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고밀도 탄소나노튜브 제조장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015142870
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 탄소나노튜브 제조장치 및 방법에 관한 것으로서, 기판을 지지하는 지지수단, 상기 지지수단이 설치된 진공 챔버, 상기 지지수단을 진공 챔버 내에 고정시키는 지그, 가스공급라인, 냉각라인, 텅스텐 필라멘트, 가스분배기 및 가스제어수단을 구비한 탄소나노튜브 제조장치에 있어서, 플라즈마 생성을 위한 복수개의 전자석 파워와 상기 전자석 파워에 연결된 복수개의 흑연(graphite) 타겟을 구비하고, 비대칭 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 상기 흑연 타겟으로 상기 기판 위에 촉매층을 형성하는 촉매형성수단을 포함하고, 상기 촉매층은 전도성 비정질 탄소박막인 것을 특징으로 하는 장치와 그 제조방법을 제공함으로써, 전도성 비정질 탄소박막을 촉매로 이용하여 도전 특성을 유지하면서 불순물의 삽입을 방지하는 고밀도의 탄소나노튜브를 제공하며, 비정질 탄소박막이 지니고 있는 높은 강도, 내식성, 내산화성 등의 물리적 특성을 가지도록 하여 전기적, 화학적 및 기계적 특성이 향상되도록 하고, 탄소나노튜브의 공정 다변화를 통해 대량생산이 가능하도록 하는 효과가 있다.탄소나노튜브, 전도성 비정질 탄소박막, 촉매
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020070009921 (2007.01.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0850499-0000 (2008.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.31)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기 화성시
2 박용섭 대한민국 경기 수원시 장안구
3 김정태 대한민국 경기 수원시 장안구
4 최은창 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0094989-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0068973-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0698801-72
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0140438-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0219671-64
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0219675-46
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0393456-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 지지하는 지지수단, 상기 지지수단이 설치된 진공 챔버, 상기 지지수단을 진공 챔버 내에 고정시키는 지그, 가스공급라인, 냉각라인, 텅스텐 필라멘트, 가스분배기 및 가스제어수단을 구비한 탄소나노튜브 제조장치에 있어서, 플라즈마 생성을 위한 복수개의 전자석 파워와 상기 전자석 파워에 연결된 복수개의 흑연(graphite) 타겟을 구비하고, 비대칭 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 상기 흑연 타겟으로 상기 기판 위에 촉매층을 형성하는 촉매형성수단을 포함하고, 상기 촉매층은 전도성 비정질 탄소박막인 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 시에 사용되는 스퍼터 가스로 아르곤 가스(Ar)를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 촉매형성수단은 수소를 포함하지 않는 전도성 비정질 탄소 박막 형태로 촉매층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 촉매층 형성은 150℃에서 실행되는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
5 5
제3항에 있어서, 상기 촉매층은 150 nm의 두께를 가지고, 도핑없이 2
6 6
제5항에 있어서, 상기 비저항 특성은 3 mTorr의 증착압력에서 300V의 음의 직류 바이어스 전압을 인가하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
7 7
삭제
8 8
기판을 지지하는 지지수단, 상기 지지수단이 설치된 진공 챔버, 상기 지지수단을 진공 챔버 내에 고정시키는 지그, 가스공급라인, 냉각라인 및 가스공급수단을 구비한 탄소나노튜브 제조장치에 있어서, 플라즈마 생성을 위한 복수개의 전자석 파워와 상기 전자석 파워에 연결된 복수개의 흑연(graphite) 타겟을 구비하고, 비대칭 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 상기 흑연 타겟으로 상기 기판 위에 전도성 비정질 탄소박막으로 된 촉매층을 형성하는 촉매형성수단과, 상기 진공 챔버 내의 기판에 열을 인가하는 텅스텐 필라멘트를 포함하되,상기 가스공급수단은 상기 진공 챔버 내로 가스를 균일하게 분배하여 주는 가스분배기와 탄소나노튜브 성장 시 암모니아 가스(NH3) 및 아세틸렌 가스(C2H2)를 순차적으로 주입하도록 제어하는 가스제어수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 텅스텐 필라멘트로 DC 전원을 공급하는 제1 전원공급수단 및 상기 가스분배기 및 지지수단에 DC 전원을 공급하여 플라즈마를 발생하도록 하는 제2 전원공급수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
10 10
제8항에 있어서, 상기 가스공급수단은 암모니아 가스(NH3)를 126 sccm 주입하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
11 11
제9항에 있어서, 상기 제2 전원공급수단은 임의의 직류 바이어스를 인가한 플라즈마 전처리(Pretreatment)를 소정 시간 동안 시행하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
12 12
제11항에 있어서, 상기 제2 전원공급수단으로부터 인가되는 임의의 직류 바이어스는 700V이고, 상기 플라즈마 전처리를 10분간 실행하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
13 13
제8항에 있어서, 상기 가스공급수단은 반응가스로 아세틸렌 가스(C2H2)를 47 sccm 주입하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
14 14
제8항 또는 제13항에 있어서, 상기 가스공급수단은 아세틸렌 가스(C2H2) 주입 후에 1
15 15
제8항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장은 600 ℃에서 실행되는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조장치
16 16
탄소나노튜브 제조방법에 있어서, 비대칭 마그네트론 스퍼터링(CFUBM sputtering) 방식을 통하여 촉매층을 형성하는 단계 및 상기 형성된 촉매층을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하되,상기 촉매층은 전도성 비정질 탄소박막인 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
17 17
삭제
18 18
제16항에 있어서, 상기 스퍼터링 시에 사용되는 스퍼터 가스로 아르곤 가스(Ar)를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 촉매층을 형성하는 단계는 수소(H)를 포함하지 않는 전도성 비정질 탄소 박막의 형태로 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
20 20
제16항 또는 제19항에 있어서, 상기 촉매층 형성은 150℃에서 실행되는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
21 21
제16항 또는 제19항에 있어서, 상기 전도성 비정질 탄소박막은 스퍼터 가스를 주입한 후 음의 직류 바이어스를 인가할 경우, 150 nm의 두께를 가지고 도핑없이 2
22 22
제21항에 있어서, 상기 비저항 특성은 3 mTorr의 증착압력에서 300V의 음의 직류 바이어스 전압을 인가하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
23 23
삭제
24 24
탄소나노튜브 제조방법에 있어서, 비대칭 마그네트론 스퍼터링(CFUBM sputtering) 방식을 통하여 형성한 전도성 비정질 탄소박막으로 된 촉매층을 이용하여 열 필라멘트 플라즈마 화학 기상 증착법(Hot Filament Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, HF-PECVD)으로 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장 시 암모니아 가스(NH3)를 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
26 26
제25항에 있어서, 상기 암모니아 가스(NH3)는 126 sccm을 주입하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
27 27
제25항에 있어서, 상기 암모니아 가스 주입 시 임의의 직류 바이어스를 인가한 플라즈마 전처리(Pretreatment)를 소정 시간 시행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 임의의 직류 바이어스는 700V이고, 상기 플라즈마 전처리를 10분간 실행하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
29 29
제27항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장시 플라즈마 전처리 시행 후에, 반응가스인 아세틸렌 가스(C2H2)를 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 아세틸렌 가스(C2H2)는 47 sccm을 주입하는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
31 31
제29항에 있어서, 상기 아세틸렌 가스(C2H2) 주입 후에 1
32 32
제24항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장은 600 ℃에서 실행되는 것을 특징으로 하는 고밀도 탄소나노튜브 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.