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1
서로 인접한 제1 라인과 제2 라인;상기 제1 라인을 통해 제1 클록이 수신되고, 제2 라인을 통해 상기 제1 클록과 동일한 위상을 갖는 제2 클록이 수신될 때, 내부클록을 상기 제1 클록에 동기화시켜 락킹하기 위한 동기화부; 및상기 제1 라인을 통해 상기 제1 클록이 수신되고, 상기 제2 라인을 통해 상기 제1 클록과 상반되는 위상을 갖는 제3 클록이 수신될 때, 락킹된 상기 내부클록과 상기 제1 클록과의 위상 차이를 측정하기 위한 측정부를 구비하는 반도체 장치
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2
제1항에 있어서,설정된 주파수를 갖는 상기 내부클록을 생성하기 위한 내부클록 생성부를 더 구비하는 반도체 장치
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3
제2항에 있어서,상기 제1 내지 제3 클록은 상기 내부클록과 동일한 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 동기화부는,상기 제1 클록과 상기 내부클록의 위상을 비교하기 위한 위상 비교부;상기 위상 비교부의 출력신호에 응답하여 상기 내부클록의 위상을 조절하여 위상조절클록을 생성하기 위한 위상 조절부; 및상기 제1 클록과 상기 위상조절클록의 위상 차이가 설정된 위상 차이보다 작을 때, 이를 감지하여 상기 위상 비교부 및 상기 위상 조절부의 동작을 락킹하기 위한 위상 락킹부를 구비하는 반도체 장치
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5
제4항에 있어서,상기 측정부는,상기 위상 락킹부에 의해 상기 위상 조절부의 동작이 락킹된 후, 상기 위상 조절부로부터 출력되는 상기 위상조절클록과 상기 제1클록의 위상 차이를 검출하고, 검출결과에 따라 위상검출신호를 생성하는 위상 검출부; 및제3 라인을 통해 상기 위상검출신호를 출력하기 위한 신호 출력부를 구비하는 반도체 장치
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| 6 |
6
서로 인접한 제1 내지 제3 라인을 통해 연결되어 서로 간에 임의의 신호를 입/출력하는 제1 및 제2 반도체 장치를 포함하는 반도체 시스템에 있어서,제1 동작구간에서 상기 제1 및 제2 라인을 통해 제1 내부클록을 동시에 송신하고, 제2 동작구간에서 상기 제1 및 제2 라인을 통해 상기 제1 내부클록과 그 위상을 반전시킨 클록을 각각 송신하며, 상기 제3 라인을 통해 수신되는 신호에 응답하여 상기 제1 라인의 송신구동력을 조절하는 상기 제1 반도체 장치; 및상기 제1 동작구간에서 제2 내부클록을 상기 제1 라인을 통해 수신된 상기 제1 내부클록에 동기화시켜 락킹하며, 상기 제2 동작구간에서 락킹된 상기 제2 내부클록과 상기 제1 라인을 통해 수신된 상기 제1 내부클록과의 위상 차이를 측정한 결과를 상기 제3 라인을 통해 송신하는 상기 제2 반도체 장치를 구비하는 반도체 시스템
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7
제6항에 있어서,상기 제1 반도체 장치는,설정된 주파수를 갖는 상기 제1 내부클록을 생성하기 위한 제1 내부클록 생성부;상기 제1 및 제2 동작구간에서 상기 제1 라인을 통해 상기 제1 내부클록을 송신하되, 상기 제2 동작구간에서 상기 제3 라인을 통해 수신되는 신호에 응답하여 그 송신구동력이 조절되는 제1 라인 송신부; 및상기 제1 동작구간에서 상기 제2 라인을 통해 상기 제1 내부클록을 송신하고, 상기 제2 동작구간에서 상기 제2 라인을 통해 상기 제1 내부클록의 위상을 반전시킨 클록을 송신하기 위한 제2 라인 송신부를 구비하는 반도체 시스템
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8
