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직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 하부 전극을 적층하는 단계;(b) 상기 하부 전극의 상부 소정 일부에 절연층을 형성한 후 패터닝 하는 단계;(c) 상기 하부전극과 절연층 상부를 덮도록 유기반도체 박막층을 코팅하는 단계;(d) 상기 절연층과 하부전극 상부에 적층된 유기 반도체 박막층 상부에 상부 소스 전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 상부 소스 전극과 소정 거리 이격된 위치에 상부 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 상부 드레인 전극은 발광부의 음극 또는 양극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 하부 전극을 적층하는 단계;(b) 상기 하부 전극의 상부 소정 일부에 절연층을 형성한 후 패터닝 하는 단계;(c) 상기 절연층과 하부전극 상부에 유기반도체 박막층을 코팅하는 단계;(d) 상기 절연층과 하부전극 상부에 적층된 유기 반도체 박막층 상부에 상부 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 상부 드레인 전극과 소정 거리 이격된 위치에 상부 소스 전극을 형성하는 단계를 포함하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 상부 소스 전극은 발광부의 음극 또는 양극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 하부 전극은 발광부의 양극 또는 음극 역할을 하는 동시에 구동부의 게이트 전극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 하부 전극에 전압이 인가되면 상기 절연층에 접하는 유기반도체 박막층에 전자 또는 정공이 흐를 수 있는 채널이 형성되는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터는 상부 전극들 사이의 간격(channel width)을 조절하여 소자의 전자 이동 특성을 제어할 수 있는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
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직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 하부 전극;상기 하부 전극의 상부 소정부에 형성되는 절연층;상기 하부 전극과 상기 절연층 상부를 덮는 유기반도체 박막층;상기 하부전극과 상기 절연층을 덮도록 코팅한 유기반도체 박막층의 상부에 형성되는 상부 드레인 전극; 및상기 상부 드레인 전극과 소정거리 이격되어 유기반도체 박막층 상부에 형성되는 상부 소스 전극을 포함하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항에 있어서,상기 상부 드레인 전극은 발광부의 음극 또는 양극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 하부 전극;상기 하부 전극의 상부 소정부에 형성되는 절연층;상기 하부 전극과 상기 절연층 상부를 덮는 유기반도체 박막층;상기 하부전극과 상기 절연층을 덮도록 코팅한 유기반도체 박막층의 상부에 형성되는 상부 소스 전극; 및상기 상부 소스 전극과 소정거리 이격되어 유기반도체 박막층 상부에 형성되는 상부 드레인 전극을 포함하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 12항에 있어서,상기 상부 소스 전극은 발광부의 음극 또는 양극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항 또는 제 12항에 있어서,상기 하부 전극은 발광부의 양극 또는 음극 역할을 하는 동시에 구동부의 게이트 전극 역할을 수행하는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항 또는 제 12항에 있어서,상기 하부 전극에 전압이 인가되면 상기 절연층에 접하는 유기반도체 박막층에 전자 또는 정공이 흐를 수 있는 채널이 형성되는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항 또는 제 12항에 있어서,상기 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터는 상부 전극들 사이의 간격(channel width)을 조절하여 소자의 전자 이동 특성을 제어할 수 있는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항 또는 제 12항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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제 10항 또는 제 12항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되는 직접 공유 전극형 유기발광트랜지스터
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