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하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법 및 하이브리드 메모리 시스템

  • 기술번호 : KST2015115664
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법은 메모리 쓰기 요청된 데이터가 메모리 버퍼에 저장되는 단계; 상기 메모리 버퍼에서 가장 쓰여진지 오래된 위치에 있는 소정 개수의 데이터 중 가장 적게 쓰기된 데이터를 빅팀 데이터로 선정하는 단계; 상기 빅팀 데이터를 비휘발성 메모리에 저장하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 3/06 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 3/068(2013.01) G06F 3/068(2013.01) G06F 3/068(2013.01)
출원번호/일자 1020120023455 (2012.03.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1380602-0000 (2014.03.27)
공개번호/일자 10-2013-0102309 (2013.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규호 대한민국 대전 유성구
2 박성규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0186192-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080240-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0578077-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0945095-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-1063503-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1063504-85
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0180475-62
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278951-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
메모리 쓰기 요청된 데이터가 메모리 버퍼에 저장되는 단계;상기 메모리 버퍼에서 가장 쓰여진지 오래된 위치에 있는 소정 개수의 데이터 중 가장 적게 쓰기된 데이터를 빅팀 데이터로 선정하는 단계; 및상기 빅팀 데이터를 비휘발성 메모리에 저장하는 단계를 포함하며, 상기 비휘발성 메모리의 페이지 중 가장 높은 페이지 쓰기 횟수에 대한 상기 비휘발성 메모리에 대한 총 쓰기 횟수의 비율이 제1임계값 미만일 때 페이지 기반 스와핑을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법
3 3
메모리 쓰기 요청된 데이터가 메모리 버퍼에 저장되는 단계;상기 메모리 버퍼에서 가장 쓰여진지 오래된 위치에 있는 소정 개수의 데이터 중 가장 적게 쓰기된 데이터를 빅팀 데이터로 선정하는 단계; 및상기 빅팀 데이터를 비휘발성 메모리에 저장하는 단계를 포함하며,상기 비휘발성 메모리의 소정 페이지의 라인 중 가장 높은 라인 쓰기 횟수에 대한 상기 소정 페이지에 대한 총 쓰기 횟수의 비율이 제2임계값 미만일 때 라인 기반 스와핑을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 페이지 쓰기 횟수는 상기 페이지의 라인 중 가장 쓰기 횟수가 높은 라인의 쓰기 횟수인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법
5 5
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 버퍼는 DRAM 버퍼이고 상기 비휘발성 메모리는 PRAM인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템에서 비휘발성 메모리의 웨어레벨링 방법
6 6
삭제
7 7
메모리 쓰기 요청된 데이터가 저장되는 메모리 버퍼;상기 메모리 버퍼에서 가장 쓰여진지 오래된 위치에 있는 소정 개수의 데이터 중 가장 적게 쓰기된 데이터인 빅팀 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리; 및 상기 비휘발성 메모리의 페이지별 쓰기 횟수 및 라인별 쓰기 횟수를 저장하는 메모리 제어기를 포함하며,상기 비휘발성 메모리의 페이지 중 가장 높은 페이지 쓰기 횟수에 대한 상기 비휘발성 메모리에 대한 총 쓰기 횟수의 비율이 제1임계값 미만일 때 페이지 기반 스와핑이 수행되며, 상기 메모리 제어기는 기존의 데이터 저장 위치와 함께 상기 페이지 기반 스와핑 결과에 따라 변경된 저장 위치를 저장하는 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템
8 8
메모리 쓰기 요청된 데이터가 저장되는 메모리 버퍼;상기 메모리 버퍼에서 가장 쓰여진지 오래된 위치에 있는 소정 개수의 데이터 중 가장 적게 쓰기된 데이터인 빅팀 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리; 및 상기 비휘발성 메모리의 페이지별 쓰기 횟수 및 라인별 쓰기 횟수를 저장하는 메모리 제어기를 포함하며,상기 비휘발성 메모리의 소정 페이지의 라인 중 가장 높은 라인 쓰기 횟수에 대한 상기 소정 페이지에 대한 총 쓰기 횟수의 비율이 제2임계값 미만일 때 라인 기반 스와핑이 수행되며, 상기 메모리 제어기는 기존의 데이터 저장 위치와 함께 상기 라인 기반 스와핑 결과에 따라 변경된 저장 위치를 저장하는 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는,하이브리드 메모리 시스템
9 9
제7항에 있어서, 상기 페이지 쓰기 횟수는 상기 페이지의 라인 중 가장 쓰기 횟수가 높은 라인의 쓰기 횟수인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템
10 10
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 버퍼는 DRAM 버퍼이고 상기 비휘발성 메모리는 PRAM인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 메모리 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 KAIST SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(차세대컴퓨팅) 매니코어와 차세대 메모리 결합형 아키텍처의 자원관리 기술