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복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법에 있어서:입력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 입력 데이터에 따라 프로그램된 상기 메모리 셀들의 제1 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;출력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 메모리 셀들의 변화된 제2 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;마스크를 이용하여 상기 제1 문턱 전압 분포들과 상기 제2 문턱 전압 분포들의 관계를 분석하는 단계; 및상기 제1 문턱 전압 분포들, 상기 제2 문턱 전압 분포들 또는 상기 분석하는 단계를 통해 생성된 분석 결과에 대한 분포도를 생성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 1 항에 있어서,상기 분석하는 단계는 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들 중에서 피해 셀에 대한 간섭 채널을 분석하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 2 항에 있어서,상기 간섭 채널을 분석하는 단계는 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들의 상기 제1 문턱 전압 분포들과 상기 제2 문턱 전압 분포들에 근거하여 룩업 테이블을 구성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 3 항에 있어서,상기 룩업 테이블은 산술 평균법 또는 램 트레이닝 기법을 이용하여 생성되는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 1 항에 있어서,상기 분석하는 단계는 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들 중에서 피해 셀에 대한 노이즈 채널을 분석하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 5 항에 있어서,상기 노이즈 채널을 분석하는 단계는,상기 출력 데이터를 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들의 레벨에 따라 조합 가능한 모든 패턴별로 그룹들을 생성하는 단계; 및상기 그룹들의 데이터들을 평균 값만큼 쉬프팅 시키는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 1 항에 있어서,상기 분석하는 단계는 피해 셀에 인접한 메모리 셀들이 상기 피해 셀에 미치는 커플링 영향을 분석하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 1 항에 있어서,상기 입력 데이터와 그에 대응하는 상기 출력 데이터는 적어도 하나의 메모리 블럭에 포함되는 상기 메모리 셀들에 대한 데이터로 구성되는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법에 있어서:입력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 입력 데이터에 따라 프로그램된 상기 메모리 셀들의 제1 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;출력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 메모리 셀들의 변화된 제2 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;마스크를 이용하여 상기 메모리 셀들 중 일부를 선택하고, 선택된 메모리 셀들 중에서 인접 메모리 셀들이 피해 셀에 끼치는 간섭 영향을 분석하는 단계;상기 인접 메모리 셀들이 상기 피해 셀에 끼치는 노이즈 영향을 분석하는 단계; 및상기 간섭 영향과 상기 노이즈 영향의 분포를 생성하고, 생성된 간섭 영향 분포와 생성된 노이즈 영향 분포를 컨벌루션(convolution)하여 상기 채널 특성의 분포도를 생성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 10 항에 있어서,상기 간섭 영향을 분석하는 단계는 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들의 상기 제1 문턱 전압 분포들과 상기 제2 문턱 전압 분포들에 근거하여 룩업 테이블을 구성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 12 항에 있어서,상기 룩업 테이블은 산술 평균법 또는 램 트레이닝 기법을 이용하여 생성되는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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제 10 항에 있어서,상기 인접 메모리 셀들이 상기 피해 셀에 미치는 커플링 영향을 분석하는 단계를 더 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법에 있어서:입력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 입력 데이터에 따라 프로그램된 상기 메모리 셀들의 제1 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;출력 데이터와 상기 메모리 셀들의 물리적 구조에 근거하여 상기 메모리 셀들의 변화된 제2 문턱 전압 분포들을 산출하는 단계;마스크를 이용하여 상기 메모리 셀들 중 일부를 선택하고, 선택된 메모리 셀들 중에서 인접 메모리 셀들이 피해 셀에 끼치는 간섭 영향을 분석하는 단계; 및상기 인접 메모리 셀들이 상기 피해 셀에 끼치는 노이즈 영향을 분석하는 단계를 포함하고, 상기 노이즈 영향을 분석하는 단계는, 상기 출력 데이터를 상기 마스크에 포함된 메모리 셀들의 레벨에 따라 조합 가능한 모든 패턴별로 그룹들을 생성하는 단계, 및 상기 그룹들의 데이터들을 평균 값만큼 쉬프팅 시키는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법
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