맞춤기술찾기

이전대상기술

금속 나노입자가 코팅된 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 접촉식 마이크로 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020014034
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 나노입자가 코팅된 탄소나노튜브 네트워크를 포함하여, 접촉 저항이 낮으면서도 높은 접촉 수명을 갖는 접촉식 마이크로 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 수직방향으로 가해지는 힘에 의해 압축이 가능한 탄소나노튜브 네트워크를 포함하고, 이러한 압축으로 인한 접촉 면적의 변화를 통해 마이크로 소자의 전기 저항이 변화될 수 있으며, 상기 탄소나노튜브 네트워크에 전도성이 높은 금속 나노입자가 코팅되어 낮은 접촉 저항과 높은 접촉 수명을 갖는 마이크로 소자(예를 들어 MEMS 스위치, MEMS relay, 접촉식 스위치 기반의 논리소자, 접촉식 센서 등)를 제공할 수 있다. 대기 및 고전류 접촉 환경(1 μA)에서 백만 번 이상의 높은 수명을 가지면서도 약한 접촉에서도 낮은 접촉저항을 갖는 장점이 있다.
Int. CL B81B 7/02 (2017.01.01) B81B 1/00 (2017.01.01) C01B 32/158 (2017.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) B81C 1/00 (2006.01.01)
CPC B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190039688 (2019.04.04)
출원인 연세대학교 산학협력단, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0117505 (2020.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.04)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종백 경기도 고양시 일산동구
2 조은환 경기도 광명시 오리로 ***, *
3 이재용 경기도 광명시 도덕로 **,
4 윤준보 대전광역시 유성구
5 서민호 대전광역시 유성구
6 이용복 대전광역시 유성구
7 김수본 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0348185-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2019-0040212-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0220214-98
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0558542-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0663466-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0663465-17
11 등록결정서
Decision to grant
2020.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0835032-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치하는 드레인 전극; 및상기 드레인 전극과 물리적으로 이격되어 위치하는 소스 전극;을 포함하고, 상기 소스 전극의 표면에는 금속 나노입자가 코팅된 탄소나노튜브 층이 적층되며,소스 전극에 가해지는 힘에 의해 상기 금속 나노입자가 코팅된 탄소나노튜브 층이 압축되어 전기 저항이 변화되는 것을 특징으로 하는 접촉식 마이크로 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 소스 전극은, 레늄(Re), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 금(Au) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타튬(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 나노입자 중 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘, 산화규소(SiO2), 천(fabric), 유리(glass), 사파이어(Al2O3), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 및 폴리디메틸프록실산(polydimethylsiloxane, PDMS)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 마이크로 소자는, MEMS 스위치, MEMS relay, 접촉식 스위치 기반의 논리소자(micromechanical inverter) 혹은 접촉식 센서인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
6 6
접촉식 마이크로 소자를 제조하는 방법에 있어서,기판을 준비한 후, 물리적으로 이격되도록 드레인 전극, 소스 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극의 표면에 탄소나노튜브 층을 형성하는 단계; 및상기 탄소나노튜브 층에 금속 나노입자를 코팅하는 단계;를 포함하는 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 전극은, 레늄(Re), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 금(Au) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타튬(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 나노입자 중 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 층을 형성하는 단계는, 탄소나노튜브 분산액을 사용하여 침적코팅(dip coating), 스핀코팅(spin coating) 또는 drop 코팅 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브 층을 형성하는 단계는, 산소(O2) 플라즈마를 사용한 전처리가 수행된 이후에 진행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 층을 형성하는 단계는, 금-탄소나노튜브 분산액을 사용하여 침적코팅(dip coating), 스핀코팅(spin coating) 또는 drop 코팅 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서,상기 기판은, 실리콘, 산화규소(SiO2), 천(fabric), 유리(glass), 사파이어(Al2O3), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 및 폴리디메틸프록실산(polydimethylsiloxane, PDMS)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
13 13
제6항에 있어서,상기 금속 나노입자를 코팅하는 단계는, 금속 나노입자 용액을 이용해 침적코팅(dip coating), 스핀코팅(spin coating) 또는 drop 코팅 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
14 14
제6항에 있어서,상기 금속 나노입자를 코팅하는 단계는, 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
15 15
제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 접촉식 마이크로 소자에 있어서,상기 마이크로 소자는, MEMS 스위치, MEMS relay, 접촉식 스위치 기반의 논리소자(micromechanical inverter) 혹은 접촉식 센서인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 (후속)접촉 기반 MEMS의 장수명 고신뢰성 확보를 위한 나노소재 응용 연구(1/3)
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 교육인력양성사업 반도체 테스팅 장비용 MEMS 스위치(릴레이)의 사업화를 위한 MEMS 릴레이의 신뢰성 향상(2018)