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게이트 전극;게이트 전극 상에 제공된 정보 저장층; 및상기 정보 저장층 상에 제공되며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 정보 저장층은 이종 인터페이스(hetero interface)를 이루며 각각의 유전율이 서로 다른 3개의 층들로 이루어지며, 상기 층들은 상기 게이트 전극 상에 순차적으로 적층되며 각각이 서로 다른 유전 상수를 갖는 게이트 절연막, 층간막, 및 유기 반도체막이고, 상기 층간막의 유전 상수는 상기 게이트 절연막의 유전 상수 및 상기 유기 반도체막의 유전 상수보다 큰 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 층간막의 유전 상수는 12 내지 16이며, 상기 게이트 절연막 및 상기 유기 반도체막의 유전 상수는 각각 1 내지 5인 비휘발성 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 층간막은 자가 도핑된 고분자 또는 폴리아세틸렌 유도체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 층간막은 자가 도핑된 아닐린 유도체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제6항에 있어서,상기 층간막은 자가 도핑된 폴리(오르토-안트라닐린 산)인 비휘발성 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유기 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀-메틸레이티드 멜라민 코포름알데히드, 폴리스티렌, 폴리(α-메틸스티렌), 폴리(2-비닐 나프탈렌), 폴리(4-비닐 페놀), 폴리(2-비닐피리딘) 폴리(메틸메타크릴레이트), 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 유기 반도체막은 유기 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체막은 폴리(3-헥실티오펜), 폴리벤조티아디아졸, 폴리시클로펜타디티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌), 폴리트리아릴아민, 폴리인다세노디티오펜, 폴리(페릴렌 디이미드-티에노-디티오펜), 폴리(나프탈렌디카르복시미드), 폴리(3,3-디도데실쿼터티오펜), 및 폴리(2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜) 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 제공되며 제1 유전 상수를 갖는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 제공되며 제2 유전 상수를 갖는 유기 반도체막;상기 게이트 절연막과 상기 유기 반도체막 사이에 제공되며 제3 유전 상수를 갖는 층간막; 및상기 유기 반도체막 상에 제공된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 제3 유전 상수는 상기 제1 유전 상수 및 상기 제2 유전 상수보다 큰 비휘발성 메모리 소자
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제12항에 있어서,상기 제1 유전 상수 및 상기 제2 유전 상수는 각각 1 내지 5이며, 상기 제3 유전 상수는 12 내지 16인 비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에, 그 내부에 유전 상수가 서로 다른 이종 인터페이스를 가지는 정보 저장층을 형성하는 단계; 및상기 정보 저장층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 정보 저장층은 각각이 서로 다른 유전 상수를 가지는 게이트 절연막, 층간막, 및 유기 반도체막을 순차적으로 형성되며, 상기 층간막의 유전 상수는 상기 게이트 절연막의 유전 상수 및 상기 유기 반도체막의 유전 상수보다 큰 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 층간막의 유전 상수는 12 내지 16이며, 상기 게이트 절연막 및 상기 유기 반도체막의 유전 상수는 각각 1 내지 5인 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 층간막은 자가 도핑된 고분자 또는 폴리아세틸렌 유도체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀-메틸레이티드 멜라민 코포름알데히드, 폴리스티렌, 폴리(α-메틸스티렌), 폴리(2-비닐 나프탈렌), 폴리(4-비닐 페놀), 폴리(2-비닐피리딘) 폴리(메틸메타크릴레이트), 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 유기 반도체막은 폴리(3-헥실티오펜), 폴리벤조티아디아졸, 폴리시클로펜타디티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌), 폴리트리아릴아민, 폴리인다세노디티오펜, 폴리(페릴렌 디이미드-티에노-디티오펜), 폴리(나프탈렌디카르복시미드), 폴리(3,3-디도데실쿼터티오펜), 및 폴리(2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜) 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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