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메모리 회로 및 메모리 회로의 엑세스 방법, 메모리 관리 시스템 및 메모리 관리방법

  • 기술번호 : KST2015113599
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 회로 및 메모리 회로의 엑세스 방법, 메모리 관리 시스템 및 메모리 관리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 회로는, DRAM, 비휘발성 메모리, DRAM 및 비휘발성 메모리와 프로세서 사이에 연결되어, 프로세서가 DRAM 및 비휘발성 메모리에 동일한 방식으로 엑세스하도록 구성된 공유 메모리 인터페이스를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 회로에 의하면, DRAM과 비휘발성 메모리를 동일한 메모리 인터페이스로 연결하고, 프로세서의 메인 메모리 물리 주소에 맵핑하여 프로세서가 DRAM과 비휘발성 메모리를 직접 접근할 수 있다. 하이브리드 메모리, 비휘발성 메모리, DRAM, 메인 메모리 관리
Int. CL G06F 13/16 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 12/0842(2013.01) G06F 12/0842(2013.01) G06F 12/0842(2013.01) G06F 12/0842(2013.01)
출원번호/일자 1020090060371 (2009.07.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1061483-0000 (2011.08.26)
공개번호/일자 10-2011-0002742 (2011.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규호 대한민국 대전 유성구
2 박영우 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0405839-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.08.20 수리 (Accepted) 9-1-2010-0053456-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0584468-68
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0880112-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0880113-95
7 등록결정서
Decision to grant
2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0475236-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278372-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
DRAM; 비휘발성 메모리; 및 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리와 프로세서 사이에 연결되어, 상기 프로세서가 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 동일한 방식으로 엑세스하도록 구성된 공유 메모리 인터페이스; 를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리를 각각 다른 물리 메모리 주소에 매핑하여 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리로의 엑세스를 조절할 수 있는, 메모리 회로
2 2
삭제
3 3
DRAM 및 비휘발성 메모리를 동일한 공유 메모리 인터페이스를 통하여 프로세서와 연결하고, 상기 프로세서가 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리를 각각 다른 물리 메모리 주소에 매핑하는 단계; 및 상기 프로세서가 상기 공유 메모리 인터페이스를 통하여 상기 물리 메모리 주소를 선택하여 상기 DRAM 또는 상기 비휘발성 메모리로의 엑세스를 조절하는 단계; 를 포함하는, 메모리 회로의 엑세스 방법
4 4
복수의 프로세스를 포함하는 사용자 프로세스가 DRAM 및 비휘발성 메모리를 포함하는 메인 메모리로의 엑세스되도록 운영제어부를 통하여 조절되는 메모리 관리 시스템으로서, 상기 운영 제어부는, 상기 복수의 프로세스에 각각 대응되는 가상 메모리 부; 상기 복수의 프로세스가 상기 가상 메모리 부에 접근하는 때, 가상 메모리 주소를 상기 메인 메모리의 물리 페이지로 매핑하는 페이지 테이블; 및 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 따라 메모리 페이지를 할당, 회수, 이동시키며, 이를 통해 상기 페이지 테이블을 변경하여 상기 사용자 프로세스가 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리 중 어느 하나를 결정하도록 제어하는 하이브리드 메모리 관리모듈; 을 포함하는, 메모리 관리 시스템
5 5
제4항에 있어서, 상기 하이브리드 메모리 관리모듈은, 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 대한 접근정보를 수집하고, 상기 메인 메모리로의 메모리 페이지를 회수, 교환시키고, 상기 메모리 페이지의 위치에 따라 상기 페이지 정보 테이블 정보를 변경하고, 유지시키는 강제 페이지 폴트 핸들러; 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 소정시간동안 메모리 접근정보가 수집되지 않은 때, 주기적으로 메모리 접근정보를 수집하도록 제어하는 강제 페이지 폴트 생성기; 및 새로운 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리를 사용하고자 하는 때, 현재 사용되고 있지 않은 프리 페이지가 할당되도록 제어하는 메모리 페이지 할당 모듈; 을 포함하는, 메모리 관리 시스템
6 6
제5항에 있어서, 상기 강제 페이지 폴트 핸들러는, 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 잘못 접근하여 페이지 폴트가 발생하는 때, 이전 페이지 폴트로부터 현재까지 접근한 메모리 페이지 정보를 수집하는 메모리 접근 정보 수집 모듈; 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리에 남아있는 프리 페이지가 부족한 경우에, 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리의 사용되지 않은 메모리 페이지를 회수하는 하이브리드 메모리 페이지 회수 모듈; 및 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리의 페이지들 중 페이지 접근 빈도수의 차이가 많은 페이지들의 경우 메모리 페이지를 교환하는 하이브리드 메모리 페이지 교환 모듈; 을 포함하는, 메모리 관리 시스템
7 7
복수의 프로세스를 포함하는 사용자 프로세스가 DRAM 및 비휘발성 메모리를 포함하는 메인 메모리로 엑세스되도록 운영제어부를 통하여 조절되는 메모리 관리방법으로서, (a) 상기 사용자 프로세스로부터 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리 페이지 접근이 있을 경우, 먼저 접근 하고자 하는 메모리 페이지가 현재 할당되어 있는지 확인하는 단계; (b) 상기 메모리 페이지가 이미 할당되어 있는 경우에는 상기 메모리 페이지 접근 정보 수집을 위한 주기를 체크하여, 상기 메모리 페이지 접근 정보 수집이 필요한 경우에는 강제 페이지 폴트를 생성하여 페이지 폴트를 강제로 발생시키는 단계; (c) 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리 페이지에 대한 접근 정보를 수집하고, 그 수집된 정보를 바탕으로 상기 DRAM 또는 상기 비휘발성 메모리에 사용되지 않는 페이지 숫자가 많거나 남아 있는 프리 페이지 숫자가 적은 경우에, 메모리 페이지 회수를 수행하는 단계; (d) 상기 회수된 DRAM이 존재하면, 상기 DRAM을 이용하여 현재 자주 접근되는 비휘발성 메모리 상의 페이지를 상기 DRAM으로 이동시키는 단계; (e) 상기 메모리 페이지의 이동이나 상기 메모리 페이지간의 교환이 이루어진 경우 교환 및 이동이 이루어진 메모리 페이지의 숫자를 피드백 하여 메모리 페이지 교환 주기를 조절하는 단계; 및 (f) 상기 메모리 페이지의 할당, 회수 및 교환이 일어난 경우에는 페이지 테이블의 페이지 맵핑 정보를 갱신하고, 페이지 접근 시마다 페이지 접근 정보를 갱신하여 페이지 회수 및 교환이 가능하도록 추후 페이지 접근 정보를 수집하는 단계; 를 포함하는, 메모리 관리방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 현재 할당되지 않은 메모리 접근에 대해서는 자연히 페이지 폴트가 발생하게 되고, 상기 DRAM과 비휘발성 메모리 중 선택 적으로 할당하는 단계를 더 포함하는, 메모리 관리방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 메모리 회수가 필요 없는 경우에, 상기 DRAM과 상기 비휘발성 메모리의 접근 숫자를 비교하여 접근 숫자의 차이가 크면, 상기 DRAM 및 상기 비휘발성 메모리 사이의 메모리 페이지를 교환하는, 메모리 관리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 KAIST SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(차세대컴퓨팅) 매니코어와 차세대 메모리 결합형 아키텍처의 자원관리 기술