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특정 친핵체를 검출하는 방법 및 특정 친핵체 검출용 표면탄성파 센서

  • 기술번호 : KST2014030599
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 특정 친핵체의 존부를 검출하는 방법에 관한 기술로서, 특정 친핵체 X와 반응하여 친핵성 치환반응(Nucleophilic Substitution)에 의해 분해되는 물질 Y 및 상기 분해 결과 물질 Y'와 선택적으로 결합하는 물질 Z를 이용한다. 이러한 방법에 따르면 물질 Y'와 물질 Z의 결합반응 여부를 통해 친핵체 X를 용이하게 분석할 수 있다.
Int. CL G01L 11/00 (2006.01) G01N 31/22 (2006.01) G01N 31/20 (2006.01)
CPC G01N 31/22(2013.01) G01N 31/22(2013.01) G01N 31/22(2013.01) G01N 31/22(2013.01) G01N 31/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100073112 (2010.07.29)
출원인 삼성전자주식회사, 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0107720 (2011.10.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100026887   |   2010.03.25
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수석 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 이열호 대한민국 서울특별시 구로구
3 한민수 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0490105-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0468898-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0236253-78
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0076825-28
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0588460-15
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1003611-81
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1003612-26
14 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1003721-05
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0136928-81
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0401907-25
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0401906-80
18 등록결정서
Decision to grant
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0596349-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
(a) 시안화 이온(CN-) 및 티올 에스테르를 반응시키는 단계; (b) 상기 (a) 단계에서 생성된 알칸티올 및 ATP에 의해 안정화된 금 나노입자를 반응시키는 단계; 및 (c) 상기 알칸티올 및 상기 금 나노입자의 결합반응에 의한 특성의 변화를 검출하는 단계;를 포함하는 시안화 이온의 검출 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 알칸티올 및 상기 금 나노입자의 결합에 의한 색 변화를 검출하는 시안화 이온의 검출 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 알칸티올 및 상기 금 나노입자의 결합에 의한 질량 변화를 검출하는 시안화 이온의 검출 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 SAW 센서의 주파수 변화를 통해 상기 질량 변화를 검출하는 시안화 이온의 검출 방법
5 5
제 1 항에 있어서, pH 6~8의 조건에서 수행하는 시안화 이온의 검출 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 시안화 이온은 가수분해에 의해 재환원되는 시안화 이온의 검출 방법
8 8
압전성 기판; 상기 기판 상에 형성된 한 쌍의 IDT(Inter-digital Transducer) 전극; 및 상기 IDT 전극을 덮도록 상기 압전성 기판 상에 형성되고, 티올 에스테르가 결합된 반응막;을 포함하되, 상기 티올 에스테르는 시안화 이온(CN-)과 반응하여 티올기를 생성하는 시안화 이온 검출용 SAW 센서
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 티올기는 ATP에 의해 안정화된 금 나노입자와 결합하는 시안화 이온 검출용 SAW 센서
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 기판은 머캅토프로필티메톡시실란 (Mercaptopropylthimetoxysilane, 3-MTPS)으로 표면처리한, 특정 친핵체 검출용 SAW 센서
11 11
제 9 항에 있어서,색 변화 또는 질량 변화를 통해 상기 티올기 및 상기 금 나노입자의 결합을 정량하는 시안화 이온 검출용 SAW 센서
12 12
제 11 항에 있어서, 청색의 흡광도 또는 적색의 흡광도 대비 청색의 흡광도로 상기 색변화를 검출하는, 시안화 이온(CN-) 검출용 센서
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110236992 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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