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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 마스크층을 스핀 코팅하여 마스크층의 표면을 균일하게 하는 단계; (b) 상기 (a)단계를 통해 마스크층이 균일하게 도포된 나노 몰드를 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙이는 단계; (c) 상기 나노 몰드를 제거하고 상기 기판 위의 박막이 나타날 때까지 마스크층을 식각하는 단계; 및 (d) 상기 (c)단계를 통해 식각되지 않은 마스크층 패턴을 마스크로 하여 박막을 식각하고 상기 마스크층 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계 이전에 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 접착 방지층을 도포하는 단계; 및 상기 (b)단계 이전에 박막이 증착되어 있는 기판 표면 위에 접착 촉진층을 도포하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제2항에 있어서, 상기 접착 방지층 및 접착 촉진층은 자기정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)인 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스크층은 감광성 폴리머, 비감광성 폴리머, 스핀온글라스 또는 플라스틱 등의 스핀 코팅이 가능한 물질 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 마스크층을 스핀 코팅하여 마스크층의 표면을 균일하게 하는 단계; (b) 상기 마스크층을 열처리를 통해 소프트 베이크하고 솔벤트를 제거한 후, 상기 마스크층의 두께를 조절하기 위해 UV 플러드(flood) 노광을 실시하여 마스크층의 두께를 얇게 하는 단계; (c) 상기 (a)단계를 통해 마스크층이 균일하게 도포된 나노 몰드를 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙이는 단계; (d) 상기 나노 몰드를 제거하고 상기 기판 위의 박막이 나타날 때까지 마스크층을 식각하는 단계; 및 (e) 상기 (d)단계를 통해 식각되지 않은 마스크층 패턴을 마스크로 하여 박막을 식각하고 상기 마스크층 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제5항에 있어서, 상기 (a)단계 이전에 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 접착 방지층을 도포하는 단계; 및 상기 (c)단계 이전에 박막이 증착되어 있는 기판 표면 위에 접착 촉진층을 도포하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제6항에 있어서, 상기 접착 방지층 및 접착 촉진층은 자기정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)인 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스크층은 감광성 폴리머, 비감광성 폴리머, 스핀온글라스 또는 플라스틱 등의 스핀 코팅이 가능한 물질 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 마스크층을 스핀 코팅하여 마스크층의 표면을 균일하게 하는 단계; (b) 상기 마스크층을 열처리를 통해 소프트 베이크하고 솔벤트를 제거한 후, UV 플러드(flood) 노광을 실시하여 상기 나노 몰드 표면이 노출되도록 마스크층을 제거하는 단계; (c) 상기 (a)단계를 통해 마스크층이 균일하게 도포된 나노 몰드를 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙이는 단계; 및 (d) 상기 나노 몰드를 제거하고 잉여 마스크층을 마스크로 하여 박막을 식각하고 상기 잉여 마스크층을 제거하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제9항에 있어서, 상기 (a)단계 이전에 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 접착 방지층을 도포하는 단계; 및 상기 (c)단계 이전에 박막이 증착되어 있는 기판 표면 위에 접착 촉진층을 도포하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제10항에 있어서, 상기 접착 방지층 및 접착 촉진층은 자기정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)인 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스크층은 감광성 폴리머, 비감광성 폴리머, 스핀온글라스 또는 플라스틱 등의 스핀 코팅이 가능한 물질 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 몰드를 이용한 리소그래피 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 마스터 기판 위에 접착 방지층을 도포하는 단계; (b) 상기 마스터 기판 위에 마스크층을 스핀 코팅하여 마스크층의 표면을 균일하게 하는 단계; (c) 박막이 증착되어 있는 기판 표면 위에 접착 촉진층을 도포하는 단계; (d) 상기 (b)단계를 통해 마스크층이 균일하게 도포된 마스터 기판을 상기 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙이는 단계; (e) 상기 박막이 증착되어 있는 기판에 압력을 가하여 마스크층의 두께를 조절하고 후속 열처리 공정을 통해 마스크층을 굳히는 단계; (f) 상기 마스터 기판을 제거하고 상기 기판 위의 박막이 나타날 때까지 마스크층을 식각하는 단계; 및 (g) 상기 (f)단계를 통해 식각되지 않은 잉여 마스크층을 마스크로 하여 박막을 식각하고 상기 잉여 마스크층을 제거하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 마스터 기판을 이용한 리소그래피 방법
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제13항에 있어서, 상기 접착 방지층 및 접착 촉진층은 자기정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)인 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 마스터 기판을 이용한 리소그래피 방법
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제13항에 있어서, 상기 마스크층은 감광성 폴리머, 비감광성 폴리머, 스핀온글라스 또는 플라스틱 등의 스핀 코팅이 가능한 물질 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 트랜스퍼 마스터 기판을 이용한 리소그래피 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 기판에 시드 금속을 증착하는 단계; (b) 상기 기판 상면에 금속 도금을 통해 금속 몰드를 형성하는 단계; (c) 상기 금속 몰드 상면에 PDMS(polydimethylsiloxanes) 등의 탄력성있는 접착제를 도포하여 핸들링을 위한 핸들링 기판을 붙이는 단계; (d) 상기 금속 몰드에서 기판을 분리하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드 제조 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 기판에 자기정합 단분자층 물질을 도포하는 단계; (b) 상기 기판 상면에 PDMS(polydimethylsiloxanes) 등의 플라스틱을 부어서 플라스틱 몰드를 형성하는 단계; (c) 상기 플라스틱 몰드 상면에 핸들링을 위한 핸들링 기판을 붙이는 단계; (d) 상기 플라스틱 몰드에서 기판을 분리하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드 제조 방법
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(a) 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 기판에 자기정합 단분자층 물질을 도포하는 단계; (b) 상기 기판 상면에 PDMS(polydimethylsiloxanes) 등의 플라스틱을 부어서 플라스틱 몰드를 형성하는 단계; (c) 상기 플라스틱 몰드 상면에 핸들링을 위한 핸들링 기판을 붙이는 단계; (d) 상기 플라스틱 몰드에서 기판을 분리하는 단계; 를 포함하는 나노 트랜스퍼 몰드 제조 방법
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