요약 | 본 발명은 비휘발성 기억 장치 및 그 비휘발성 기억 장치의 쓰기 방법을 제공한다. 이 기억 장치는 저항 소자와 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀, 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인, 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인, 및 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인을 포함하되, 저항소자의 저항 상태는 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 어레이를 이룬다.저항 메모리, 폴리머 메모리, 셀 어레이 |
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Int. CL | G11C 16/10 (2006.01.01) G11C 5/06 (2006.01.01) G11C 16/24 (2006.01.01) G11C 16/08 (2006.01.01) G11C 16/26 (2006.01.01) G11C 7/18 (2006.01.01) |
CPC | G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070128250 (2007.12.11) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0833327-0000 (2008.05.22) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20080528) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.12.11) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이상선 | 대한민국 | 서울 강동구 |
2 | 김정하 | 대한민국 | 서울 성동구 |
3 | 최승혁 | 대한민국 | 전남 여수시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0889716-77 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2008.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0051701-51 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0107638-65 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0195879-01 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.03.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0195896-77 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0258138-45 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 저항 소자와 상기 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인;상기 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 접지회로를 포함하되,메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 어레이를 이루고,행 방향의 메모리 셀들은 행 방향으로 진행하는 상기 하부 비트라인에 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
2 |
2 제1 항에 있어서,상기 접지회로는 쓰기 동작시 상기 하부 비트라인을 접지시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
3 |
3 제1 항에 있어서,상기 상부 비트라인에 상기 저항소자의 타단이 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
4 |
4 제1 항에 있어서,상기 하부 비트라인에 연결된 센스앰프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
5 |
5 제1 항에 있어서,상기 하부 비트라인에 연결된 센스앰프를 더 포함하되,상시 센스앰프 및 상기 접지회로는 상기 하부 비트라인 마다 구비되는 것을 특징으로 비휘발성 기억 장치 |
6 |
6 제1 항에 있어서,상기 메모리 셀은 폴리머 셀, 자기저항 메모리 셀, 상전이 메모리 셀 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
7 |
7 제1 항에 있어서,상기 비휘발성 기억 장치는 상기 상부 비트라인에 연결된 X-디코더; 및상기 X-디코더에 전압을 공급하는 전압 발생회로를 더 포함하되, 상기 X-디코더는 상기 전압 발생회로에서 생성된 전압을 상기 메모리 셀의 상기 상부 비트라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
8 |
8 제7 항에 있어서,상기 X-디코더가 상기 상부 비트라인에 전압을 인가하고, 상기 접지회로가 선택되어, 상기 상부 비트라인, 상기 메모리 셀, 상기 하부 비트라인, 및 상기 접지회로의 경로를 통하여 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
9 |
9 제7 항에 있어서,상기 저항 소자의 저항 상태는 상기 X-디코더가 상기 상부 비트라인에 인가하는 전압에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치 |
10 |
10 비휘발성 기억소자의 쓰기 방법에 있어서,비휘발성 기억 장치는저항 소자와 상기 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인;상기 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 접지회로를 포함하되,메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 어레이를 이루고,행 방향의 메모리 셀들은 행 방향으로 진행하는 상기 하부 비트라인에 공통 접속되되,상기 비휘발성 기억 장치의 쓰기 방법은선택된 메모리 셀에 연결된 워드라인에 제1 전압을 인가하는 단계; 상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상부 비트라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상기 하부 비트라인을 접지시키는 단계를 포함하는 쓰기 방법 |
11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상부 비트라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는상기 프로그램 전압에 의해 상기 저항 소자의 저항 상태가 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 쓰기 방법 |
12 |
12 제 11항에 있어서,상기 프로그램 전압은 적어도 2개의 전압 상태를 가지되,각각의 전압 상태에 따라 상기 저항 소자의 저항 상태가 변경되는 것을 특징으로 하는 쓰기 방법 |
13 |
13 비휘발성 기억소자의 쓰기 방법에 있어서,비휘발성 기억 장치는저항 소자와 상기 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인;상기 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 접지회로를 포함하되,메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 어레이를 이루고,행 방향의 메모리 셀들은 행 방향으로 진행하는 상기 하부 비트라인에 공통 접속되되,상기 비휘발성 기억 장치의 쓰기 방법은선택된 메모리 셀들에 연결된 워드라인에 제1 전압을 인가하는 단계; 상기 선택된 메모리 셀들에 연결된 상부 비트라인들에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및상기 선택된 메모리 셀들에 연결된 상기 하부 비트라인을 접지시키는 단계를 포함하는 쓰기 방법 |
14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 선택된 메모리 셀들에 연결된 상기 하부 비트라인을 접지시키는 단계는상기 접지회로는 상기 하부 비트라인들 마다 구비되고, 각각의 상기 접지회로는 상기 하부 비트라인을 접지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰기 방법 |
15 |
15 제 13 항에 있어서,상기 선택된 메모리 셀들에 연결된 상기 하부 비트라인을 접지시키는 단계는상기 접지회로는 복수의 상기 하부 비트라인들에 연결되고,상기 접지회로는 상기 하부 비트라인들을 접지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰기 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 산업자원부 | 한양대학교 | 차세대 비휘발성 메모리 개발사업 | 64Gb급 PoRAM용 신재료 소자, 공정설계 원천기술개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-0833327-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20071211 출원 번호 : 1020070128250 공고 연월일 : 20080528 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080514 청구범위의 항수 : 15 유별 : G11C 16/24 발명의 명칭 : 비휘발성 기억 장치 및 그 쓰기 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 370,500 원 | 2008년 05월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2012년 04월 06일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2013년 04월 10일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2014년 04월 01일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2015년 04월 06일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2016년 04월 18일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,065,000 원 | 2017년 04월 03일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 532,500 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 532,500 원 | 2019년 04월 15일 | 납입 |
제 13 년분 | 금 액 | 592,500 원 | 2020년 03월 30일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0889716-77 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2008.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0051701-51 |
3 | 의견제출통지서 | 2008.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0107638-65 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0195879-01 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.03.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0195896-77 |
7 | 등록결정서 | 2008.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0258138-45 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345071018 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1612 |
연구과제명 | 수요지향적정보기술전문인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415077324 |
---|---|
세부과제번호 | 10029907 |
연구과제명 | 차세대비휘발성메모리(테라비트급NFGM,PoRAM,ReRAM)개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200708~200907 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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