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비휘발성 다중 비트 메모리 셀로서,
저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 인가하는 데이터 신호선(100);
상기 데이터 전압 신호를 상기 메모리 셀에 쓰는 경우 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고, 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102);
일단이 상기 쓰기 스위치(102)의 드레인 전극으로서 기능하는 전극(103)에 연결되고, 타단은 상기 메모리 셀에 저장된 데이터 전압신호를 읽고자 하는 경우 읽기 전압을 인가하는 읽기 신호선(106)에 연결되는 커패시터(104); 및
상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하고, 기준 전압에 연결되는 소스 전극을 갖는 읽기 스위치(107)를 포함하고,
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극은 전류의 흐름에 따라 상기 읽기 스위치(107)가 도통 상태인지 여부를 판단하는 전류 확인 신호선(108)에 연결되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 드레인 전극은 물리적으로 이격되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 게이트 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극이 드레인 전극과 물리적으로 접촉되어 전기적으로 도통되는, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀
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비휘발성 다중 비트 메모리 셀로서,
저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 인가하는 데이터 신호선(100);
상기 데이터 전압 신호를 상기 메모리 셀에 쓰는 경우 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고, 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102);
일단이 상기 쓰기 스위치(102)의 드레인 전극으로서 기능하는 전극(103)에 연결되고, 타단은 기준 전압에 연결되는 커패시터(104); 및
상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하고, 상기 메모리 셀에 저장된 데이터 전압신호를 읽고자 하는 경우 읽기 전압을 인가하는 읽기 신호선(106)을 소스 전극으로 하는 읽기 스위치(107)를 포함하고,
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극은 전류의 흐름에 따라 상기 읽기 스위치(107)가 도통 상태인지 여부를 판단하는 전류 확인 신호선(108)에 연결되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 드레인 전극은 물리적으로 이격되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 게이트 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극이 드레인 전극과 물리적으로 접촉되어 전기적으로 도통되는, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀
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삭제
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 쓰기 스위치(102) 및 상기 읽기 스위치(107)는 MEMS(Microelectromechanical Systems)/NEMS(Nanoelectromechanical Systems) 스위치인, 다중 비트 메모리 셀
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제1항에 있어서,
상기 데이터 신호선(100)과 상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극이 하나의 배선으로 이루어지고, 상기 쓰기 신호선(101)과 상기 읽기 신호선(106)이 또 다른 하나의 배선으로 이루어지는, 다중 비트 메모리 셀
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제2항에 있어서,
상기 데이터 신호선(100)과 상기 읽기 신호선(106)이 하나의 배선으로 이루어지고, 상기 쓰기 신호선(101)과 상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극이 또 다른 하나의 배선으로 이루어지는, 다중 비트 메모리 셀
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7
제1항에 있어서,
쓰기 동작에서, 쓰고자 하는 데이터에 대응되며 상기 전극(103)에 인가되는 전압이 Vdata, 상기 읽기 신호선(106)에 인가되는 전압이 Vread
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제2항에 있어서,
쓰기 동작에서, 쓰고자 하는 데이터에 대응되며 상기 전극(103)에 인가되는 전압이 Vdata, 상기 읽기 신호선(106)에 인가되는 전압이 Vread
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쓰기 단계 및 읽기 단계를 포함하는 비휘발성 다중 비트 메모리 셀의 구동 방법으로서,
상기 쓰기 단계는,
저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 데이터 신호선(100)에 인가하는 단계; 및
쓰기 신호선(101)에 쓰기 전압을 인가하여, 상기 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102)를 구동시키고, 상기 데이터 전압 신호가 상기 쓰기 스위치(102)를 통해 저장 커패시터(104)의 일단에 연결된 전극(103)에 전송되도록 하는 단계
를 포함하고,
상기 읽기 단계는,
상기 커패시터(104)의 타단에 연결된 읽기 신호선(106)에 전압을 변경시키면서 인가하여, 상기 읽기 전극(103)을 게이트 입력으로 하는 읽기 스위치(107)를 구동시키는 단계; 및
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극에 전류가 흐를 때, 상기 읽기 신호선(106)에 인가된 전압 값을 기초로 하여 상기 쓰기 단계에서 상기 전극(103)에 전송되었던 데이터 전압 신호를 판별하는 단계를 포함하고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 드레인 전극은 물리적으로 이격되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 게이트 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극이 드레인 전극과 물리적으로 접촉되어 전기적으로 도통되고,
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극은 전류의 흐름에 따라 상기 읽기 스위치(107)가 도통 상태인지 여부를 판단하는 전류 확인 신호선(108)에 연결되고,
상기 읽기 스위치(107)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 읽기 스위치(107)의 소스 전극과 드레인 전극이 전기적으로 도통되어 상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극으로 전류가 흐르는, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀의 구동 방법
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쓰기 단계 및 읽기 단계를 포함하는 비휘발성 다중 비트 메모리 셀의 구동 방법으로서,
상기 쓰기 단계는,
저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 데이터 신호선(100)에 인가하는 단계; 및
쓰기 신호선(101)에 쓰기 전압을 인가하여, 상기 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102)를 구동시키고, 상기 데이터 전압 신호가 상기 쓰기 스위치(102)를 통해 저장 커패시터(104)의 일단에 연결된 전극(103)에 전송되도록 하는 단계를 포함하고,
상기 읽기 단계는,
상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하는 읽기 스위치(107)의 소스 전극에 연결된 읽기 신호선(106)에 전압을 변경시키면서 인가하여, 상기 읽기 스위치(107)를 구동시키는 단계; 및
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극에 전류가 흐를 때, 상기 읽기 신호선(106)에 인가된 전압 값을 기초로 하여 상기 쓰기 단계에서 상기 전극(103)에 전송되었던 데이터 전압 신호를 판별하는 단계
를 포함하고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 드레인 전극은 물리적으로 이격되고,
상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극과 게이트 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 쓰기 스위치(102)의 소스 전극이 드레인 전극과 물리적으로 접촉되어 전기적으로 도통되고,
상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극은 전류의 흐름에 따라 상기 읽기 스위치(107)가 도통 상태인지 여부를 판단하는 전류 확인 신호선(108)에 연결되고,
상기 읽기 스위치(107)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 문턱 전압보다 클 경우, 상기 읽기 스위치(107)의 소스 전극과 드레인 전극이 전기적으로 도통되어 상기 읽기 스위치(107)의 드레인 전극으로 전류가 흐르는, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀의 구동 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 쓰기 스위치(102) 및 상기 읽기 스위치(107)는 MEMS(Microelectromechanical Systems)/NEMS(Nanoelectromechanical Systems) 스위치인, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀의 구동 방법
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제9항에 있어서,
상기 쓰기 동작에서, 상기 전극(103)에 인가되는 전압이 Vdata, 상기 읽기 신호선(106)에 인가되는 전압이 Vread
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제10항에 있어서,
상기 쓰기 동작에서, 상기 전극(103)에 인가되는 전압이 Vdata, 상기 읽기 신호선(106)에 인가되는 전압이 Vread
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