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3차원 집적형 고주파 혼성 회로 구조체에 있어서, 제 1 고주파 기능의 제 1 회로 구조; 및상기 제 1 회로 구조 상에 집적되는 제 2 고주파 기능의 제 2 회로 구조를 포함하는, 고주파 혼성 회로 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 고주파 기능은 디지털 기능을 포함하고, 상기 제 2 고주파 기능은 아날로그 기능의 적어도 일부를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 회로 구조는,Ⅲ-V족 화합물로 구현되는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 3 항에 있어서, 상기 제 1 회로 구조는,실리콘 시모스(Si CMOS)로 구현되는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 회로 구조는,상기 제 1 회로 구조 상에 집적되는 연결 레이어; 및상기 연결 레이어 상에 집적되고, Ⅲ-V족 화합물로 구현되는 구동 레이어를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 연결 레이어는 RF 수동 소자들을 포함하고, 상기 구동 레이어는 RF 능동 소자들을 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 고주파 기능은 상기 아날로그 기능의 일부를 더 포함하고,상기 제 2 고주파 기능은 상기 아날로그 기능의 나머지를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체
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제 2 항에 있어서, 상기 아날로그 기능은,RF 송수신 기능을 갖는,고주파 혼성 회로 구조체
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3차원 집적형 고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법에 있어서,제 1 고주파 기능의 제 1 회로 구조를 준비하는 단계; 및상기 제 1 회로 구조 상에 집적되는 제 2 고주파 기능의 제 2 회로 구조를 집적하는 단계를 포함하는, 고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 고주파 기능은 디지털 기능을 포함하고, 상기 제 2 고주파 기능은 아날로그 기능의 적어도 일부를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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11
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 회로 구조는,Ⅲ-V족 화합물로 구현되는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 회로 구조는,실리콘 시모스로 구현되는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 회로 구조를 집적하는 단계는,상기 제 1 회로 구조 상에 연결 레이어를 집적하는 단계; 및상기 연결 레이어 상에, Ⅲ-V족 화합물로 구현되는 구동 레이어를 집적하는 단계를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 연결 레이어는 RF 수동 소자들을 포함하고, 상기 구동 레이어는 RF 능동 소자들을 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 제 1 고주파 기능은 상기 아날로그 기능의 일부를 더 포함하고,상기 제 2 고주파 기능은 상기 아날로그 기능의 나머지를 포함하는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 아날로그 기능은,RF 송수신 기능을 갖는,고주파 혼성 회로 구조체의 제조 방법
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