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전원전압단과 제1 연결단 사이 및 전원전압단과 제2 연결단 사이에 인덕턴스 및 커패시턴스를 제공하기 위한 LC 탱크 공진부;상기 제1 연결단 및 제2 연결단에 하나씩 연결되며 서로 콜렉터-베이스 교차결합을 형성하는 제1 및 제2 발진 트랜지스터;상기 각 발진 트랜지스터를 구동시키기 위한 전류원으로서 작용하는 제1 및 제2 에미터 구동부; 및상기 각 발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 입력받아, 상기 발진 트랜지스터의 베이스로 인가되어 증폭되는 잡음 성분의 영향을 상쇄시키기 위한 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 구비하는 전류부궤환부를 포함하는 브시오
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제1항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되어, 상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 구동시키기 위한 부궤환 전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 타단이 접지전압단에 연결되는 제1 부궤환 인덕터; 및일단이 상기 제2 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 타단이 접지전압단에 연결되는 제2 부궤환 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항에 있어서, 상기 LC 탱크 공진부는,전원전압단과 상기 제1 연결단 사이에 위치하는 제1 공진 인턱터;전원전압단과 상기 제2 연결단 사이에 위치하는 제2 공진 인턱터; 및상기 제1 연결단 및 제2 연결단 사이에 위치하는 공진 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제4항에 있어서, 상기 LC 탱크 공진부는,상기 제1 연결단 및 제2 연결단 사이에 위치하여 외부의 제어전압에 따른 LC 탱크 공진부의 커패시턴스 값을 가변하기 위한 바렉터쌍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항에 있어서, 상기 각 에미터 구동부는,일단이 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되는 에미터-디제너레이션 저항;상기 에미터-디제너레이션 저항의 타단과 접지전압단 사이에 위치하는 에미터 전류원; 및상기 발진 트랜지스터의 에미터와 접지전압단 사이에 위치하는 에미터-디제너레이션 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항에 있어서, 상기 각 에미터 구동부는,일단이 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되는 에미터-디제너레이션 저항;상기 에미터-디제너레이션 저항의 타단과 접지전압단 사이에 위치하는 에미터 전류원; 및상기 에미터 전류원과 병렬 연결되는 전류원 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각 부궤환 트랜지스터는,베이스가 상기 부궤환 트랜지스터와 대항하는 연결단에 연결된 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되고, 콜렉터가 상기 부궤환 트랜지스터와 대항하는 연결단에 연결된 발진 트랜지스터의 베이스에 연결되고, 에미터는 구동을 위한 전류원으로 연결된 것을 특징으로 하는 브시오
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제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 각 에미터는 서로 연결된 것을 특징으로 하는 브시오
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 연결단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제1 로드 저항; 및 일단이 상기 제2 연결단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제2 로드 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제10항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 베이스 사이에 위치하는 크로스 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제10항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제1 연결단에 연결되어 저주파 전압 이득을 높이기 위한 제1 저주파 이득촉진 저항; 및일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제2 연결단에 연결되어 저주파 전압 이득을 높이기 위한 제2 저주파 이득촉진 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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제10항에 있어서, 상기 전류부궤환부는,일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제1 저주파 이득촉진 저항; 및일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제2 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제2 저주파 이득촉진 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 브시오
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