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기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 셀 스트링들-상기 셀 스트링들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서,상기 셀 스트링들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 상기 음의 값의 전압이 인가되고 상기 선택된 워드 라인에 상기 프로그램 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 선택된 셀 스트링에 포함되는 상기 수직 채널 패턴에 채널을 형성함으로써 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압을 인가하는 단계는, 상기 선택된 워드 라인 및 선택된 셀 스트링의 비트 라인 사이의 전압이 상기 선택된 셀 스트링에 포함되는 상기 수직 채널 패턴에 직접적으로 전달되도록 상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압을 인가하는 단계는, 상기 3차원 플래시 메모리가 상기 프로그램 동작을 제외한 다른 동작을 수행할 때 사용되는 음의 값의 전압을 생성하는 회로로부터 발생된 상기 음의 값의 전압을 상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 나머지 비선택된 워드 라인들 각각에 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 수직 채널 패턴이 상기 수직 채널 패턴에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트를 포함하는 경우, 상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 나머지 비선택된 워드 라인들 각각을 플로팅(Floating)시키는 단계; 및 상기 백 게이트에 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제5항에 있어서,상기 비선택된 워드 라인들 각각을 플로팅시키는 단계는, 상기 비선택된 워드 라인들 각각이 플로팅됨에 따라, 상기 비선택된 워드 라인들에 상기 패스 전압이 인가됨에 의한 방해(Disturb) 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 수직 채널 패턴이 상기 수직 채널 패턴에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트를 포함하는 경우, 상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 나머지 비선택된 워드 라인들 각각에 접지 전압을 인가하는 단계; 및 상기 백 게이트에 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 비선택된 워드 라인들 각각을 플로팅시키는 단계는, 상기 비선택된 워드 라인들 각각에 상기 접지 전압이 인가됨에 따라, 상기 비선택된 워드 라인들에 상기 패스 전압이 인가됨에 의한 방해 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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3차원 플래시 메모리에 있어서,기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 셀 스트링들-상기 셀 스트링들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 3차원 플래시 메모리는, 프로그램 동작 시 상기 셀 스트링들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압이 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 셀 스트링들-상기 셀 스트링들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성하며, 상기 수직 채널 패턴은 상기 수직 채널 패턴에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트를 포함함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 판독 동작 방법에 있어서,상기 셀 스트링들 중 상기 판독 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 접지 전압보다 높은 제1 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 검증 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 나머지 비선택된 워드 라인들 각각에 판독 전압을 인가하는 단계; 상기 백 게이트에 양의 값의 전압을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 제1 전압이 인가되고 상기 선택된 워드 라인에 상기 검증 전압이 인가되며 상기 비선택된 워드 라인들 각각에 패스 전압이 인가되고 상기 백 게이트에 상기 양의 값의 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 판독 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 판독 동작 방법
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제10항에 있어서,상기 백 게이트에 양의 값의 전압을 인가하는 단계는, 상기 3차원 플래시 메모리에서의 셀 전류를 개선하기 위해, 상기 양의 값의 전압을 상기 백 게이트에 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 판독 동작 방법
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