제7항에 있어서,상기 제1 라인 송신부는,상기 제1 동작구간에서 설정된 구동력으로 상기 제1 내부클록을 상기 제1 라인에 구동하기 위한 제1 라인 고정구동부; 및상기 제2 동작구간에서 상기 제1 내부클록을 상기 제1 라인에 구동하되, 그 구동력이 상기 제3 라인을 통해 수신되는 신호에 응답하여 그 값이 조절되는 제1 라인 변동구동부를 구비하는 반도체 시스템
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9
제8항에 있어서,상기 제2 라인 송신부는,상기 제1 동작구간에서 설정된 구동력으로 상기 제2 내부클록을 상기 제2 라인에 구동하기 위한 제2 라인 고정구동부; 및상기 제2 동작구간에서 설정된 구동력으로 상기 제2 내부클록의 위상을 반전시킨 클록을 상기 제2 라인에 구동하기 위한 제2 라인 반전구동부를 구비하는 반도체 시스템
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10
제7항에 있어서,상기 제2 반도체 장치는,상기 설정된 주파수를 갖는 상기 제2 내부클록을 생성하기 위한 제2 내부클록 생성부;상기 제1 동작구간에서 상기 제2 내부클록을 상기 제1 라인을 통해 수신되는 상기 제1 내부클록에 동기화시켜 락킹하기 위한 동기화부; 및상기 제2 동작구간에서 락킹된 상기 제2 내부클록과 상기 제1 라인을 통해 수신되는 상기 제1 내부클록의 위상 차이를 측정하고, 그 결과에 따라 값이 조절되는 측정신호를 생성하는 측정부를 구비하는 반도체 시스템
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11
제10항에 있어서,상기 동기화부는,상기 제1 내부클록과 상기 제2 내부클록의 위상을 비교하기 위한 위상 비교부;상기 위상 비교부의 출력신호에 응답하여 상기 제2 내부클록의 위상을 조절하여 위상조절클록을 생성하기 위한 위상 조절부; 및상기 제2 내부클록과 상기 위상조절클록의 위상 차이가 설정된 위상 차이보다 작을 때, 이를 감지하여 상기 위상 비교부 및 상기 위상 조절부의 동작을 락킹하기 위한 위상 락킹부를 구비하는 반도체 시스템
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12
제10항에 있어서,상기 제1 반도체 장치는 초기동작구간에서 상기 제1 내부클록을 설정된 비율로 분주한 제1 동작 동기화클록을 상기 제2 반도체 장치로부터 수신된 제2 동작 동기화클록에 동기화시켜 락킹하고,상기 제2 반도체 장치는 상기 초기동작구간에서 상기 제2 내부클록을 상기 설정된 비율로 분주하여 생성된 상기 제2 동작 동기화클록을 상기 제1 반도체 장치로 전송하는 반도체 시스템
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13
제12항에 있어서,상기 제1 반도체 장치의 상기 초기동작구간에서 상기 제1 동작 동기화클록이 상기 제2 동작 동기화클록에 동기화되어 락킹되는 것에 응답하여 상기 제1 및 제2 라인 송신부가 동작을 시작하면서 상기 제1 동작구간에 진입하고,상기 제2 반도체 장치의 상기 제1 동작구간에서 상기 제2 내부클록이 상기 제1 라인을 통해 수신되는 상기 제1 내부클록에 동기화되어 락킹되는 것에 응답하여 상기 제3 라인을 통해 제2 동작구간 시작신호를 송신한 뒤, 그에 응답하여 상기 제1 및 제2 라인 송신부가 동작을 시작하면서 상기 제2 동작구간에 진입하는 반도체 시스템
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14
제13항에 있어서,상기 제1 반도체 장치의 상기 제2 동작구간에서 상기 제1 동작 동기화클록의 토글링을 기준으로 상기 측정신호에 응답하여 상기 제1 라인 송신부의 송신구동력 조절 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 시스템
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15
