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발진파의 주파수를 결정하는 인덕턴스 성분을 제공하기 위한 인덕턴스부;발진파의 주파수를 결정하며 제어 비트에 따라 이산적으로 정해지는 커패시턴스 성분을 제공하기 위한 이산 커패시터 뱅크; 및 발진파의 진폭을 일정하게 하기 위해, 상기 제어 비트에 따라 이산적으로 결정되는 부(-)성 저항 성분을 제공하기 위한 이산 부성 저항셀를 포함하는 LC 공조 전압제어발진기
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제1항에 있어서, 상기 인덕턴스부는 서로 다른 전류 경로를 가지는 제1 인덕턴스부 및 제2 인덕턴스부를 포함하고,상기 이산 커패시터 뱅크는 상기 제1 인덕턴스부에 연결되는 제1 이산 커패시터 뱅크 및 상기 제2 인덕턴스부에 연결되는 제2 이산 커패시터 뱅크를 포함하며,상기 이산 부성 저항셀은, 상기 제1 인덕턴스부와 제1 이산 커패시터 뱅크의 연결 노드 및 상기 제2 인덕턴스부와 제2 이산 커패시터 뱅크의 연결 노드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항에 있어서, 상기 제1 인덕턴스부 및 제2 인덕턴스부는,고정된 인덕턴스 성분을 제공하기 위한 고정 인덕터; 및인덕턴스 제어 비트에 따라 이산적으로 정해지는 인덕턴스 성분을 제공하기 위한 이산 인턱턴스 뱅크를 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항에 있어서,제어 전압에 따라 연속적으로 결정되는 커패시턴스 성분을 제공하기 위한 연속-가변 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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5
제2항에 있어서, 상기 인덕턴스부로 공급되는 전압을 일정하게 하기 위한 전압 레귤레이터를 더 포함하는 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이산 부성 저항셀은, 어느 하나의 드레인이 다른 하나의 소스에 각각 연결되는 교차 결합쌍 구조로, 상기 인덕턴스부와 이산 커패시터 뱅크의 연결 노드와 접지전압단 사이에 위치하는 모스 트랜지스터쌍으로 이루어지는 다수개의 단위 부성 저항셀을 포함하며, 상기 다수개의 단위 부성 저항셀은 상기 제어 비트에 따라 스위칭되는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이산 부성 저항셀은, 상기 서로 다른 전류 경로상에 형성되며 어느 하나의 드레인이 다른 하나의 소스에 각각 연결되는 에미터-축퇴 결합쌍;상기 서로 다른 전류 경로 사이에 위치하며, 상기 제어 비트에 따라 이산적으로 정해지는 커패시턴스를 가지는 이산 축퇴 커패시터 뱅크;상기 에미터-축퇴 결합쌍의 두 에미터 노드간에 연결되는 고정 축퇴 커패시터;상기 서로 다른 전류 경로에 각각 구비되며, 상기 제어 비트에 따라 이산적으로 정해지는 저항을 가지는 이산 축퇴 저항 뱅크; 및상기 에미터-축퇴 결합쌍과 접지전압단 사이에 연결되는 고정 축퇴 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이산 부성 저항셀은, 어느 하나의 드레인이 다른 하나의 소스에 각각 연결되는 에미터-축퇴 결합쌍 구조로, 상기 인덕턴스부와 이산 커패시터 뱅크의 연결 노드에 드레인이 연결되는 단위 모스 트랜지스터쌍;상기 단위 모스 트랜지스터쌍에 직렬 연결되는 단위 저항소자; 상기 단위 저항소자와 병렬 연결된 단위 커패시터로 이루어지는 다수개의 단위 부성 저항셀을 포함하며, 상기 다수개의 단위 부성 저항셀은 상기 제어 비트에 따라 스위칭되는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이산 부성 저항셀은, 어느 하나의 드레인이 다른 하나의 소스에 각각 연결되는 에미터-축퇴 결합쌍 구조로, 상기 인덕턴스부와 이산 커패시터 뱅크의 연결 노드에 드레인이 연결되는 단위 모스 트랜지스터쌍;상기 단위 모스 트랜지스터쌍에 직렬 연결되는 단위 저항소자;단위 모스 트랜지스터 및 단위 저항소자의 연결 노드들 사이에 위치하는 단위 커패시터로 이루어지는 다수개의 단위 부성 저항셀을 포함하며, 상기 다수개의 단위 부성 저항셀은 상기 제어 비트에 따라 스위칭되는 것을 특징으로 하는 LC 공조 전압제어발진기
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