부간의 평균 거리가 270 내지 290㎚인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 2에 있어서,상기 요철부의 돌출부와 오목부 간의 평균 높이는 9 내지 13㎚인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 도전성 박막은 구리, 니켈, 알루미늄, 마그네슘, 티타늄 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노 입자의 금속은 금, 은, 주석, 아연으로부터 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 도전성 박막은 인접하는 결정립이 동일한 배향 방향을 갖는 다결정의 조직을 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 도전성 박막은 [100]-배향의 결정립으로 이루어진 결정성 조직을 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 금속 나노 입자들은 상기 그래핀 단일층 상에 균일하게 분포되어 있는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노 입자의 직경은 20 내지 50㎚인 리튬금속전지용 집전체
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도전성 박막 상에 제1 금속 함유 박막을 형성하는 단계;상기 제1 금속 함유 박막이 형성된 도전성 박막을 가열하는 단계;상기 도전성 박막 상의 제1 금속 함유 박막 측에 그래핀 전구체 기체 및 환원성 기체를 접촉시켜서 상기 도전성 박막 상에서 상기 제1 금속 함유 박막을 제거하면서 그래핀 단일층을 형성하는 단계; 상기 도전성 박막 상의 그래핀 단일층 상에 복수의 제2 금속 나노 입자를 형성하는 단계;를 포함하는 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 제1 금속 함유 박막의 형성 단계는 150 내지 250㎚ 두께로 제1 금속 함유 박막이 형성되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 가열 단계는 850 내지 1100℃의 온도에서 0
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청구항 11에 있어서,상기 그래핀 단일층의 형성 단계는 그래핀 전구체 기체를 40 내지 60 sccm, 환원성 기체를 6 내지 10 sccm의 유량으로 도입하여 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 그래핀 전구체 기체는 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 아세틸렌, 부타디엔, 벤젠, 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 환원성 기체는 수소 기체, 메탄 기체, 아르곤 기체 또는 이들의 혼합 기체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 제1 금속 함유 박막 및 제2 금속 나노 입자들의 형성 단계는 전자 빔을 조사하여 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 제2 금속 나노 입자의 형성 단계는 1
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청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 리튬금속전지용 집전체; 및리튬금속 함유 전극;을 포함하는 리튬금속전지
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