제14항에 있어서,상기 제1 반도체 장치는,상기 제1 내부클록을 상기 설정된 비율로 분주하여 상기 제1 동작 동기화클록을 생성하기 제1 동작 동기화클록 생성부;상기 초기동작구간에서 상기 제1 동작 동기화클록과 상기 제2 동작 동기화클록의 위상을 동기화시켜 락킹하기 위해 상기 제1 동작 동기화클록을 가변지연시키는 동작 동기화 지연고정루프; 및상기 동작 동기화 지연고정루프에서 락킹된 상기 제1 동작 동기화클록 및 상기 측정신호에 응답하여 상기 제1 라인 송신부의 송신구동력을 조절하기 위한 구동력 조절부를 더 구비하는 반도체 시스템
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제15항에 있어서,상기 제2 반도체 장치는,상기 제2 내부클록을 상기 설정된 비율로 분주하여 상기 제2 동작 동기화클록을 생성하기 위한 제2 동작 동기화클록 생성부; 및상기 초기동작구간에 진입한 이후 상기 제2 내부클록이 설정된 횟수만큼 토글링하는 동안 상기 제2 동작 동기화클록을 상기 제3 라인으로 송신하고, 상기 제1 동작구간에서 상기 동기화부의 락킹 동작에 대응하는 상기 제2 동작구간 시작신호를 상기 제3 라인으로 송신하며, 상기 제2 동작구간에서 상기 측정신호를 상기 제3 라인으로 송신하는 신호 출력부를 더 구비하는 반도체 시스템
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17
서로 인접한 제1 내지 제3 라인을 통해 연결되어 서로 간에 임의의 신호를 입/출력하는 제1 및 제2 반도체 장치를 포함하는 반도체 시스템의 동작방법에 있어서,상기 제1 반도체 장치에서 생성된 제1 내부클록을 상기 제1 및 제2 라인을 통해 동시에 상기 제2 반도체 장치로 전송하는 제1 전송단계;상기 제2 반도체 장치에서 생성된 제2 내부클록을 상기 제1 전송단계에서 상기 제1 라인을 통해 전송받은 상기 제1 내부클록에 동기화시켜 락킹하는 단계;상기 제1 반도체 장치에서 생성된 상기 제1 내부클록과 그 위상을 반전시킨 클록을 상기 제1 및 제2 라인을 통해 각각 상기 제2 반도체 장치로 전송하는 제2 전송단계;상기 락킹하는 단계의 동작결과 락킹된 상기 제2 내부클록과 상기 제2 전송단계에서 상기 제1 라인을 통해 전송받은 상기 제1 내부클록과의 위상 차이를 측정하고, 그 결과를 상기 제3 라인을 통해 상기 제1 반도체 장치로 전송하는 제3 전송단계;상기 제3 전송단계에서 상기 제3 라인을 통해 전송받은 측정신호에 응답하여 상기 제1 라인을 통해 상기 제2 반도체 장치로 전송되는 신호의 구동력을 조절하는 단계를 포함하는 반도체 시스템의 동작방법
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제17항에 있어서,상기 제1 내부클록과 제2 내부클록은 동일한 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 시스템의 동작방법
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제18항에 있어서,상기 제1 전송단계 이전에 상기 제1 반도체 장치에서 상기 제1 내부클록의 주파수를 설정된 비율로 분주하여 생성된 제1 동작 동기화클록을 상기 제2 반도체 장치로부터 전송된 제2 동작 동기화클록에 동기화시켜 락킹하는 초기락킹단계;상기 초기락킹단계 이전에 상기 제2 반도체 장치에서 상기 제2 내부클록의 주파수를 상기 설정된 비율로 분주하여 생성된 상기 제2 동작 동기화클록을 상기 제3 라인을 통해 상기 제1 반도체 장치로 전송하는 제4 전송단계; 및상기 초기락킹단계에서 상기 제1 동작 동기화클록과 상기 제2 동작 동기화클록이 동기화되어 락킹되는 것에 응답하여 상기 제1 전송단계에 진입하는 단계를 더 포함하는 반도체 시스템의 동작방법
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20
제19항에 있어서,상기 제1 동작 동기화클록의 토글링을 기준으로 상기 구동력을 조절하는 단계의 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 시스템의 동작방법
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