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단위 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 셀 어레이

  • 기술번호 : KST2015162398
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단위 메모리 셀은 고 문턱 전압 트랜지스터 및 정상 문턱 전압 트랜지스터를 포함한다. 고 문턱 전압 트랜지스터는 기입 비트라인과 연결되어 기입 데이터를 전달받는 제1 노드, 데이터 노드와 연결되어 기입 데이터를 전달하는 제2 노드, 기입 워드라인에 연결되는 게이트 노드 및 전압 레벨이 조절되는 바디 바이어스 전압 노드를 포함한다. 정상 문턱 전압 트랜지스터는 독출 비트라인과 연결되어 독출 전류를 전달받는 제1 노드, 독출 워드라인과 연결되어 독출 전류를 전달하는 제2 노드, 데이터 노드와 연결되는 게이트 노드 및 전압 레벨이 조절되는 바디 바이어스 전압 노드를 포함한다. 단위 메모리 셀에 따르면 트랜지스터의 문턱 전압 및 바디 바이어스 전압을 조절하여 트랜지스터의 누설 전류를 줄이고 리텐션 타임을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 27/115(2013.01)
출원번호/일자 1020140002697 (2014.01.09)
출원인 삼성전자주식회사, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0083207 (2015.07.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수아 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정연배 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 청웨이지에 중국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0022254-71
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0009119-58
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0053741-10
4 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0018286-75
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0115477-04
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1242501-20
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0033662-80
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0866128-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0062433-71
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0062464-86
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0363738-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0781694-90
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0781637-08
17 등록결정서
Decision to grant
2020.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0766635-56
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기입 데이터를 전달받는 기입 비트라인과 데이터 노드 사이에 연결되고, 게이트가 기입 워드라인에 연결된 고 문턱 전압 트랜지스터; 및 독출 전류를 전달받는 독출 비트라인과 독출 워드라인 사이에 연결되고, 게이트가 상기 데이터 노드와 연결되고, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 문턱 전압보다 작은 문턱 전압을 갖는 정상 문턱 전압 트랜지스터를 포함하는 단위 메모리 셀
2 2
제1 항에 있어서, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압 및 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압은 상기 단위 메모리 셀을 포함하는 메모리 장치의 동작 모드에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
3 3
제1 항에 있어서, 기입 모드로 동작하는 경우,상기 고 문턱 전압 트랜지스터를 턴-온하기 위하여 상기 기입 워드라인에 인가되는 전압은 전원 전압 및 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 문턱 전압을 합한 값보다 큰 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
4 4
제1 항에 있어서, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압 및 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압은 기입 모드로 동작하는 전체 구간의 적어도 일부 구간 동안 음의 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
5 5
제4 항에 있어서, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 상기 바디 바이어스 전압 및 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터의 상기 바디 바이어스 전압이 상기 음의 전압을 유지한 후 접지 전압으로 천이함에 따라 상기 데이터 노드의 전압을 부스팅하는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
6 6
제5 항에 있어서, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 상기 바디 바이어스 전압 및 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터의 상기 바디 바이어스 전압은 동일한 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
7 7
제1 항에 있어서, 독출 모드로 동작하는 경우, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압 및 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압은 접지 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
8 8
제7 항에 있어서, 상기 데이터 노드의 전압이 제1 레벨인 경우, 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터가 턴-온되어 상기 독출 전류가 상기 독출 워드라인에 전달되고,상기 데이터 노드의 전압이 제2 레벨인 경우, 상기 정상 문턱 전압 트랜지스터가 턴-오프되어 상기 독출 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
9 9
제1 항에 있어서, 스탠바이 모드로 동작하는 경우,상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 바디 바이어스 전압 및 정상 문턱 트랜지스터의 바디 바이어스 전압은 접지 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 단위 메모리 셀
10 10
복수의 기입 비트라인들;복수의 기입 워드라인들;복수의 독출 비트라인들;복수의 독출 워드라인들; 및 복수의 단위 메모리 셀들을 포함하고, 복수의 단위 메모리 셀들 중 각각의 단위 메모리 셀은 기입 데이터를 전달받는 기입 비트라인과 데이터 노드 사이에 연결되고, 게이트가 기입 워드라인에 연결된 고 문턱 전압 트랜지스터; 및 독출 전류를 전달받는 독출 비트라인과 독출 워드라인 사이에 연결되고, 게이트가 상기 데이터 노드와 연결되고, 상기 고 문턱 전압 트랜지스터의 문턱 전압보다 작은 문턱 전압을 갖는 정상 문턱 전압 트랜지스터를 포함하는 메모리 셀 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.