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독출 오류를 방지하는 비휘발성 메모리의 제어 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015142593
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리의 셀들의 문턱 전압 분포가 획득되고, 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압이 변경됨으로써 비휘발성 메모리에 기입된 데이터의 독출 시 독출 오류를 방지할 수 있는 비휘발성 메모리의 제어 방법 및 장치가 제공된다.독출 오류의 발생이 사전에 방지됨으로써, 비휘발성 메모리에 기입된 데이터의 독출 시 독출 오류의 발생에 따른 반복적인 데이터의 독출에 의한 딜레이가 발생되지 않을 수 있고, 비휘발성 메모리의 기대 수명을 늘릴 수 있다.
Int. CL G11C 16/26 (2006.01)
CPC G11C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020140008961 (2014.01.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1611019-0000 (2016.04.04)
공개번호/일자 10-2015-0088528 (2015.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20160408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.24)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강수용 대한민국 경기도 의왕시 덕장로
2 원유집 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 차재혁 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 윤성로 대한민국 서울특별시 관악구
5 이명현 대한민국 서울특별시 서초구
6 최종무 대한민국 경기도 용인시 수지구
7 이세일 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0077057-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0057579-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0823390-39
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0098274-22
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0202362-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0202363-51
10 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2015.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0058686-17
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0640428-28
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-1081440-42
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1081448-17
14 등록결정서
Decision to grant
2016.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0235004-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 기준 전압을 설정하는 단계는,상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하여 상기 식별된 교점을 이용하여 상기 기준 전압을 설정하는 비휘발성 메모리 제어 방법
2 2
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계 중 적어도 하나는 상기 비휘발성 메모리의 유휴 시간(idle time)에 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 셀들에 기입된 상기 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계를 더 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
4 4
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 독출 오류의 발생 빈도와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 발생 빈도가 소정의 값 이상인 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출되는 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
6 6
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출된 빈도가 소정의 값 이상인 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
7 7
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출되는 경우 수행되고,상기 소정의 크기는 상기 ECC, 상기 오류 정정 능력, 상기 ECC의 오류 검출 능력, 상기 비휘발성 메모리의 사용자의 입력, 상기 데이터의 크기, 상기 데이터의 중요도 및 상기 데이터의 속성 중 적어도 하나에 기반하여 결정되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계는상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 소정의 값만큼 변경하는 단계;상기 변경된 기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계;상기 독출된 데이터의 데이터 비트 값 및 상기 변경된 기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 셀들의 문턱 전압들을 획득하는 단계; 및상기 획득된 문턱 전압들에 기반하여 상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 기준 전압을 설정하는 단계는상기 문턱 전압 분포에 기반하여 최적 기준 전압을 계산하는 단계; 및상기 최적 기준 전압에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 적어도 하나의 파라미터를 변경함으로써 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
10 10
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 기준 전압을 설정하는 단계는상기 문턱 전압 분포에 기반하여 최적 기준 전압을 계산하는 단계; 및상기 최적 기준 전압에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 적어도 하나의 파라미터를 변경함으로써 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는 단계를 포함하고,상기 최적 기준 전압을 계산하는 단계는상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하는 단계; 및상기 식별된 교점에 대응하는 전압 값을 상기 최적 기준 전압으로서 결정하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
11 11
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계는 소정의 시간 간격으로 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
12 12
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 데이터의 독출 횟수가 소정의 값 이상이 될 때마다 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 셀들의 각 셀은 2개 이상의 비트들을 저장하고,상기 기준 전압은 복수이고,상기 복수의 기준 전압들은 상기 2 개 이상의 비트들의 데이터 비트 값들을 구분하기 위해 사용되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 문턱 전압 분포에 기반하여 복수의 기준 전압들을 상기 기준 전압들의 각각의 크기에 기반하여 순차적으로 설정하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 멀티 레벨 셀(Multi Level Cell; MLC)의 플래시 메모리이고,상기 기준 전압은 복수이고,상기 MLC가 나타내는 값들은 상기 복수의 기준 전압들에 의해 구분되는 복수의 구간들에 각각 대응하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
16 16
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법을 수행하는 프로그램을 수록한 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
17 17
하나 이상의 셀들을 포함하는 비휘발성 메모리; 및상기 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하고, 상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하고, 상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 제어부를 포함하되,상기 제어부는,상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하여 상기 식별된 교점을 이용하여 상기 기준 전압을 설정하는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 기술혁신사업/산업융합원천기술개발사업/전자정보디바이스산업원천기술개발사업 대용량 MLC SSD 핵심기술 개발