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반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버

  • 기술번호 : KST2015141312
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버는, 입력 데이터를 구동하여 출력 데이터로서 출력하는 데이터 구동부, 풀업 제어 신호의 제어에 따라 외부 공급전원을 상기 데이터 구동부에 공급하는 풀업부, 풀다운 제어 신호의 제어에 따라 그라운드 전압을 상기 데이터 구동부에 공급하는 풀다운부 및 상기 입력 데이터의 전위에 따라 상기 외부 공급전원 또는 상기 그라운드 전압을 상기 데이터 구동부에 공급하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.반도체 메모리 장치, 데이터 출력 드라이버, 면적 마진
Int. CL G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) H03K 19/0175 (2006.01.01)
CPC G11C 7/1051(2013.01) G11C 7/1051(2013.01) G11C 7/1051(2013.01)
출원번호/일자 1020060088737 (2006.09.13)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0024411 (2008.03.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정준 대한민국 서울 도봉구
2 유창식 대한민국 경기 구리시
3 이재진 대한민국 경기 이천시 대월면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0662543-28
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081047-81
3 보정요구서
Request for Amendment
2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0009842-88
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-5006809-12
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0758406-83
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0766008-38
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0125721-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 데이터를 구동하여 출력 데이터로서 출력하는 데이터 구동부;풀업 제어 신호의 제어에 따라 외부 공급전원을 상기 데이터 구동부에 공급하는 풀업부;풀다운 제어 신호의 제어에 따라 그라운드 전압을 상기 데이터 구동부에 공급하는 풀다운부; 및상기 입력 데이터의 전위에 따라 상기 외부 공급전원 또는 상기 그라운드 전압을 상기 데이터 구동부에 공급하는 전원 공급부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버
2 2
제 1 항에 있어서,상기 데이터 구동부는,게이트 단에 상기 입력 데이터가 인가되고 소스 단에 상기 풀업부로부터 공급되는 전원이 인가되며 드레인 단이 출력 노드에 연결되는 제 1 트랜지스터; 및게이트 단에 상기 입력 데이터가 인가되고 소스 단에 상기 풀다운부로부터 공급되는 전원이 인가되며 드레인 단이 상기 출력 노드에 연결되는 제 2 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버
3 3
제 1 항에 있어서,상기 풀업부는 게이트 단에 상기 풀업 제어 신호가 입력되고 소스 단에 상기 외부 공급전원이 인가되며 드레인 단이 상기 데이터 구동부와 연결되는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버
4 4
제 1 항에 있어서,상기 풀다운부는 게이트 단에 상기 풀다운 제어 신호가 입력되고 소스 단에 상기 그라운드 전압이 인가되며 드레인 단이 상기 데이터 구동부와 연결되는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버
5 5
제 2 항에 있어서,상기 전원 공급부는,게이트 단에 상기 입력 데이터가 인가되고 소스 단에 상기 외부 공급전원이 인가되며 드레인 단이 상기 출력 노드에 연결되는 제 3 트랜지스터; 및게이트 단에 상기 입력 데이터가 인가되고 소스 단에 상기 그라운드 전압이 인가되며 드레인 단이 상기 출력 노드에 연결되는 제 4 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.