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차지 스토리지 메모리의 구조를 이용한 측정 장치 및 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015136628
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 외부인자를 측정하는 장치가 개시된다. 실시예들은 외부인자에 의해 빛을 발생시키는 발광부, 발생된 빛에 의해 전하 밀도가 변하는 차지 스토리지 메모리, 및 전하 밀도의 변화에 따라 저장되는 정보가 변경되도록 바이아스 전압을 제어하는 제어부를 포함한다.
Int. CL G01D 21/00 (2006.01.01) G01N 27/02 (2006.01.01) G01N 21/62 (2006.01.01)
CPC G01D 21/00(2013.01) G01D 21/00(2013.01) G01D 21/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140012979 (2014.02.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1639856-0000 (2016.07.08)
공개번호/일자 10-2015-0092516 (2015.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20160714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.05)
심사청구항수 33

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용훈 대한민국 서울특별시 관악구
2 민상렬 대한민국 서울특별시 서초구
3 공서택 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김홍석 미국 미국 버지니아주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0112812-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089605-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0411815-80
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0806202-19
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0917863-48
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1016763-71
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1016762-25
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0120557-92
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.03.21 수리 (Accepted) 7-1-2016-0013629-42
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0370438-62
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0370413-21
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0398376-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부인자를 측정하는 측정 장치에 있어서,상기 외부인자에 의해 빛을 발생시키는 발광부;서브스트레이트-상기 서브스트레이트의 전하 밀도는 상기 빛에 의하여 변함-를 포함하는 차지 스토리지 메모리 셀; 및상기 차지 스토리지 메모리 셀의 바이아스 전압을 제어함으로써, 상기 전하 밀도의 변화로 인하여 상기 서브스트레이트로부터 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지로 전하가 터널링되도록 터널링 확률을 조절하는 제어부를 포함하고,상기 전하 밀도의 변화 및 상기 확률에 따라 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보가 변경되며, 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보는 상기 외부인자의 세기를 간접적으로 측정한 결과에 해당하는 측정 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 빛이 상기 서브스트레이트에 의해 흡수되면 상기 서브스트레이트 내에서 전자-정공 쌍이 생성되고, 상기 전자-정공 쌍에 의한 전하는 상기 바이아스 전압에 의하여 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지 방향으로 이동하는, 측정 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 외부인자로부터 제공된 자극에 의해 상기 빛을 방출하는 적어도 하나의 발광체를 포함하는, 측정 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 외부인자는 전자파, 고 에너지 입자, 압력, 소리, 화학반응, 및 열 중 적어도 하나를 포함하는, 측정 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 전하 밀도는 상기 빛에 의해 증가하는, 측정 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 전하 밀도가 증가할수록 상기 서브스트레이트로부터 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지로 전하가 터널링되는 확률이 증가하는, 측정 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 빛은 300nm와 1100nm 사이 파장의 빛을 포함하는, 측정 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 서브스트레이트는 실리콘(Si)을 포함하는, 측정 장치
9 9
제3항에 있어서,상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보가 변경되는 민감도는 상기 바이아스 전압, 상기 서브스트레이트의 종류, 상기 발광체의 종류, 및 상기 발광부가 상기 서브스트레이트의 내부에 배치되는 경우 상기 서브스트레이트 내 상기 발광체가 배치된 구조 중 적어도 하나에 따라 결정되는, 측정 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보는 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함되는 차지 스토리지에 저장되는 전하량을 포함하는, 측정 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 차지 스토리지에 전하가 유입되거나 상기 차지 스토리지로부터 전하가 유출되는 민감도는 상기 바이아스 전압에 따라 결정되는, 측정 장치
