| 1 |
1
적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 하부 전극;상기 하부 전극의 상부 소정부에 서로 이격되어 형성되는 한쌍의 절연 박막;상기 절연박막 상부에 적층되는 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극;상기 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상기 절연 박막이 코팅되지 않아 외부로 노출된 상기 하부 전극의 상면에 코팅되는 유기반도체 박막층; 및상기 유기반도체 박막층의 상부에 형성되는 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상부 전극을 포함하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 하부 전극은 소스 또는 드레인 전극으로 동작하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 상부 전극은 드레인 또는 소스 전극으로 동작하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 하부 전극과 인접하는 유기반도체 박막층에 상부 또는 하부 나노입자 또는 나노선이 선택적으로 삽입되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,상기 나노입자 또는 나노선은 유기, 무기, 금속 중 어느 하나로 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 하부 전극에 접하는 유기반도체 박막층이 정공주입층으로 동작할 경우,상기 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극에 전압이 인가될 경우 상기 유기반도체 박막층 중 상기 하부 전극에 접하는 부분이 전기적으로 도핑이 되어 이온화 포텐셜이 감소하여 상기 하부 전극에서 유기반도체 박막층으로 정공이 주입되고,상기 상부 전극에 접하는 유기반도체 박막층 부분 또한 상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 전기적으로 도핑되어 전자가 주입되어 빛을 발산하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 하부 전극에 접하는 유기반도체 박막층이 전자주입층으로 동작할 경우,상기 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극에 전압을 인가할 경우 상기 유기반도체 박막층 중 상기 하부 전극에 접하는 부분이 전기적으로 도핑이 되어 이온화 포텐셜이 증가하고 상기 하부 전극에서 유기반도체 박막층으로 전자가 주입되어 빛을 발산하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극 또는 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극은 동시 또는 개별적으로 제어되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상기 상부 전극은 동시에 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터
|
| 12 |
12
적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 하부 전극을 적층하는 단계;(b) 상기 하부 전극의 양쪽 상부에 절연 박막을 형성한 후 패터닝 하는 단계;(c) 상기 하부 전극 위에 소정 간격 이격되도록 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극을 적층하는 단계;(d) 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상기 절연 박막이 코팅되지 않아 외부로 노출된 하부 전극 상부에 유기반도체 박막층을 코팅하는 단계; 및(e) 상기 유기반도체 박막층의 상부에 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12항에 있어서,상기 하부 전극은 소스 또는 드레인 전극으로 동작하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 12항에 있어서,상기 상부 전극은 드레인 또는 소스 전극으로 동작하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 12항에 있어서,상기 하부 전극과 인접하는 유기반도체 박막층에 상부 또는 하부 나노입자 또는 나노선이 선택적으로 삽입되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 15항에 있어서,상기 나노입자 또는 나노선은 유기, 무기, 금속 중 어느 하나로 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 17 |
17
제 12항에 있어서,상기 하부 전극에 접하는 유기반도체 박막층이 정공주입층으로 동작할 경우,상기 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극에 전압이 인가될 경우 상기 유기반도체 박막층 중 상기 하부 전극에 접하는 부분이 전기적으로 도핑이 되어 이온화 포텐셜이 감소하여 상기 하부 전극에서 유기반도체 박막층으로 정공이 주입되고,상기 상부 전극에 접하는 유기반도체 박막층 부분 또한 상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 전기적으로 도핑되어 전자가 주입되어 빛을 발산하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 18 |
18
제 12항에 있어서,상기 하부 전극에 접하는 유기반도체 박막층이 전자주입층으로 동작할 경우,상기 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극에 전압을 인가할 경우 상기 유기반도체 박막층 중 상기 하부 전극에 접하는 부분이 전기적으로 도핑이 되어 이온화 포텐셜이 증가하고 상기 하부 전극에서 유기반도체 박막층으로 전자가 주입되어 빛을 발산하는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 12항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 20 |
20
제 19항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 21 |
21
제 12항에 있어서,상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극 또는 하부 제 1 및 제 2 게이트 전극은 동시 또는 개별적으로 제어되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
| 22 |
22
제 12항에 있어서,상기 상부 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상기 상부 전극은 동시에 형성되는 적층 이중 측면 게이트형 유기발광트랜지스터의 제조 방법
|
