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유기박막트랜지스터가 내장된 능동형유기전기발광디스플레이소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015162740
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 일체화시킨 새로운 구조에 대한 것이다. 그 특징으로는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 드레인(Drain) 전극이 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 양극(또는 음극)으로 동시에 사용되도록 구성하여 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 켜질 때 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 전류가 흘러 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 발광시키도록 한다. 특히, 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 상부전극을 증착할 때 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 동시에 증착되도록 하여 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)와 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)가 원-스텝(One-Step) 공정으로 제조되도록 한 매우 경제적인 구조이다. 또한, 유기박막트랜지스터(OTFT)의 소오스(Source)와 드레인(Drain) 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 적절히 조절함으로써 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 흐르는 전류량을 공정상에서 사전 조절이 가능하다. 따라서 기존의 분리형 구조에 비해서 매우 경제적이며 개구율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.유기박막트랜지스터(OTFT), 유기전기발광디스플레이소자(OLED), 디스플레이, 광소자, 의료용 소자, 소오스, 드레인, 게이트, 개구율
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 27/3274(2013.01) H01L 27/3274(2013.01) H01L 27/3274(2013.01)
출원번호/일자 1020070075418 (2007.07.27)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0869646-0000 (2008.11.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.27)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)
2 정영수 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털 *로 **, ****호 (가산동, 에이스한솔타워)(한영국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0546994-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028403-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0324898-08
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0491136-62
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0570547-46
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극을 형성하는 단계와;(b) 상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 유기박막층을 형성하는 단계와;(c) 상기 유기박막층 상에 유전체층과 전도층을 순차적으로 형성하는 단계와;(d) 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계; 및(e) 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층이 노출되도록 식각하여 콘택홀을 형성함으로써 상기 콘택홀의 일 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OTFT의 게이트 유전체층 및 게이트 전극으로 형성하고 상기 콘택홀의 타 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OLED의 전자주입층 및 제 2 전극으로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법은:상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정크기로 조절하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:상기 기판의 전면에 전도성 물질을 증착한 후 리소그래피 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:진공 증착 또는 스핀 코팅 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 유기박막층은 단일층 또는 다중층인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
10 10
제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
11 11
유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 OTFT의 소스 전극과;상기 기판의 전면에 상기 소스 전극과 일정 간격을 두고 형성되며 OLED의 제 1 전극으로 같이 사용되는 OTFT의 드레인 전극과;상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 형성된 유기박막층과;상기 유기박막층 상에 소정의 패턴으로 각각 형성된 OTFT의 게이트 전극 및 OLED의 제 2 전극과;상기 OTFT의 게이트 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OTFT의 게이트 유전체층; 및상기 OLED의 제 2 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OLED의 전자주입층;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자는:상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정크기로 조절하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
13 13
제 11 항에 있어서,상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
14 14
제 11 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
15 15
제 11 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
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6 WO2009017339 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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