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화학식1의 구조를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 언더레이어 화합물은 친수성을 갖는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3 중 적어도 하나는 상기 화학식3 또는 상기 화학식4로 표시되는 작용기인 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 3에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3 중 다른 하나는 수소 또는 중수소이거나 상기 화학식2로 표시되는 작용기인 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 언더레이어 화합물은 상기 화학식1로 표시되는 물질들이 테트라메톡시메틸글리콜우릴(Tetramethoxymethyl glycoluril, TMMGU)을 경화제로 이용하여 가교된 구조를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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6
짝음이온을 갖는 알킬화 금속산화물 나노클러스터를 포함하되, 상기 알킬화 금속산화물 나노클러스터는 금속산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 금속 원소에 결합된 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 포함하고, 상기 짝음이온은 탄소수 2 내지 20의 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 4 내지 20의 알킬 에테르 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 2 내지 20의 불소화알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온 또는 탄소수 4 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온인 포토리소그래피용 레지스트 화합물
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7
청구항 6에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 화학식12의 구조를 포함하는 포토리소그래피용 레지스트 화합물
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8
청구항 7에 있어서, 상기 화학식12에서, 상기 M은 주석(Sn)이고, 상기 R은 -CH2CH2CH2CH3 인 포토리소그래피용 레지스트 화합물
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청구항 8에 있어서, 상기 Rx는 CF3(CF2)aCOO-, CF3(CF2)bCFCF3COO-, CF3(CF2)2-O-CFCF3COO- 또는 CF3(CF2)2-O-CFCF3CF2-O-CFCF3COO-의 구조를 가지고,a는 1 내지 18의 정수이고, b는 1 내지 16의 정수인 포토리소그래피용 레지스트 화합물
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10
청구항 7에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 소수성을 갖는 포토리소그래피용 레지스트 화합물
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하부막; 상기 하부막 상의 언더레이어; 및 상기 언더레이어 상의 포토레지스트막을 포함하되, 상기 언더레이어는 적어도 하나의 하이드록시기(hydroxyl group, -OH) 및 적어도 하나의 비닐 실릴기(vinyl silyl group)를 갖는 셀룰로오스 구조를 포함하고, 상기 포토레지스트막은 짝음이온을 갖는 알킬화 금속산화물 나노클러스터를 포함하고, 상기 알킬화 금속산화물 나노클러스터는 금속산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 금속 원소에 결합된 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 포함하는 다층 구조
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12
청구항 11에 있어서, 상기 언더레이어는 화학식1의 구조를 포함하는 언더레이어 화합물을 포함하고, [화학식1] 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이거나 화학식2, 화학식3 또는 화학식4로 표시되는 작용기이고, n은 2 내지 10,000의 정수이고, [화학식2] [화학식3] [화학식4] 상기 화학식2 및 상기 화학식4에서, m은 1 내지 20의 정수이고, 상기 화학식3 및 상기 화학식4에서, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, 상기 화학식2 내지 상기 화학식4에서, *는 상기 화학식1의 산소에 결합되는 부분이다
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13
청구항 12에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3 중 적어도 하나는 상기 화학식3 또는 상기 화학식4로 표시되는 작용기인 다층 구조
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청구항 13에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3 중 다른 하나는 수소 또는 중수소이거나 상기 화학식2로 표시되는 작용기인 다층 구조
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15
청구항 12에 있어서, 상기 언더레이어 화합물은 상기 화학식1로 표시되는 물질들이 테트라메톡시메틸글리콜우릴(Tetramethoxymethyl glycoluril, TMMGU)을 경화제로 이용하여 가교된 구조를 포함하는 다층 구조
