맞춤기술찾기

이전대상기술

나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015112087
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 제 1측면에 따른 방법은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다. 또한, 제 2측면에 따른 본 발명은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030042676 (2003.06.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0508337-0000 (2005.08.05)
공개번호/일자 10-2005-0001111 (2005.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20050817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.06.27)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양승만 대한민국 대전광역시유성구
2 장세규 대한민국 대전광역시유성구
3 최대근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0232973-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
4 등록결정서
Decision to grant
2005.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0259643-55
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 패턴내에 소정의 입자를 충진하고 그 위에 고분자침투억제층을 코팅하는 단계가 더 구비됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 고분자침투억제층은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는 적어도 하나이상의 금속을 포함함을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 연성 고분자 주형은 레플리카몰딩법, 임프린팅법, 모세관 마이크로몰딩법, 전이몰딩법, 직접전이몰딩법, 용액의 도움을 받은 마이크로몰딩법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 수행됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 충진되는 입자는 폴리머 비드, 금속재료, 세라믹 입자의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자임을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 입자의 충진과정은 딥코팅법, 스핀코팅법, 모세관 흐름을 이용하는 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라 수행됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 고분자 박막은 폴리스타이렌, 폴리메틸메타아크릴레이트,폴리아크릴레이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐알코올, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌옥사이드와 이들의 공중합체의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함함을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
8 8
연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 패턴내에 소정의 입자를 충진하고 그 위에 고분자침투억제층을 코팅하는 단계가 더 구비됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 고분자침투억제층은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는 적어도 하나이상의 금속을 포함함을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 연성 고분자 주형은 레플리카몰딩법, 임프린팅법, 모세관 마이크로몰딩법, 전이몰딩법, 직접전이몰딩법, 용액의 도움을 받은 마이크로몰딩법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 수행됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
12 12
제 8항에 있어서, 충진되는 입자는 폴리머 비드, 금속재료, 세라믹 입자의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자임을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
13 13
제 8항에 있어서, 입자의 충진과정은 딥코팅법, 스핀코팅법, 모세관 흐름을 이용하는 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라 수행됨을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
14 14
제 8항에 있어서, 폴리머전구체는 폴리스타이렌, 폴리메틸메타아크릴레이트,폴리아크릴레이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐알코올, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌옥사이드와 이들의 공중합체의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함함을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
15 14
제 8항에 있어서, 폴리머전구체는 폴리스타이렌, 폴리메틸메타아크릴레이트,폴리아크릴레이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐알코올, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌옥사이드와 이들의 공중합체의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함함을 특징으로 하는 고분자 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07081269 US 미국 FAMILY
2 US20040265490 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004265490 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7081269 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.