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메인 메모리 시스템, 관리방법, 컴퓨터 판독가능매체

  • 기술번호 : KST2015114421
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 메인 메모리 시스템에 관한 것이다.실시예에 따른 메인 메모리 시스템은, 하나 이상의 휘발성 메모리, 복수의 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 어레이, 및 현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 비휘발성 메모리 어레이에 존재하는 경우, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수가 기 설정된 접근 빈도수보다 낮으면 상기 복수의 비휘발성 메모리 중 상기 메모리 페이지가 존재하는 비휘발성 메모리에 워드 단위로 접근하도록 하고, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수가 상기 기 설정된 접근 빈도수보다 높으면 상기 복수의 비휘발성 메모리를 병렬적으로 접근하여 상기 메모리 페이지에 존재하는 데이터를 상기 휘발성 메모리에 블록 단위로 마이그레이션(migration)한 후, 상기 마이그레이션된 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하도록 하는 메인 메모리 컨트롤러를 포함하고, 상기 메인 메모리 컨트롤러는 접근 성능 모니터와 마이그레이터를 포함하며, 상기 접근 성능 모니터는, 상기 접근 빈도수와 타이머를 이용하여, 상기 메인 메모리 컨트롤러가 유휴기간에 진입했는지를 판별하고, 상기 메인 메모리 컨트롤러가 유휴기간에 진입한 경우, 라이트-백(write back) 신호를 상기 마이그레이터로 전송하며, 상기 마이그레이터는, 상기 라이트-백(write back) 신호에 따라, 상기 휘발성 메모리에 저장된 데이터를 상기 비휘발성 메모리 어레이에 기록한다.
Int. CL G06F 13/10 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 3/0647(2013.01) G06F 3/0647(2013.01) G06F 3/0647(2013.01) G06F 3/0647(2013.01)
출원번호/일자 1020100025272 (2010.03.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1130051-0000 (2012.03.19)
공개번호/일자 10-2011-0106058 (2011.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규호 대한민국 대전광역시 유성구
2 박영우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김철민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0179703-68
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297323-37
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0586898-11
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0678708-46
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0678709-92
6 등록결정서
Decision to grant
2012.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0156606-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278702-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 휘발성 메모리; 복수의 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 어레이; 및현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 비휘발성 메모리 어레이에 존재하는 경우, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수가 기 설정된 접근 빈도수보다 낮으면 상기 복수의 비휘발성 메모리 중 상기 메모리 페이지가 존재하는 비휘발성 메모리에 워드 단위로 접근하도록 하고, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수가 상기 기 설정된 접근 빈도수보다 높으면 상기 복수의 비휘발성 메모리를 병렬적으로 접근하여 상기 메모리 페이지에 존재하는 데이터를 상기 휘발성 메모리에 블록 단위로 마이그레이션(migration)한 후, 상기 마이그레이션된 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하도록 하는 메인 메모리 컨트롤러를 포함하고, 상기 메인 메모리 컨트롤러는 접근 성능 모니터와 마이그레이터를 포함하며, 상기 접근 성능 모니터는,상기 접근 빈도수와 타이머를 이용하여, 상기 메인 메모리 컨트롤러가 유휴기간에 진입했는지를 판별하고, 상기 메인 메모리 컨트롤러가 유휴기간에 진입한 경우, 라이트-백(write back) 신호를 상기 마이그레이터로 전송하며, 상기 마이그레이터는,상기 라이트-백(write back) 신호에 따라, 상기 휘발성 메모리에 저장된 데이터를 상기 비휘발성 메모리 어레이에 기록하는,메인 메모리 시스템
2 2
