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스캐닝각(θ)에 따라 이동하는 MENS 회절격자; 및 시준 및 결상 광학계; 를 포함하고,상기 MENS 회절격자는, 광입구 슬릿, 회절격자부 및 스캐닝각(θ)에 따라 상기 회절격자부의 이동을 부여하는 구동부가 형성된 기판; 및 단일 픽셀 수광부; 를 포함하는 것인,단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 스캐닝각(θ)은, 평면 X축을 기준으로 20 ° 이상이며,상기 구동부는, 전열 방식으로 구동하고, 상기 구동부에 공급되는 구동전압으로 제어하는 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 구동부는, 선형 반복 패턴의 바이모르프 구조를 가지며,상기 바이모르프 구조는, 상기 기판 상에 형성된 알루미늄, 실리콘 및 질화규소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단일층 또는 복수층이 패터닝된 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 기판을 지지하는 복수개의 지지 프레임을 포함하고,상기 회절격자부 영역의 기판은, 상기 구동부를 향해 꺽여 기울어진 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 회절격자부는,상기 기판 상에 형성된 회절격자 구조를 포함하는 회절격자 영역; 및 상기 회절격자 영역 상에 형성된 반사 금속층; 을 포함하고,상기 반사 금속층은, 상기 회절격자 구조의 표면에 따라 형성된 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 회절격자 구조는, 선형 패턴, 톱니 패턴 또는 이 둘을 포함하고,상기 회절격자 구조의 격자주기는, 500 nm 내지 4,000 nm인 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 회절격자 구조는, 상기 기판 상에 형성된 산화물층이 패터닝된 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 슬릿의 폭은, 3 μm 내지 60 μm이고, 개구수는, 0
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제1항에 있어서,상기 단일 픽셀 수광부는, 광 집속되는 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿의 폭은, 3 μm 내지 50 μm 마이크로미터이고, 개구수는, 0
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제1항에 있어서,상기 기판의 두께는, 1 마이크로미터 이상이고,상기 기판은, 규소, 질화규소 또는 이 둘을 포함하는 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 시준 및 결상 광학계와 상기 MENS 회절격자의 간격은, 0
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SOI 웨이퍼를 준비하는 단계;SOI 웨이퍼 상의 적어도 일부분에 식각 물질층을 형성하는 단계;상기 식각 물질층을 식각하여 회절격자 영역 및 구동부 영역을 형성하는 단계;상기 회절격자 영역 상에 반사 금속막을 형성하는 단계;상기 구동부 영역을 패터닝하는 단계; 및 상기 SOI 웨이퍼를 식각하여 광입사 슬릿 및 광출구 슬릿을 형성하는 단계; 를 포함하는, 단일 픽셀 마이크로 분광기의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 구동부를 패터닝하는 단계는, 상기 패터닝된 식각 물질층 상에 규소 보다 열팽창 계수가 높은 물질층을 형성하는 단계; 및 리프트 오프 방식으로 상기 물질층을 패터닝하는 단계;를 포함하는 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 SOI 웨이퍼의 후면을 식각하는 단계; 를 더 포함하고,상기 SOI 웨이퍼의 후면을 식각하는 단계는, 후면의 일부분에 복수개의 지지 프레임을 갖도록 식각하고, 상기 SOI 웨이퍼의 후면을 식각하는 단계는, 상기 구동부 및 상기 회절격자 영역에 상응하는 상기 SOI 웨이퍼의 두께가 20 μm 이하를 갖도록 상기 SOI 웨이퍼 내에 매몰된 절연층을 제거하는 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 식각은, 심도 반응성 이온 식각인 것인, 단일 픽셀 마이크로 분광기의 제조방법
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