1 |
1
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 기준 전압을 설정하는 단계는,상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하여 상기 식별된 교점을 이용하여 상기 기준 전압을 설정하는 비휘발성 메모리 제어 방법
|
2 |
2
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계 중 적어도 하나는 상기 비휘발성 메모리의 유휴 시간(idle time)에 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 셀들에 기입된 상기 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계를 더 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
4 |
4
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 독출 오류의 발생 빈도와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 발생 빈도가 소정의 값 이상인 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
5 |
5
제3항에 있어서,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출되는 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
6 |
6
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출된 빈도가 소정의 값 이상인 경우 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
7 |
7
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 셀들에 기입된 데이터에 대한 독출 오류와 관련된 정보를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 상기 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 정보는상기 데이터의 독출 시 오류 정정 부호(Error Correction Code; ECC)에 의해 검출된 독출 오류와 관련된 정보를 포함하고,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 정보에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하며, 상기 ECC에 의해 상기 ECC의 오류 정정 능력의 범위 내의 소정의 크기의 독출 오류가 검출되는 경우 수행되고,상기 소정의 크기는 상기 ECC, 상기 오류 정정 능력, 상기 ECC의 오류 검출 능력, 상기 비휘발성 메모리의 사용자의 입력, 상기 데이터의 크기, 상기 데이터의 중요도 및 상기 데이터의 속성 중 적어도 하나에 기반하여 결정되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계는상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 소정의 값만큼 변경하는 단계;상기 변경된 기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계;상기 독출된 데이터의 데이터 비트 값 및 상기 변경된 기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 셀들의 문턱 전압들을 획득하는 단계; 및상기 획득된 문턱 전압들에 기반하여 상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 기준 전압을 설정하는 단계는상기 문턱 전압 분포에 기반하여 최적 기준 전압을 계산하는 단계; 및상기 최적 기준 전압에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 적어도 하나의 파라미터를 변경함으로써 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
10 |
10
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 기준 전압을 설정하는 단계는상기 문턱 전압 분포에 기반하여 최적 기준 전압을 계산하는 단계; 및상기 최적 기준 전압에 기반하여 상기 비휘발성 메모리의 적어도 하나의 파라미터를 변경함으로써 상기 비휘발성 메모리의 기 설정된 기준 전압을 변경하는 단계를 포함하고,상기 최적 기준 전압을 계산하는 단계는상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하는 단계; 및상기 식별된 교점에 대응하는 전압 값을 상기 최적 기준 전압으로서 결정하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
11 |
11
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계는 소정의 시간 간격으로 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
12 |
12
비휘발성 메모리의 하나 이상의 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하는 단계;상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하는 단계; 및상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 단계를 포함하되,상기 문턱 전압 분포를 획득하는 단계 및 상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 데이터의 독출 횟수가 소정의 값 이상이 될 때마다 수행되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
13 |
13
제1항에 있어서,상기 셀들의 각 셀은 2개 이상의 비트들을 저장하고,상기 기준 전압은 복수이고,상기 복수의 기준 전압들은 상기 2 개 이상의 비트들의 데이터 비트 값들을 구분하기 위해 사용되는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
14 |
14
제1항에 있어서,상기 기준 전압을 설정하는 단계는 상기 문턱 전압 분포에 기반하여 복수의 기준 전압들을 상기 기준 전압들의 각각의 크기에 기반하여 순차적으로 설정하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
15 |
15
제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 멀티 레벨 셀(Multi Level Cell; MLC)의 플래시 메모리이고,상기 기준 전압은 복수이고,상기 MLC가 나타내는 값들은 상기 복수의 기준 전압들에 의해 구분되는 복수의 구간들에 각각 대응하는, 비휘발성 메모리 제어 방법
|
16 |
16
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법을 수행하는 프로그램을 수록한 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
|
17 |
17
하나 이상의 셀들을 포함하는 비휘발성 메모리; 및상기 셀들의 문턱 전압 분포를 획득하고, 상기 획득된 문턱 전압 분포에 기반하여 상기 셀들에 기입된 데이터의 독출을 위해 사용되는 기준 전압을 설정하고, 상기 설정된 기준 전압에 기반하여 상기 데이터를 독출하는 제어부를 포함하되,상기 제어부는,상기 문턱 전압 분포의 복수의 문턱 전압 분포 곡선들 중 인접한 문턱 전압 분포 곡선들 간의 교점을 식별하여 상기 식별된 교점을 이용하여 상기 기준 전압을 설정하는 전자 장치
|