제1항에 있어서,상기 메인 메모리 컨트롤러는,상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수를 측정하고, 상기 측정된 접근 빈도수 및 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수를 비교하는 상기 접근 성능 모니터;상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 낮을 경우, 제1 접근 방식을 선택하고, 상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 높을 경우, 제2 접근 방식을 선택하며, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중에서 현재 접근하고자 하는 데이터가 존재하는 블록의 주소를 계산하는 접근 방식 변환기;상기 접근 방식 변환기가 상기 제1 접근 방식을 선택할 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중 상기 메모리 페이지가 존재하는 비휘발성 메모리를 선택하여 워드 단위로 접근하도록 하는 메모리 선택기; 및상기 접근 방식 변환기가 상기 제2 접근 방식을 선택할 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리를 병렬적으로 접근하여, 상기 계산된 블록의 주소에 존재하는 데이터를, 상기 휘발성 메모리에 블록 단위로 마이그레이션(migration)하는 상기 마이그레이터(migrator)를 포함하는, 메인 메모리 시스템
3 3
제2항에 있어서,상기 마이그레이터는,마이그레이션 블록 크기 설정을 위한 요청신호에 따라, 마이그레이션할 블록의 크기를 설정하는, 메인 메모리 시스템
4 4
삭제
5 5
휘발성 메모리와, 복수의 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 어레이로 구성된 메인 메모리를 관리하는 방법으로서,현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 휘발성 메모리에 존재하는 경우, 상기 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하는 제1 단계;현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 비휘발성 메모리 어레이에 존재하는 경우, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수를 측정하는 제2 단계;상기 측정된 접근 빈도수 및 기 설정된 기준 접근 빈도수를 비교하는 제3 단계;상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 낮을 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중 상기 메모리 페이지가 존재하는 비휘발성 메모리를 선택하여 워드 단위로 접근하는 제4 단계;상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 높을 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중에서 현재 접근하고자 하는 데이터가 존재하는 블록의 주소를 계산하고, 상기 복수의 비휘발성 메모리를 병렬적으로 접근하여, 상기 계산된 블록의 주소에 존재하는 데이터를, 상기 휘발성 메모리에 블록 단위로 마이그레이션(migration)하는 제5 단계; 상기 마이그레이션된 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하는 제6 단계;상기 측정된 접근 빈도수와 타이머를 이용하여, 상기 비휘발성 메모리 어레이가 유휴기간에 진입했는지를 판별하는 단계; 및상기 비휘발성 메모리 어레이가 유휴기간에 진입한 경우, 상기 휘발성 메모리에 저장된 데이터를 상기 비휘발성 메모리 어레이에 기록하는 단계를 포함하는 메인 메모리 관리방법
6 6
제5항에 있어서,상기 제5 단계는,마이그레이션 블록 크기 설정을 위한 요청신호가 있을 경우, 마이그레이션할 블록의 크기를 설정하는 단계를 더 포함하는, 메인 메모리 관리방법
7 7
삭제
8 8
휘발성 메모리와, 복수의 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 어레이로 구성된 메인 메모리를 관리하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능매체로서,상기 프로그램은,현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 휘발성 메모리에 존재하는 경우, 상기 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하는 제1 단계;현재 접근하고자 하는 주소의 메모리 페이지가 상기 비휘발성 메모리 어레이에 존재하는 경우, 상기 비휘발성 메모리 어레이의 접근 빈도수를 측정하는 제2 단계;상기 측정된 접근 빈도수 및 기 설정된 기준 접근 빈도수를 비교하는 제3 단계;상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 낮을 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중 상기 메모리 페이지가 존재하는 비휘발성 메모리를 선택하여 워드 단위로 접근하는 제4 단계;상기 측정된 접근 빈도수가 상기 기 설정된 기준 접근 빈도수보다 높을 경우, 상기 복수의 비휘발성 메모리 중에서 현재 접근하고자 하는 데이터가 존재하는 블록의 주소를 계산하고, 상기 복수의 비휘발성 메모리를 병렬적으로 접근하여, 상기 계산된 블록의 주소에 존재하는 데이터를, 상기 휘발성 메모리에 블록 단위로 마이그레이션(migration)하는 제5 단계; 상기 마이그레이션된 휘발성 메모리를 워드 단위로 접근하는 제6 단계; 상기 측정된 접근 빈도수와 타이머를 이용하여, 상기 비휘발성 메모리 어레이가 유휴기간에 진입했는지를 판별하는 단계; 및상기 비휘발성 메모리 어레이가 유휴기간에 진입한 경우, 상기 휘발성 메모리에 저장된 데이터를 상기 비휘발성 메모리 어레이에 기록하는 단계를 수행하는 컴퓨터 판독가능매체
9 9
제8항에 있어서,상기 프로그램은,마이그레이션 블록 크기 설정을 위한 요청신호가 있을 경우, 마이그레이션할 블록의 크기를 설정하는 단계를 더 수행하는, 컴퓨터 판독가능매체
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 KAIST SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(차세대컴퓨팅) 매니코어와 차세대 메모리 결합형 아키텍처의 자원관리 기술