| 1 |
1
호스트 및 다수의 페이지(page)들을 각각 포함하는 다수의 블록들과, 상기 블록들을 각각 포함하는 다수의 플래인(plane)들, 상기 플래인들을 각각 포함하는 다수의 다이(die)들을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템에 있어서, 제1메모리셀로부터 리드한 제1데이터 및 제2메모리셀의 제2데이터를 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터로 변환하는 제1데이터변환부;상기 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터간의 간섭량을 산출하는 간섭산출부;상기 간섭량 및 상기 제1메모리셀로부터 리드한 제3데이터를 이용하여 상기 제1심볼데이터로부터 간섭을 제거한 제1간섭제거심볼데이터를 산출하는 보상부 및상기 제1간섭제거심볼데이터를 제1간섭제거데이터로 변환하는 제2데이터변환부를 포함하는 메모리 시스템
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1데이터는 상기 제1메모리셀에 저장되어 있는 데이터를 경판정을 통해 리드한 2비트 데이터이며, 상기 제2데이터는 상기 제2메모리셀에 저장되어 데이터를 경판정을 통해 리드한 2비트 데이터를 포함하는 메모리 시스템
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1데이터는,상기 제1메모리 셀 및 상기 제2메모리셀간의 간섭(ICI, Inter-Cell Interference) 및 소정의 잡음(AWGN, Additive White Gaussian Noise)이 포함된 메모리 시스템
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터는,상기 제1데이터 및 제2데이터를 프로그램 상태 타입으로 변환된 메모리 시스템
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 간섭산출부는,상기 제1데이터로부터 전달받은 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터의 프로그램 상태(Program State)를 확인한후, 룩업테이블에서 상기 확인된 프로그램 상태에 따라 간섭량을 산출하는 메모리 시스템
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 룩업테이블은,전 특성 평가를 통해 얻어진 상기 메모리 장치에 포함된 모든 메모리 셀에 대한 프로그램 상태(PV) 및 상기 프로그램 상태(PV)에 따른 보상을 수행하기 위한 간섭량이 저장된 메모리 시스템
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제3데이터는,상기 제1메모리셀에 저장되어 있는 데이터를 연팡정을 통해 리드한 2비트 소프트 데이터로서, 상기 제1데이터를 경판정을 통해 리드할 때 적용된 제1기준전압을 기준으로 제2기준전압 및 제3기준전압을 추가하여, 상기 제2기준전압 및 제3기준전압으로 리드하였을 때 오버랩되는 영역을 나타낸 데이터인 메모리 시스템
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 보상부는,상기 간섭산출부로부터 전달받은 간섭량과 상기 제3데이터를 통해 상기 제1심볼데이터로부터 간섭량을 보상하여 제1간섭제거심볼데이터를 산출하는 메모리 시스템
|
| 9 |
9
호스트 및 다수의 페이지(page)들을 각각 포함하는 다수의 블록들과, 상기 블록들을 각각 포함하는 다수의 플래인(plane)들, 상기 플래인들을 각각 포함하는 다수의 다이(die)들을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법에 있어서, 제1메모리셀로부터 리드한 제1데이터 및 제2메모리셀의 제2데이터를 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터로 변환하는 단계;상기 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터간의 간섭량을 산출하는 단계;상기 간섭량 및 상기 제1메모리셀로부터 리드한 제3데이터를 이용하여 상기 제1심볼데이터로부터 간섭을 제거한 제1간섭제거심볼데이터를 산출하는 단계 및상기 제1간섭제거심볼데이터를 제1간섭제거데이터로 변환하는 단계를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제1데이터는 상기 제1메모리셀에 저장되어 있는 데이터를 경판정을 통해 리드한 2비트 데이터이며, 상기 제2데이터는 상기 제2메모리셀에 저장되어 데이터를 경판정을 통해 리드한 2비트 데이터를 포함하는 메모리 시스템 동작 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 제1데이터는,상기 제1메모리 셀 및 상기 제2메모리셀간의 간섭(ICI, Inter-Cell Interference) 및 소정의 잡음(AWGN, Additive White Gaussian Noise)이 포함된 메모리 시스템 동작 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터는,상기 제1데이터 및 제2데이터를 프로그램 상태 타입으로 변환된 메모리 시스템 동작 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 간섭량을 산출하는 단계에 있어서,상기 제1데이터로부터 전달받은 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터의 프로그램 상태(Program State)를 확인한후, 룩업테이블에서 상기 확인된 프로그램 상태에 따른 간섭량을 산출하는 메모리 시스템 동작 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 룩업테이블은,전 특성 평가를 통해 얻어진 상기 메모리 장치에 포함된 모든 메모리 셀에 대한 프로그램 상태(PV) 및 상기 프로그램 상태(PV)에 따른 보상을 수행하기 위한 간섭량이 저장된 메모리 시스템 동작 방법
|
| 15 |
15
제9항에 있어서,상기 제3데이터는,상기 제1메모리셀에 저장되어 있는 데이터를 연팡정을 통해 리드한 2비트 소프트 데이터로서, 상기 제1데이터를 경판정을 통해 리드할 때 적용된 제1기준전압을 기준으로 제2기준전압 및 제3기준전압을 추가하여, 상기 제2기준전압 및 제3기준전압으로 리드하였을 때 오버랩되는 영역을 나타낸 데이터인 메모리 시스템 동작 방법
|
