| 1 |
1
그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는 그래핀의 원자층 식각 방법으로서,상기 반응성 라디칼은 플라즈마에 의해 생성되는 것을 포함하는 것이고,상기 에너지원은 중성빔, 이온빔, 레이저, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이며,상기 중성빔은 비반응성 기체를 함유하는 중성빔을 포함하는 것인,그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 원자층 식각 방법은 2 회 이상 반복 수행되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 중첩된 복수 층의 그래핀 박막을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 원자층 식각 방법을 1 회 수행함으로써 상기 그래핀에 포함된 그래핀 박막의 단수 층을 식각하는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마는, O 계열 가스 플라즈마, F 계열 가스 플라즈마, H 계열 가스 플라즈마, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 반응성 라디칼은 O 라디칼, F 라디칼, H 라디칼, O2 라디칼, OH 라디칼, N 라디칼, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 반응성 라디칼을 흡착시키는 것 이후에 잔여 반응성 라디칼을 제거하는 것을 추가 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 중성빔은, He, Ar, N2, Ne, Xe, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기체를 함유하는 중성빔을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 에너지원을 조사하는 것 이후에 상기 에너지원을 조사함으로써 발생된 식각 부산물을 제거하는 것을 추가 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 식각 부산물을 제거하는 것 이후에 상기 그래핀을 열처리하는 것을 추가 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 열처리는 어닐링 공정에 의해 수행되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 원자층 식각 방법
|
