맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

투명전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2023006016
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소정의 두께를 가지는 기판, 및 상기 기판의 두께 내부로 적어도 일부가 함침되되, 서로 넥킹된(necking) 은 나노와이어로 구성된 은 나노와이어 네트워크를 포함하는 투명전극이 제공된다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 13/30 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 3/42 (2006.01.01) H01B 3/30 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 1/02(2013.01) H01B 13/30(2013.01) H01B 13/003(2013.01) H01B 3/423(2013.01) H01B 3/306(2013.01) B82Y 20/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020230103589 (2023.08.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0118797 (2023.08.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0110568 (2020.08.31)
관련 출원번호 1020200110568
심사청구여부/일자 Y (2023.08.08)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김학성 서울특별시 성동구
2 박종휘 서울특별시 성동구
3 주영민 서울특별시 성동구
4 문창진 서울특별시 성동구
5 장용래 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [참고자료]정보제출서
[Reference] Written Submission of Information		 2023.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2023-0872815-44
2 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2023.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2023-0872555-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 두께를 가지는 기판; 및상기 기판의 두께 내부로 적어도 일부가 함침되되, 서로 넥킹된(necking) 은 나노와이어로 구성된 은 나노와이어 네트워크;를 포함하되,상기 넥킹 영역에서 적어도 둘 이상의 상기 은 나노와이어는, 원자 단위로 재배열되어 결합되며,상기 적어도 둘 이상의 은 나노와이어는, 1 J/Cm2 이상 및 6 J/Cm2 이하의 에너지, 0
2 2
제1 항에 있어서,상기 은 나노와이어는, 1 nm 이상 및 100 nm 이하의 직경과, 1 um 이상 및 50 um 이하의 길이를 가지며,상기 기판은, 폴리이미드(PI), 폴리우레탄(PU), BT 에폭시/유리 섬유, 폴리에틸렌(PET) 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 포토페이퍼(photo paper) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인, 투명전극
3 3
적어도 둘 이상의 은 나노와이어를 포함하는 소스용액을 준비하는 단계; 및기판 상에 상기 소스용액을 제공하고, 상기 기판의 적어도 일면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하면서 동시에 가압하는 단계;를 포함하되,상기 IPL 조사에 의하여, 상기 적어도 둘 이상의 은 나노와이어가 용융되어 상기 적어도 둘 이상의 은 나노와이어 간에 적어도 일 영역이 접합된 은 나노와이어 네트워크가 형성되고,상기 가압에 의하여, 상기 은 나노와이어 네트워크가 상기 기판의 두께 방향으로 적어도 일부 함침되되,상기 은 나노와이어 네트워크의 형성과, 상기 은 나노와이어 네트워크의 함침은 동시에 이루어지며,상기 IPL을 조사하면서 동시에 가압하는 단계는, 1 J/Cm2 이상 및 6 J/Cm2 이하의 에너지, 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.