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금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법.

  • 기술번호 : KST2015116392
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원 발명은 수직 나노구조를 이용하여 광학 기기 등을 제작하는 방법으로, Si, Ge 등의 단결정 반도체 기판, GaAs, InP 등의 III-V 화합물 반도체 기판, SOI (silicon on insulator) 기판 중 적어도 어느 하나인 기판을 준비 단계, 상기 세정된 기판 상에 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿(Self-assembly template) 방법 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 원하는 수직 나노 구조를 패터닝 하는 단계, 금, 은, 백금 등의 금속 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하는 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조의 역상 패턴으로 기판 상부에 증착하는 단계, 불산(HF)과 과산화수소(H2O2) 혼합 수용액에 담지하는 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 나노구조를 제작하는 단계 등을 이용한다. 이를 통해, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 격자 구조를 제작함으로써, 보다 더 미세하고, 정교한 패턴들을 용이하게 제작하고자 한다.이와 같이 제작된 SWG 구조를 가진 나노 구조를 갖는 광학 기기는 기존의 건식 식각을 이용하여 제작된 구조에 비하여 보다 더 효과적인 성능을 가질 수 있다.
Int. CL G02B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) G02B 3/08 (2006.01)
CPC G02B 6/0229(2013.01) G02B 6/0229(2013.01) G02B 6/0229(2013.01) G02B 6/0229(2013.01) G02B 6/0229(2013.01) G02B 6/0229(2013.01)
출원번호/일자 1020130015754 (2013.02.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1438797-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자 10-2014-0102451 (2014.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석희 대한민국 대전 서구
2 정현호 대한민국 대전 유성구
3 최지훈 대한민국 대전 유성구
4 정우진 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0132629-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028667-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0261667-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0557905-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0557937-49
7 등록결정서
Decision to grant
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0596594-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직 나노구조를 포함하는 광학 기기를 제조하는 방법에 있어서, 기판(100)을 준비하는 제 1 단계; 상기 기판(100) 상에 원하는 수직 나노구조(300)를 패터닝 하는 제 2 단계;상기 패터닝된 기판 상부(110)에 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조(300)의 역상 패턴으로 증착하는 제 3 단계; 및금속 촉매 식각 방법을 이용하여 상기 촉매 금속이 증착된 기판(100)에 수직 나노구조(300)를 제작하는 제 4 단계를 포함하며, 상기 기판(100) 상에 원하는 수직 나노구조(300)를 패터닝 하는 제 2 단계에 선행하여 렌즈에 적용될 입사광의 파장과 위상의 변화를 기초로하여 서브웨이브렝스그래이팅(Subwavelength grating)을 구현하기 위한 패턴의 폭, 간격, 높이를 전산모사를 통해 산출해내는 단계를 포함하고, 상기 제 3 단계에서, 상기 촉매 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 납(Pb) 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하며,상기 제 4 단계에서,식각용액은 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 비율, 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 농도, 반응 온도, 식각 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜, 상기 수직 나노구조(300)의 높이 및 배향을 조절하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 단계에서상기 기판(100)은 단결정 반도체 기판(100), III-V 화합물 반도체 기판(100), SOI(silicon on insulator) 기판(100), 금속 기판(100), 유리 기판(100), 고분자 기판(100) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에, 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2) 혼합 용액, 불산(HF) 희석 용액 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 상기 기판(100)의 불순물을 제거하는 세정 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 렌즈를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서,상기 수직 나노구조(300)가 비주기적인 패턴을 갖도록 리소그라피(Lithography) 방법을 이용하여 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 렌즈 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제 4 단계 이후에, 상기 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 렌즈 제조 방법
8 8
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 필터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서, 상기 수직 나노구조(300)가 주기적인 패턴을 갖도록 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법을 이용하여 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 셀프 어셈블리 템플릿 방법은 AAO(Anodic Aluminum Oxide) 템플릿, Block Copolmyer 템플릿 중 적어도 어느 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 제 4 단계 이후에, 상기 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법
11 11
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 거울을 제조하는 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서, 상기 수직 나노구조(300)가 비주기적 패턴, 주기적인 패턴 중 어느 하나 이상의 패턴을 갖도록 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법 중 적어도 어느 하나 이상 이용하여 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 거울 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 셀프 어셈블리 템플릿 방법은 AAO(Anodic Aluminum Oxide) 템플릿, Block Copolmyer 템플릿 중 어느 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 거울 제조 방법
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15 15
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17 17
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 나노소재기술개발사업 [국가그린나노소재 개발사업] 하향식 반도체 공정기반 고효율 나노열전소자개발 (3차년)