맞춤기술찾기

이전대상기술

정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077827
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 매체의 비트 크기가 작아지고 가까와짐에 따라 발생하는 이웃한 자성체간의 간섭을 줄여 주기 위한 물질로서 탄소 나노 튜브를 이용하여 데이터의 안정성을 높일 수 있는 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명에 따르면, 기판(Substrate) 위에 적층된 다공성 물질(Porous Material); 상기 다공성 물질의 다공 속에 담지되어 있고, 자기 분극 현상을 일으킴으로써, 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체(Ferromagnetic Material); 상기 강자성체에 자기장을 인가함으로써, 상기 강자성체에 자기 분극을 발생시켜 정보를 기록하는 정보 기록 수단; 및 상기 강자성체의 자기 분극에 의한 효과를 검출하여 분극 방향에 따른 정보 상태를 읽어내는 정보 읽기 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치가 제공된다.탄소 나노 튜브, 자기 기록 매체, 다공성 물질
Int. CL G11B 9/02 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020000073340 (2000.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0396845-0000 (2003.08.21)
공개번호/일자 10-2002-0044312 (2002.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.05)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시유성구
2 이원재 대한민국 대전광역시유성구
3 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
4 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2000-0258267-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0011031-88
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0393799-64
7 의견서
Written Opinion
2002.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0436561-12
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0436564-48
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.02.24 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2003-0063636-23
10 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2003.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0015077-34
11 반려통지서
Notice for Return
2003.04.09 수리 (Accepted) 1-5-2003-0025170-62
12 등록결정서
Decision to grant
2003.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0185418-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

정보 저장 장치에 있어서,

기판(Substrate) 위에 적층된 다공성 물질(Porous Material);

상기 다공성 물질의 다공 속에 담지되어 있고, 자기 분극 현상을 일으킴으로써, 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체(Ferromagnetic Material);

상기 강자성체에 떨어져서 위치하여, 상기 강자성체에 자기장을 인가함으로써 상기 강자성체에 자기 분극을 발생시켜 정보를 기록하는 정보 기록 수단; 및

상기 강자성체의 자기 분극에 의한 효과를 검출함으로써, 분극 방향에 따른 정보 상태를 읽어내는 정보 읽기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치

2 2

삭제

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 강자성체는 나노 미터 크기의 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotubes) 속에 담지되어 상기 다공성 물질의 다공 속에 형성된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 다공성 물질은,

기록 밀도를 높이기 위하여 육각 구조(Hexagonal Structure)로 형성된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 강자성체를 담지하기 위한 다공성 물질로서, 다공성 알루미나(Porous Alumina) 또는 다공성 실리콘(Porous Silicon) 중 어느 하나를 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 강자성체가 산화 분위기에서 작동하는 경우 산화를 막기 위하여 상기 강자성체 표면 위에 보호층을 적층시킨 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치

7 7

기판(Substrate) 위에 다공성 물질(Porous Material)을 만들기 위한 박막을 증착하는 제 1 단계;

상기 박막을 전기 화학적 방법으로 다공을 형성시키는 제 2 단계;

상기 제 2 단계에서 형성시킨 다공 속에 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotube)를 성장시키는 제 3 단계;

상기 탄소 나노 튜브의 끝을 열리도록 에칭하는 제 4 단계;

상기 탄소 나노 튜브 속에 자기 분극 현상을 일으켜 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체를 담지시키는 제 5 단계; 및

상기 강자성체가 담지된 탄소 나노 튜브의 열린 끝을 닫는 제 6 단계;

를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 다공성 물질을 만들기 위한 박막은 다공성 알루미나(Porous Alumina, Al2O3) 또는 다공성 실리콘(Porous Silicon) 중 어느 하나를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

9 9

제 7 항에 있어서,

상기 제 3 단계는,

상기 탄소 나노 튜브는 탄소를 포함하는 분자를 화학 기상 증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition) 또는 열분해법 중 어느 하나를 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

10 10

제 7 항에 있어서,

상기 제 5 단계는,

상기 탄소 나노 튜브 속에 상기 강자성체를 담지하기 위하여 원자층 증착법을 사용하여 담지하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

11 11

제 7 항에 있어서,

상기 제 5 단계는,

상기 탄소 나노 튜브 속에 상기 강자성체를 담지하기 위하여 상기 강자성체를 용융 용액 형태로 만들어 모세관 현상을 이용하여 담지하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

12 12

제 7 항에 있어서,

상기 탄소 나노 튜브를 성장시킬 때, 상기 다공의 위쪽에 흑연이 형성되면, 상기 흑연을 에칭함으로써, 상기 탄소 나노 튜브의 끝을 열리게끔 하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

13 13

제 12 항에 있어서,

상기 흑연을 에칭하여 상기 탄소 나노 튜브 끝이 열린 경우, 상기 자성체를 담지한 후, 열처리 방법 또는 레이저 빔 조사 방법 중 어느 하나 이상을 사용하여 상기 탄소 나노 튜브 끝을 닫아주는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

14 14

제 7 항에 있어서,

상기 강자성체의 산화를 막기 위하여 상기 강자성체의 표면 위에 보호층을 형성시키는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.