맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법 및 그패키지

  • 기술번호 : KST2014011582
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법 및 그 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 MEMS 소자의 패키징 방법은 MEMS 소자가 형성된 기판상에 희생층 및 지지층을 순차적으로 형성하는 단계, 지지층 상에 블록 공중합체층을 형성하여 자기 조립하는 단계, 자기 조립된 블록 공중합체층을 선택 제거하여 복수의 나노기공을 형성하는 단계, 복수의 나노기공이 형성된 블록 공중합체층을 마스크로 하여 지지층에 나노기공과 대응되는 에칭 홀을 형성하는 단계, 지지층에 형성된 에칭 홀을 통해 희생층을 제거하는 단계 및 희생층이 제거된 지지층상에 차폐층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 MEMS 소자의 패키징 방법은 블록 공중합체층의 자기 조립 나노구조를 이용하여 희생층 제거를 위한 에칭 홀을 MEMS 소자의 윗부분에 형성시켜 희생층을 제거함으로써, 희생층의 제거시간을 단축시킬 뿐만 아니라, 제거과정에서 발생되는 MEMS 소자의 물리적 또는 화학적 손상을 최소화 시킬 수 있다. 마이크로 전자기계 시스템 소자, 패키징, 블록 공중합체, 자기조립
Int. CL B81B 7/02 (2013.01)
CPC
출원번호/일자 1020080027837 (2008.03.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0995541-0000 (2010.11.15)
공개번호/일자 10-2009-0102406 (2009.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20101122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.26)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전 유성구
2 이병기 대한민국 서울 서대문구
3 장원위 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0218867-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0074419-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0064577-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0111260-62
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0111244-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0339803-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0570771-79
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0570779-33
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0469826-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 마이크로 전자기계 시스템 소자가 형성된 기판상에 희생층 및 지지층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 지지층상에 블록 공중합체(Block copolymer)층을 형성하여 자기 조립하는 단계; (c) 상기 자기 조립된 블록 공중합체층을 선택 제거하여 복수의 나노기공을 형성하는 단계; (d) 상기 복수의 나노기공이 형성된 블록 공중합체층을 마스크로 하여 상기 지지층에 상기 나노기공과 대응되는 에칭 홀을 형성하는 단계; (e) 상기 복수의 나노기공이 형성된 블록 공중합체층을 제거하는 단계; (f) 상기 지지층에 형성된 에칭 홀을 통해 상기 희생층을 제거하는 단계; 및 (g) 상기 희생층이 제거된 지지층상에 차폐층을 형성하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후, 상기 나노기공이 형성된 블록 공중합체층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 희생층은 금속 또는 폴리머인, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 지지층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 카바이드(Silicon Carbide) 중 하나 이상을 포함하여 형성되는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 지지층 상에 형성된 블록 공중합체층을 스핀 코팅하는 단계; 및 상기 스핀 코팅된 블록 공중합체층을 열처리하여 원기둥 구조를 갖는 복수의 조립 단위체가 형성되도록 상기 블록 공중합체층을 자기 조립하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 블록 공중합체층의 일부 영역이 노출되도록 포토레지스트 패터닝하는 단계; 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 노출된 블록 공중합체층상으로 광을 조사하는 단계; 및 상기 광이 조사된 블록 공중합체층 가운데 상기 원기둥 구조를 갖는 복수의 조립 단위체를 선택 제거하여 상기 복수의 나노기공을 형성하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (f) 단계는, 상기 에칭 홀이 형성된 지지층 및 상기 희생층이 상기 마이크로 전자기계 시스템 소자와 이격된 거리를 두고 둘러싸도록 상기 희생층을 제거하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 차페층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 카바이드(Silicon Carbide) 중 하나 이상을 포함하여 형성되는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 차폐층은 벤조사이클로부텐인(Benzocyclobutene, BCB) 및 폴리이미드(Polyimide) 중 하나 이상을 포함하여 형성되는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090243063 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009243063 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.