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반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 집적 회로와 더불어 인덕터, 캐패시터, 마이크로 스위치 및 도파관 등과 같은 수동 전기 소자를 함께 모놀리딕 방식으로 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 집적 회로를 덮는 상부에 기판과 이격되어 공중에 떠있는 구조를 갖는 수동 전기 소자가 제공된다. 본 발명에 따라 집적 회로 위에 수동 전기 소자를 기판과 이격되도록 형성하면, 이러한 수동 전기 소자가 기판 상에서 면적을 차지하지 않기 때문에 회로의 집적도를 획기적으로 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 수동 전기 소자는 기판으로부터 멀리 이격되어 있으므로 하부의 집적 회로에 주는 영향과 기판으로의 신호 손실을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 온-써키트 수동 전기 소자의 금속선의 두께를 10㎛ 이상으로 하여 이들이 작은 직렬 저항과 큰 전류 한계를 갖도록 했다. 본 발명에서는 또한 이미 제작된 집적 회로에 전혀 영향을 주지 않으면서 집적 회로의 상부에 수동 전기 소자를 모놀리딕 방식으로 제작할 수 있는 적절한 마이크로 머시닝 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990027603 (1999.07.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0011585 (2000.02.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1019980030405   |   1998.07.28
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.07.08)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시유성구
2 한철희 대한민국 대전광역시유성구
3 윤의식 대한민국 대전광역시유성구
4 김충기 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.08 수리 (Accepted) 1-1-1999-0076695-69
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 1999.07.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5253082-83
3 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 1999.07.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5253081-37
4 보정통지서
Request for Amendment		 1999.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1999-0019115-23
5 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.08.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-1999-0097057-97
6 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code		 1999.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1999-5317270-49
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1999-5318535-11
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0005387-95
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0100973-85
11 의견서
Written Opinion		 2001.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-0156471-76
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0367516-72
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

기판상에 반도체 소자를 형성하는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 기판상에 제 1 금속층을 형성하는 단계, 상기 제1 금속층상에 제1 포토레지스트를 소정의 형상으로 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 제외한 영역 중 소정의 영역상에 제2 금속층을 상기 제 1 포토레지스트와 실질적으로 동일한 높이로 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 및 상기 제 2 금속층 상에 제 2 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 제 2 포토레지스트 영역중 상기 제 1 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 포함하는 소정의 영역과 상기 제 1 포토레지스트를 제거하는 단계, 상기 제거된 제 1 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 1 금속층과 상기 제 2 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 2 금속층 상에 제 3 금속층을 형성하는 단계, 상기 제2 포토레지스트를 제거하는 단계, 상기 제 2 금속층을 제거하는 단계, 및 상기 제 1 금속층 중 상기 제 3 금속층에 의해 덮인 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 기판은 집적회로를 표면에 내포하고 있으며, 상기 집적 회로를 보호하는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 금속층을 형성하는 단계는 상기 보호층 및 상기 보호층에 의해 덮이지 않은 상기 기판 영역상에 제 1 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

3 3

제 2항에 있어서, 상기 제 1 포토레지스트를 형성하는 단계는 상기 보호층에 의해 덮이지 않은 기판 부분상에 형성된 제 1 금속층 영역상에만 제 1 포토레지스트를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 제 1 포토레지스트를 형성하는 상기 단계는 제 1 포토레지스트를 형성한 후, 형성된 제 1 포토레지스트에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

5 5

제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 포토 레지스트를 제거하는 상기 단계 이후에, 상기 제 3 금속층상에 제 3 포토레지스트를 소정의 형상으로 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 제외한 영역 중 소정의 영역상에 제 4 금속층을 상기 제 3 포토레지스트와 실질적으로 동일한 높이로 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트 및 상기 제 4 금속층 상에 제 4 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 제4 포토레지스트 영역중 상기 제 3 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 포함하는 소정의 영역과 상기 제 3 포토레지스트를 제거하는 단계, 상기 제거된 제 3 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 3 금속층과 상기 제 4 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 4 금속층 상에 제 5 금속층을 형성하는 단계, 상기 제 4 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

6 6

제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 포토레지스트를 제거하는 상기 단계 이후에, 상기 제 3 금속층상에 유전체를 형성하는 단계, 상기 유전체상에 제 4 금속층을 형성하는 단계, 상기 제 4 금속층상에 제 3 포토레지스트를 소정의 형상으로 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 제외한 영역 중 소정의 영역상에 제 5 금속층을 상기 제 3 포토레지스트와 실질적으로 동일한 높이로 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트 및 상기 제 5 금속층 상에 제 4 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 제 4 포토레지스트 영역중 상기 제 3 포토레지스트에 의해서 정의되는 영역을 포함하는 소정의 영역과 상기 제 3 포토레지스트를 제거하는 단계, 상기 제거된 제 3 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 4 금속층과 상기 제 4 포토레지스트에 의해서 노출된 상기 제 5 금속층 상에 제 6 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 제 4 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 반도체 소자 제조 방법

7 7

제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판상에 보호층을 도포하고 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

8 8

제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 니켈로 이루어지고, 상기 제 3 금속층은 구리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법

9 9

제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 구리로 이루어지고, 상기 제 3 금속층은 니켈로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법

10 10

기판 상에 형성된 소정의 높이를 갖는 신호 기둥, 및 상기 신호 기둥과 연결되어 있으며, 상기 기판 상에 이격되어 형성된 금속체를 포함하는 인덕터

11 11

제 10항에 있어서, 상기 신호 기둥과 상기 신호 기둥 하부의 기판의 사이에 도체판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터

12 12

제 10항에 있어서, 상기 신호 기둥과 같은 높이의 지지대를 한 개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터

13 13

기판 상에 형성된 소정의 높이를 갖는 신호 기둥, 및 상기 신호 기둥과 연결되어 있으며, 상기 기판 상에 이격되어 순차적으로 형성된 하부 캐패시터 평판과 캐패시터 유전체 및 상부 캐패시터 평판을 포함하는 캐패시터

14 14

기판 상에 형성된 소정의 높이를 갖는 신호 기둥, 상기 신호 기둥과 연결되어 있으며, 상기 기판 상에 이격되어 순차적으로 형성된 신호판 및 스위치 유전체,

상기 신호 기둥과 연결되어 있으며, 상기 기판 상에 이격되어 순차적으로 형성된 조절판 및 정지판, 및 상기 스위치 유전체와 상기 정지판 상에 소정의 높이로 이격되어 있는 상부 스위치 평판을 포함하는 마이크로 스위치

15 15

기판 상에 형성된 도체판, 상기 도체판과 연결되어 있으며, 상기 기판 상부에 상기 도체판의 양측에 형성된 벽 접지판, 및 상기 벽접지판과 전기적, 공간적으로 격리된 중앙에 상기 기판과 이격되어 형성된 신호선을 포함하는 도파관

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06518165 US 미국 FAMILY
2 WO2000007218 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2000007218 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2001004953 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU5068599 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU5068599 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 US6518165 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO0007218 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO0007218 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.