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선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015118614
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디스플레이 장치용 선격자 편광판을 제조함에 있어 대면적에 고속으로 균일한 나노미터 크기의 패턴을 형성하기 위한 것으로, 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 제1 절연막 상에 실리콘막과 제2 절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, 제2 절연막 상에 주기 T를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제2 절연막과 실리콘막을 차례대로 식각하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 식각된 실리콘막의 측벽을 산화하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 및 제2 절연막과 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하여 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성방법을 제공한다. 선격자 편광판, 나노패턴, 몰드, 실리콘 산화
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020050106481 (2005.11.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0647513-0000 (2006.11.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.08)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)
2 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0642017-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060961-00
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0663925-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 절연막 상에 실리콘막과 제2 절연막을 순차적으로 적층하는 단계;(c) 상기 제2 절연막 상에 주기 T를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연막과 상기 실리콘막을 차례대로 식각하는 단계;(e) 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(f) 상기 식각된 실리콘막의 측벽을 산화하여 산화막 패턴을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 제2 절연막과 상기 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (f)단계에서는 상기 산화막 패턴이 T/2의 주기를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (f)단계에서 상기 산화막 패턴의 폭은 상기 실리콘막의 측벽이 산화되는 두께 정도에 따라 결정되고, 그 높이는 상기 식각된 실리콘막의 두께 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 제1 절연막은 실리콘 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 실리콘막은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 제2 절연막은 실리콘 질화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 포토레지스트 패턴은 광학적 리소그래피 방식을 이용한 것을 특징으로 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 주기 T는 130nm 내지 360nm 인 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (d)단계에서 상기 실리콘막을 식각하는 단계는 상기 제1 절연막이 외부로 드러나도록 상기 실리콘막을 바닥면까지 식각하여 식각된 실리콘막의 단면이 장방형의 모양을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (d)단계에서 상기 실리콘막을 식각하는 단계는 상기 식각된 실리콘막의 측벽 하부에 테일이 남도록 하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 의해 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.