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청구항 11에 있어서, 상기 포토레지스트막은 화학식12의 구조를 포함하는 레지스트 화합물을 포함하고, [화학식12] 화학식12에서, M은 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 크롬(Cr), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 저머늄(Ge), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 납(Pb), 스트론튬(Sr), 망간(Mn)으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, R은 탄소소 1 내지 20의 알킬기이고, Rx는 상기 짝음이온으로, 탄소수 2 내지 20의 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 4 내지 20의 알킬 에테르 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 2 내지 20의 불소화알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온 또는 탄소수 4 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온인 다층 구조
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17
청구항 16에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 탄소 라디칼을 더 포함하고, 상기 레지스트 화합물의 상기 탄소 라디칼은 상기 언더레이어의 상기 비닐 실릴기와 화학적으로 결합하는 다층 구조
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18
하부막 상에 언더레이어를 형성하는 것; 및 상기 언더레이어 상에 포토레지스트막을 형성하는 것을 포함하되, 상기 포토레지스트막을 형성하는 것은, 상기 언더레이어 상에 소수성 또는 방향족 용제를 이용하여 레지스트 화합물을 도포하는 것을 포함하고, 상기 언더레이어는 친수성을 갖는 언더레이어 화합물을 포함하고, 상기 언더레이어 화합물은 적어도 하나의 하이드록시기(hydroxyl group, -OH) 및 적어도 하나의 비닐 실릴기(vinyl silyl group)를 갖는 셀룰로오스 구조를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 18에 있어서,상기 언더레이어 화합물은 화학식1의 구조를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 19에 있어서, 상기 언더레이어 화합물은 상기 화학식1로 표시되는 물질들이 테트라메톡시메틸글리콜우릴(Tetramethoxymethyl glycoluril, TMMGU)을 경화제로 이용하여 가교된 구조를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 18에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 짝음이온을 갖는 알킬화 금속산화물 나노클러스터를 포함하고, 상기 알킬화 금속산화물 나노클러스터는 금속산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 금속 원소에 결합된 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 포함하고, 상기 짝음이온은 탄소수 2 내지 20의 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 4 내지 20의 알킬 에테르 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 2 내지 20의 불소화알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온 또는 탄소수 4 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온인 반도체 소자의 제조방법
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청구항 18에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 화학식12의 구조를 포함하고, [화학식12] 화학식12에서, M은 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 크롬(Cr), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 저머늄(Ge), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 납(Pb), 스트론튬(Sr), 망간(Mn)으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나이고, R은 탄소소 1 내지 20의 알킬기이고, Rx는 짝음이온으로, 탄소수 2 내지 20의 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 4 내지 20의 알킬 에테르 알킬 에테르 알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 2 내지 20의 불소화알킬 카르복시산 음이온, 탄소수 3 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온 또는 탄소수 4 내지 20의 불소화알킬 에테르 불소화알킬 에테르 불소화알킬 카르복시산 음이온인 반도체 소자의 제조방법
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청구항 18에 있어서, 상기 포토레지스트막 상에 노광 공정을 수행하는 것을 더 포함하되,상기 노광 공정은 전자선 또는 극자외선을 이용하여 수행되는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 23에 있어서, 상기 포토레지스트막은 상기 노광 공정에 의해 노광된 제1 부분, 및 상기 노광 공정에 의해 노광되지 않은 제2 부분을 포함하고, 상기 포토레지스트막의 상기 제1 부분에서, 상기 레지스트 화합물은 상기 전자선 또는 상기 극자외선의 조사에 의해 생성된 탄소 라디칼을 포함하고, 상기 포토레지스트막의 상기 제1 부분에서, 상기 레지스트 화합물의 상기 탄소 라디칼은 상기 언더레이어 화합물의 상기 비닐 실릴기와 화학적으로 결합하는 반도체 소자의 제조방법
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청구항 24에 있어서, 현상 공정을 수행하여 상기 포토레지스트막의 상기 제2 부분을 선택적으로 제거하는 것을 더 포함하되,상기 현상 공정은, 소수성 또는 방향족 현상액을 이용하여 수행되는 반도체 소자의 제조방법
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