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하나의 제1 금속층을 포함하는 복수의 금속층 및 상기 복수의 금속층 사이에 개재된 복수의 유전체층을 포함하는 적층구조물; 및상기 복수의 금속층 중 상기 제1 금속층을 제외한 나머지 금속층 중 적어도 하나의 금속층에 일단이 연결된 적어도 하나의 스위치를 갖는 스위치부를 포함하고,상기 제1 금속층의 일단과 상기 스위치의 타단은 캐패시터의 양 단자가 되며, 상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 선택하는 금속층에 따라서, 상기 양 단자 사이에 적어도 두 개의 캐패시턴스를 제공하며, 상기 적층구조물은, 상기 제1 금속층 및 상기 유전체층에 의해 각기 서로 다른 간격으로 상기 제1 금속층과 대향 배치된 제2 금속층과 제3 금속층을 포함하고,상기 스위치부는, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 형성된 제1 스위치 및 상기 제1 금속층 및 제3 금속층 사이에 형성된 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 유전체층은,산화물인 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 적층구조물은,CMOS 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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삭제
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제1항에 있어서,상기 제1 스위치는 상기 캐패시터의 일단자에 드레인이 연결되고 상기 제2 금속층에 소스가 연결되는 N 채널 MOS 트랜지스터이며, 상기 제2 스위치는 상기 캐패시터의 일단자에 소스가 연결되고 상기 제3 금속층에 드레인이 연결되는 P 채널 MOS 트랜지스터이며, 상기 N 채널 MOS 트랜지스터와 상기 P 채널 MOS 트랜지스터의 게이트로 공통의 제어 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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하나의 제1 금속층을 포함하는 복수의 금속층 및 상기 복수의 금속층 사이에 개재된 복수의 유전체층을 포함하는 적층구조물; 및상기 복수의 금속층 중 상기 제1 금속층을 제외한 나머지 금속층 중 적어도 하나의 금속층에 일단이 연결된 적어도 하나의 스위치를 갖는 스위치부를 포함하고,상기 제1 금속층의 일단과 상기 스위치의 타단은 캐패시터의 양 단자가 되며, 상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 선택하는 금속층에 따라서, 상기 양 단자 사이에 적어도 두 개의 캐패시턴스를 제공하며, 상기 적층구조물은, 상기 제1 금속층 및 상기 유전체층에 의해 각기 서로 다른 간격으로 상기 제1 금속층과 대향 배치된 제2 금속층과 제3 금속층을 포함하고,상기 스위치부는, 제어신호가 입력되는 입력단과 상기 제3 금속층에 연결된 출력단을 갖는 제1 인버터와, 상기 제1 인버터의 출력단에 입력단이 연결되고 상기 제2 금속층에 연결된 출력단을 갖는 제2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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제1항 또는 제6항에 있어서,상기 제1 금속층은 상기 제2 금속층 및 제3 금속층의 사이에 배치되며, 상기 제1 내지 제3 금속층은 서로 동일한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 복수의 금속층은 각기 서로 다른 면적을 갖고 상기 제1 금속층이 가장 큰 면적을 가지며,상기 제1 금속층 및 상기 나머지 금속층은 상기 유전체층을 통해 상호 대향하는 영역이 발생하도록 배치된 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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하나의 제1 금속층을 포함하는 복수의 금속층 및 상기 복수의 금속층 사이에 개재된 복수의 유전체층을 포함하는 적층구조물; 및상기 복수의 금속층 중 상기 제1 금속층을 제외한 나머지 금속층 중 적어도 하나의 금속층에 일단이 연결된 적어도 하나의 스위치를 갖는 스위치부를 포함하고,상기 제1 금속층의 일단과 상기 스위치의 타단은 캐패시터의 양 단자가 되며, 상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 선택하는 금속층에 따라서, 상기 양 단자 사이에 적어도 두 개의 캐패시턴스를 제공하며, 상기 적층 구조물은,상기 제1 금속층은 일층의 전면에 형성되며, 상기 나머지 금속층 각각은 동일층에 형성되되 서로 분리된 복수의 파트를 포함하고,상기 스위치부는 서로 다른 상기 나머지 금속층의 각 파트와 상기 캐패시터의 일 단자 사이에 연결되며,상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 상기 제1 금속층과 상기 나머지 금속층의 파트 사이에 캐패시턴스를 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터
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가변 캐패시턴스를 갖는 캐패시터를 포함하는 캐패시터부;상기 캐패시터부와 병렬 연결된 인덕터; 및상기 캐패시터부와 상기 인덕터의 연결 연결노드에 연결되어 부성저항을 발생시키는 교차 결합쌍을 포함하며, 상기 캐패시터부는 하나의 제1 금속층을 포함하는 복수의 금속층 및 상기 복수의 금속층 사이에 개재된 복수의 유전체층을 포함하는 적층구조물과, 상기 복수의 금속층 중 상기 제1 금속층을 제외한 나머지 금속층 중 적어도 하나의 금속층에 일단이 연결된 적어도 하나의 스위치를 갖는 스위치부를 포함하여, 상기 제1 금속층의 일단과 상기 스위치의 타단은 상기 캐패시터의 양 단자가 되며, 상기 스위치의 단락/개방 제어를 통해 선택하는 금속층에 따라서, 상기 양 단자 사이에 적어도 두 개의 캐패시턴스를 제공하고, 상기 적층구조물은, 상기 제1 금속층 및 상기 유전체층에 의해 각기 서로 다른 간격으로 상기 제1 금속층과 대향 배치된 제2 금속층과 제3 금속층을 포함하고,상기 스위치부는, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 형성된 제1 스위치 및 상기 제1 금속층 및 제3 금속층 사이에 형성된 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 발진기
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