12 12
제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 서브스트레이트를 향하여 상기 빛을 방출하도록 상기 서브스트레이트와 결합하는, 측정 장치
13 13
제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 서브스트레이트의 일 측면에 배치되는, 측정 장치
14 14
제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 서브스트레이트에 미리 정해진 패턴으로 가공된 복수의 구멍들에 배치되는, 측정 장치
15 15
제1항에 있어서,상기 발광부는외부인자의 스펙트럼에 대응하는 복수의 발광체들; 및복수의 외부인자들에 대응하는 복수의 발광체들중 적어도 어느 하나를 포함하는, 측정 장치
16 16
제1항에 있어서,복수의 차지 스토리지 메모리 셀들을 포함하고,상기 제어부는 미리 정해진 복수의 측정 모드들 중 어느 하나로 동작하며, 상기 미리 정해진 복수의 측정 모드들은 복수의 차지 스토리지 메모리 셀들에 동일한 바이아스 전압을 제공하는 제1 측정 모드 및 상기 복수의 차지 스토리지 메모리 셀들 중 적어도 일부에 상이한 바이아스 전압을 제공하는 제2 측정 모드 중 적어도 하나를 포함하는 측정 장치
17 17
외부인자를 측정하는 측정 방법에 있어서,차지 스토리지 메모리 셀에 저장된 정보를 초기화하는 단계;상기 차지 스토리지 메모리 셀의 바이아스 전압을 제어함으로써, 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함되는 서브스트레이트의 전하 밀도의 변화로 인하여 상기 서브스트레이트로부터 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지로 전하가 터널링되도록 터널링 확률을 조절하는 단계; 및상기 외부인자를 측정하기 위하여 상기 변경된 정보를 리드(read)하는 단계를 포함하고,상기 외부인자에 의해 상기 서브스트레이트에 삽입된 발광체에서 빛이 발생되고, 상기 발생된 빛에 의해 상기 서브스트레이트의 전하 밀도가 변하며, 상기 전하 밀도의 변화 및 상기 확률에 따라 상기 초기화된 정보가 변경되고, 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보는 상기 외부인자의 세기를 간접적으로 측정한 결과에 해당하는, 측정 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 외부인자는 전자파, 고 에너지 입자, 압력, 소리, 화학반응, 및 열 중 적어도 하나를 포함하는, 측정 방법
19 19
제17항에 있어서,상기 전하 밀도는 상기 빛에 의해 증가하는, 측정 방법
20 20
제17항에 있어서,상기 전하 밀도가 증가할수록 상기 서브스트레이트로부터 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지로 전하가 터널링되는 확률이 증가하는, 측정 방법
21 21
제17항에 있어서,상기 빛은 300nm와 1100nm 사이 파장의 빛을 포함하는, 측정 방법
22 22
제17항에 있어서,상기 서브스트레이트는 실리콘(Si)을 포함하는, 측정 방법
23 23
제17항에 있어서,상기 초기화된 정보가 변경되는 민감도는 상기 바이아스 전압, 상기 서브스트레이트의 종류, 상기 발광체의 종류, 및 상기 서브스트레이트 내 상기 발광체가 삽입된 구조 중 적어도 하나에 따라 결정되는, 측정 방법
24 24
제17항에 있어서,상기 변경된 정보는 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함되는 차지 스토리지에 저장되는 전하량을 포함하고, 상기 차지 스토리지에 전하가 유입되거나 상기 차지 스토리지로부터 전하가 유출되는 민감도는 상기 바이아스 전압에 따라 결정되는, 측정 방법
25 25
제17항에 있어서,상기 발광체는 상기 서브스트레이트를 향하여 상기 빛을 방출하도록, 상기 서브스트레이트에 미리 정해진 패턴으로 가공된 복수의 구멍들에 배치되는, 측정 방법
26 26
제17항 내지 제25항 중에서 어느 하나의 항의 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
27 27
외부인자에 반응하여 전자-정공 쌍을 생성하는 반응부;상기 반응부를 서브스트레이트로 이용하는 차지 스토리지 메모리 셀; 및상기 차지 스토리지 메모리 셀의 바이아스 전압을 제어함으로써, 상기 전자-정공 쌍에 의한 전하의 밀도 변화로 인하여 상기 서브스트레이트로부터 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 포함된 차지 스토리지로 상기 전자-정공 쌍에 의한 전하가 터널링되도록 터널링 확률을 조절하는 제어부를 포함하고,상기 전자-정공 쌍에 의한 전하의 밀도 변화 및 상기 확률에 따라 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보가 변경되며, 상기 차지 스토리지 메모리 셀에 저장되는 정보는 상기 외부인자의 세기를 간접적으로 측정한 결과에 해당하는 센서
28 28
제27항에 있어서,상기 외부인자는 전자파, 고 에너지 입자, 압력, 소리, 화학반응, 및 열 중 적어도 하나를 포함하는, 센서
29 29
전극 레이어;외부인자에 반응하여 전하를 생성하는 반응 레이어; 및상기 전하를 저장하는 차지 스토리지 메모리 레이어를 포함하고,상기 전극 레이어와 상기 차지 스토리지 메모리 레이어 사이에 인가되는 전압이 제어됨으로써 상기 전하의 밀도 변화에 의하여 상기 전하가 상기 차지 스토리지 메모리 레이어 방향으로 터널링되도록 터널링 확률이 조절되며, 상기 전하의 밀도 변화 및 상기 확률에 따라 상기 차지 스토리지 메모리 레이어에 저장되는 정보가 변경되고, 상기 차지 스토리지 메모리 레이어에 저장되는 정보는 상기 외부인자의 세기를 간접적으로 측정한 결과에 해당하는 센서
30 30
제29항에 있어서,상기 전하가 상기 차지 스토리지 메모리 레이어에 저장되도록 상기 전극 레이어와 상기 차지 스토리지 메모리 레이어 사이에 인가되는 전압을 제어하는 제어부를 더 포함하는 센서
31 31
제29항에 있어서,상기 반응 레이어는 광전 물질 코팅(photoconductive material coating)을 포함하는 센서
32 32
제29항에 있어서,상기 차지 스토리지 메모리 레이어는 픽셀레이트된(pixelated) 차지 스토리지 메모리 셀들을 포함하는 센서
33 33
제29항에 있어서,상기 전극 레이어는 메쉬(mesh) 형태의 전극을 포함하는 센서
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1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 도약연구지원사업 정확성 검증이 가능한 플래시메모리 소프트웨어