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패턴형성방법

  • 기술번호 : KST2014046919
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴형성방법은, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 제1 단계, 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 제2 단계, 소수성 박막층과 기판을 대전시키는 제3 단계, 소수성 박막층과 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 소수성 박막층과 기판 사이에 충진되는 제4 단계, 소수성 박막층과 기판을 떼어내는 제5 단계를 포함하고, 제1 단계에서 형성되는 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성되는 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이고, 소수성 박막층이 소프트 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 하드기판으로 사용하고, 소수성 박막층이 하드 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 소프트 기판으로 사용한다. 몰드, 소수성 박막층, 전기이동의 힘, 패턴재료
Int. CL B05D 5/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090072292 (2009.08.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1081328-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자 10-2011-0014773 (2011.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전 유성구
2 김종수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0480657-14
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0480843-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043669-56
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0795701-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0162185-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0387346-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0387348-65
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0637030-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 제1 단계; 상기 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 제2 단계; 상기 몰드와 상기 기판을 대전시키는 제3 단계; 상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 상기 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이의 비어있는 영역에 충진되는 제4 단계; 및 상기 소수성 박막층과 상기 기판을 떼어내는 제5 단계; 를 포함하고, 상기 제1 단계에서 형성되는 상기 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성되는 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이고, 상기 소수성 박막층이 소프트 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 상기 기판을 하드기판으로 사용하고, 상기 소수성 박막층이 하드 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 상기 기판을 소프트 기판으로 사용하는, 패턴형성방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 단계는, 상기 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리한 후 상기 소수성 박막층과 상기 기판을 접촉시키는, 패턴형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제5 단계는, 상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이에 충진된 상기 패턴재료를 경화시킨 후 상기 소수성 박막층과 상기 기판을 떼어내는, 패턴형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.