맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015115092
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치를 공개한다. 플래시 메모리를 위한 격자 부호 변조에서 신호 성상으로 생성 가능한 모든 포인트로부터 사용하지 않는 포인트들을 제거함에 있어서 E-PH 패턴을 포함한 포인트를 우선적으로 제거하므로, 셀간 간섭이 크게 발생하는 E-PH 패턴으로 인한 오류율의 증가를 감소시켜 오류율의 이득을 얻을 수 있다.
Int. CL G11C 16/20 (2006.01) G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01)
CPC G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01)
출원번호/일자 1020100122415 (2010.12.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1250672-0000 (2013.03.28)
공개번호/일자 10-2012-0061214 (2012.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.03)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하정석 대한민국 대전광역시 유성구
2 문재균 미국 대전광역시 유성구
3 오지은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0796985-76
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0094196-19
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0299375-35
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0299376-81
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0774406-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0774403-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0563762-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0203921-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
길쌈 부호기 및 m(m은 자연수)차원 변조기를 구비하는 격자 부호부 및 각각 멀티 레벨을 갖는 복수개의 메모리 셀을 구비하는 플래시 메모리 장치를 위한 격자 부호 변조 방법에 있어서,상기 길쌈 부호기가 n(n은 자연수)비트의 입력 데이터 중 k(k는 n보다 작은 자연수)비트의 제1 입력 데이터를 인가받고, 상기 k비트의 제1 입력 데이터에 r(r은 자연수) 비트의 여분 데이터를 더하여, k+r 비트의 부호화된 입력 데이터를 출력하는 부호화 단계;상기 m차원 변조기가 상기 k+r 비트의 부호화된 입력 데이터와 상기 입력 데이터 중 상기 제1 입력 데이터를 제외한 나머지(n-k) 비트의 제2 입력 데이터를 인가받아 m차원 변조하여 생성되는 m개의 변조 데이터를 m차원 격자 상의 포인트로 재배열하고, 재배열된 상기 격자 상의 포인트에 대응하여 m개의 변조 데이터를 상기 플래시 메모리 장치의 m개의 상기 메모리 셀에 저장하되, 서로 인접한 메모리 셀에 문턱전압이 가장 낮은 상태와 가장 높은 상태가 저장되는 E-PH 포인트를 우선적으로 제거하여 저장하는 격자 변조 단계를 구비하는 격자 부호 변조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 격자 변조 단계는상기 부호화된 입력 데이터와 상기 제 2입력데이터를 m차원 변조하여 상기 m개의 변조 데이터를 생성하는 단계;상기 m차원 격자를 i(m=2i)개의 2차원 격자 단위로 구분하는 단계;상기 복수개의 2차원 격자에서 하나 또는 그 이상의 상기 E-PH 포인트제거하는 단계;상기 m개의 변조 데이터를 상기 E-PH 포인트가 제거된 상기 m차원 격자의 나머지 포인트에 대응하는 신호 성상에 맵핑하는 단계; 및상기 m개의 변조 데이터를 상기 맵핑된 신호 성상에 따라 상기 m개의 메모리 셀에 저장하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 E-PH 포인트제거하는 단계는상기 복수개의 2차원 격자 각각에서 l2개의 포인트 중 상기 E-PH 포인트를 1차로 제거하는 단계;상기 i개의 2차원 격자를 결합하고, 2k+r개의 부분 집합으로 구분하는 단계; 및상기 i개의 2차원 격자 각각에서 1차로 제거된 상기 E-PH 포인트를 제외한 나머지 (l2-1)개의 포인트의 결합으로 생성되는 (l2-1)i개의 포인트에서 상기 2k+r개의 부분 집합의 합집합으로 계산되는 2n+1개의 포인트를 제외한 나머지 개수에 대응하는 개수의 상기 E-PH 포인트를 2차로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 여분데이터는 1비트(r=1)이고,상기 m개의 변조 데이터는 상기 입력 데이터의 비트 수를 상기 복수개의 메모리 셀 각각이 저장할 수 있는 비트 수로 나눈 비트 수를 갖는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 복수개의 2차원 격자 각각은상기 복수개의 메모리 셀 각각이 갖는 레벨보다 1단계 더 많은 l개의 레벨을 갖는 1차원 신호 성상이 직교하여 생성되는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 메모리 셀 각각은4개의 레벨을 가지고 2비트의 데이터를 저장할 수 있는 멀티 레벨 셀인 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 방법
7 7
