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기판;측정하고자 하는 미세입자가 통과할 수 있는 단면적의 미세유체관이 하나 이상 형성된 미세유체관 레이어;각각의 상기 미세유체관을 가로지르도록 상기 기판 상에 형성되는 센싱전극; 및각각의 상기 센싱 전극을 사이에 두고 상기 미세유체가 유입되는 측과 상기 미세유체가 배출되는 측의 상기 미세유체관을 가로지르도록 상기 기판 상에 형성되고 기준전압이 인가되는 기준전극을 포함하고,상기 센싱전극 출력신호를 분석하여 통과한 미세입자의 크기, 개수 또는 농도를 산출하는 미세입자 계측장치
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제 1 항에 있어서,상기 미세유체관 레이어는 소프트리소그라피 또는 식각공정으로 형성되는 미세입자 계측장치
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제 1 항에 있어서,상기 미세유체관은 측정하고자하는 미세입자가 통과할 수 있는 단면적으로 형성되는 미세입자 계측장치
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제 1 항에 있어서,하나 이상의 상기 미세유체관은 병렬로 연결되는 미세입자 계측장치
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제 5 항에 있어서, 하나 이상의 상기 미세유체관의 일측은 상기 미세유체가 유입되는 유입공에 각각 독립적으로 연결되고 상기 미세유체관의 타측은 상기 미세유체가 배출되는 배출공에 각각 독립적으로 연결되는 미세입자 계측장치
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제 5 항에 있어서,하나 이상의 상기 미세유체관의 일측은 상기 미세유체가 유입되는 유입공에 연결되고 상기 미세유체관의 타측은 상기 미세유체가 배출되는 배출공에 연결되고,하나 이상의 상기 미세유체관은 하나의 상기 유입공을 공유하거나 하나 이상의 상기 미세유체관은 하나의 상기 배출공을 공유하는 미세입자 계측장치
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측정하고자 하는 미세유체가 통과할 수 있는 단면적의 미세유체관이 하나 이상 형성된 미세유체관 레이어를 형성하는 단계;기판을 준비하고 상기 기판 상에 전극층을 증착한 후 패터닝하여 센싱전극과 기준전극을 형성하는 단계; 및상기 센싱전극과 상기 기준전극이 형성된 상기 기판에 상기 미세유체관 레이어를 접합하는 단계를 포함하고,상기 센싱전극은 각각의 상기 미세유체관을 가로지르도록 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기준전극은 각각의 상기 센싱전극을 사이에 두고 상기 미세유체가 유입되는 측과 상기 미세유체가 배출되는 측의 상기 미세유체관을 가로지르도록 상기 기판 상에 형성되고 기준전압이 인가되고,상기 접합 단계에서 상기 센싱전극이 상기 미세유체관 가운데를 가로지르도록 배치하여 접합되는 미세입자 계측장치 제작방법
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제 8 항에 있어서,상기 미세유체관 레이어를 형성하는 단계는 상기 미세유체관 형상의 볼록부가 하나 이상 형성된 몰드에 경화성 수지를 증착 또는 도포한 후 경화시키는 소프트리소그라피 방법을 사용하는 미세입자 계측장치 제작방법
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제 8 항에 있어서,상기 미세유체관 레이어를 형성하는 단계는 레이어를 식각하여 하나 이상의 상기 미세유체관을 형성하는 식각 공정을 사용하는 미세입자 계측장치 제작방법
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제 8 항에 있어서,상기 전극층은 Pt, Ti, Cu, Ag/AgCl, 폴리머 전극 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 미세입자 계측장치 제작방법
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제 1 항의 상기 미세입자 계측장치의 상기 센싱전극 출력 신호의 피크 전위 변화량 크기의 분포를 산출하여, 미세 입자의 통과 여부, 통과 속도, 통과 시점, 미세입자의 크기 및 농도를 산출하는 미세입자 계측방법
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