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ZnO 박막 제조용 전구체 및 이를 이용한화학기상증착법에 의한 ZnO 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160037
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 박막 제조용 전구체 및 이를 이용한 화학기상증착법에 의한 ZnO 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체는 하기 화학식 1의 구조를 가진다. (상기 식에서, R은 C1 내지 C4의 직쇄 또는 분쇄의 알킬기이다) 본 발명의 ZnO 박막 제조용 전구체 화합물을 이용하면 ZnO 박막 증착 공정을 500℃ 이하의 낮은 온도에서도 수행할 수 있으며, 원하는 곳에 ZnO 박막을 용이하게 형성할 수 있다. Zn0 박막
Int. CL C07F 3/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C07F 3/06(2013.01) C07F 3/06(2013.01) C07F 3/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080056769 (2008.06.17)
출원인 중앙대학교 산학협력단, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0982972-0000 (2010.09.13)
공개번호/일자 10-2009-0131015 (2009.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20100917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심일운 대한민국 서울시 중구
2 옥강민 대한민국 서울시 양천구
3 박종필 대한민국 경기도 성남시 중원구
4 김신규 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신동준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0431807-05
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0566535-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0049969-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0403765-55
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0735285-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0735283-56
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0117983-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0310149-69
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0310148-13
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0245635-80
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0395912-15
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0395914-06
14 등록결정서
Decision to grant
2010.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0387617-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
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4 4
1) 테트라메틸에틸렌디아민을 염화아연과 반응시키는 단계; 2) 상기 단계 1)의 반응 결과물을 알킬아세토아세테이트 소듐과 반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 구조의 ZnO 박막 제조용 전구체 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 알킬 아세토아세테이트 소듐이 에틸 아세토아세테이트 소듐 또는 3차 부틸 아세토아세테이트 소듐인 것을 특징으로 하는 상기 ZnO 박막 제조용 전구체 제조 방법
6 6
하기 화학식 1의 구조의 ZnO 박막 제조용 전구체를 이용하여 ZnO 의 증착 온도가 390 내지 450 ℃ 범위에서 화학기상증착법에 따라 ZnO 박막을 형성하는 ZnO 박막 제조 방법: (상기 식에서, R은 에틸 또는 3차-부틸이다)
7 7
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8 8
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9 9
제6항에 있어서, 상기 ZnO 박막 제조용 전구체가 아르곤 분위기 상태에서 버블러 온도 100 내지 120 ℃ 하에서 1 시간 동안, 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 ZnO 박막 제조 방법
10 10
제6항 또는 제9항 중 한 방법에 따라 제조된 ZnO 박막으로 제조되어 이루어지는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 서울특별시 서울대학교 산학협력단 서울시 산학연 사업-기술기반구축사업 나노 바이오 시스템 및 응용소재