n(n은 자연수)비트의 입력 데이터 중 k(k는 n보다 작은 자연수)비트의 제1 입력 데이터를 인가받고, 상기 k비트의 제1 입력 데이터에 r(r은 자연수) 비트의 여분 데이터를 더하여, k+r 비트의 부호화된 입력 데이터를 출력하는 길쌈 부호기; 및상기 k+r 비트의 부호화된 입력 데이터와 상기 입력 데이터 중 상기 제1 입력 데이터를 제외한 나머지(n-k) 비트의 제2 입력 데이터를 인가받아 m차원 변조하여 생성되는 m개의 변조 데이터를 m차원 격자 상의 포인트로 재배열하고, 재배열된 상기 격자 상의 포인트에 대응하여 m개의 변조 데이터를 각각 멀티 레벨을 갖는 플래시 메모리 장치의 m개의 메모리 셀에 저장하되, 서로 인접한 메모리 셀에 문턱전압이 가장 낮은 상태와 가장 높은 상태가 저장되는 E-PH 포인트를 우선적으로 제거하여 저장하는 m차원 변조기를 구비하는 격자 부호 변조 회로
8 8
제7 항에 있어서, 상기 m차원 변조기는상기 부호화된 입력 데이터와 상기 제 2입력데이터를 m차원 변조하여 상기 m개의 변조 데이터를 생성하고,상기 m차원 격자를 i(m=2i)개의 2차원 격자 단위로 구분하고,상기 복수개의 2차원 격자에서 하나 또는 그 이상의 상기 E-PH 포인트제거하고,상기 m개의 변조 데이터를 상기 E-PH 포인트가 제거된 상기 m차원 격자의 나머지 포인트에 대응하는 신호 성상에 맵핑하며,상기 m개의 변조 데이터를 상기 맵핑된 신호 성상에 따라 상기 m개의 메모리 셀에 저장하는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 회로
9 9
제8 항에 있어서, 상기 m차원 변조기는상기 복수개의 2차원 격자 각각에서 l2개의 포인트 중 상기 E-PH 포인트를 1차로 제거하고, 상기 i개의 2차원 격자를 결합하고, 2k+r개의 부분 집합으로 구분한 후,상기 i개의 2차원 격자 각각에서 1차로 제거된 상기 E-PH 포인트를 제외한 나머지 (l2-1)개의 포인트의 결합으로 생성되는 (l2-1)i개의 포인트에서 상기 2k+r개의 부분 집합의 합집합으로 계산되는 2n+1개의 포인트를 제외한 나머지 개수에 대응하는 개수의 상기 E-PH 포인트를 2차로 제거하는 것을 특징으로 하는 격자 부호 변조 회로
10 10
n(n은 자연수)비트의 입력 데이터를 인가받아 격자 부호 변조하여, m(m은 n보다 큰 자연수)비트의 변조 데이터를 각각 멀티 레벨을 갖는 플래시 메모리 코어의 복수개의 메모리 셀에 매칭하여 저장하는 격자 부호부; 및상기 플래시 메모리 코어부에서 상기 m개의 변조 데이터를 인가받아 복조 및 복호하여 n비트의 출력 데이터를 외부로 출력하는 복호부를 구비하며, 상기 격자 부호부는n(n은 자연수)비트의 입력 데이터 중 k(k는 n보다 작은 자연수)비트의 제1 입력 데이터를 인가받고, 상기 k비트의 제1 입력 데이터에 r(r은 자연수) 비트의 여분 데이터를 더하여, k+r 비트의 부호화된 입력 데이터를 출력하는 길쌈 부호기; 및상기 k+r 비트의 부호화된 입력 데이터와 상기 입력 데이터 중 상기 제1 입력 데이터를 제외한 나머지(n-k) 비트의 제2 입력 데이터를 인가받아 m차원 변조하여 생성되는 m개의 변조 데이터를 m차원 격자 상의 포인트로 재배열하고, 재배열된 상기 격자 상의 포인트에 대응하여 m개의 변조 데이터를 플래시 메모리 장치의 m개의 상기 메모리 셀에 저장하되, 서로 인접한 메모리 셀에 문턱전압이 가장 낮은 상태와 가장 높은 상태가 저장되는 E-PH 포인트를 우선적으로 제거하여 저장하는 m차원 변조기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 오류 정정 회로
11 11
삭제
12 12
제10 항에 있어서, 상기 복호부는상기 m개의 변조 데이터를 인가받아 m차원 복조하여 2k+r비트의 복조 데이터를 출력하는 m차원 복조기; 및상기 복조 데이터를 복호하여 n비트의 출력 데이터를 출력하는 비터비 복호기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 오류 정정 회로
13 13
길쌈 부호기 및 m(m은 자연수)차원 변조기를 구비하는 격자 부호부 및 각각 멀티 레벨을 갖는 복수개의 메모리 셀을 구비하는 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법에 있어서,상기 길쌈 부호기가 n(n은 자연수)비트의 입력 데이터 중 k(k는 n보다 작은 자연수)비트의 제1 입력 데이터를 인가받고, 상기 k비트의 제1 입력 데이터에 r(r은 자연수) 비트의 여분 데이터를 더하여, k+r 비트의 부호화된 입력 데이터를 출력하는 부호화 단계;상기 m차원 변조기가 상기 k+r 비트의 부호화된 입력 데이터와 상기 입력 데이터 중 상기 제1 입력 데이터를 제외한 나머지(n-k) 비트의 제2 입력 데이터를 인가받아 m차원 변조하여 생성되는 m개의 변조 데이터를 m차원 격자 상의 포인트로 재배열하고, 재배열된 상기 격자 상의 포인트에 대응하여 m개의 변조 데이터를 상기 플래시 메모리 장치의 m개의 상기 메모리 셀에 저장하되, 서로 인접한 메모리 셀에 문턱전압이 가장 낮은 상태와 가장 높은 상태가 저장되는 E-PH 포인트를 우선적으로 제거하여 저장하는 격자 변조 단계를 구비하는 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 격자 변조 단계는상기 부호화된 입력 데이터와 상기 제 2입력데이터를 m차원 변조하여 상기 m개의 변조 데이터를 생성하는 단계;상기 m차원 격자를 i(m=2i)개의 2차원 격자 단위로 구분하는 단계;상기 복수개의 2차원 격자에서 하나 또는 그 이상의 상기 E-PH 포인트제거하는 단계;상기 m개의 변조 데이터를 상기 E-PH 포인트가 제거된 상기 m차원 격자의 나머지 포인트에 대응하는 신호 성상에 맵핑하는 단계; 및상기 m개의 변조 데이터를 상기 맵핑된 신호 성상에 따라 상기 m개의 메모리 셀에 저장하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법
15 15
제13 또는 14항 중의 어느 한항에 따른 데이터 입력 방법을 이용하여 데이터를 입력하는 플래시 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술개발사업 대용량 MLC SSD 핵심기술 개발