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유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형유기전기발광디스플레이소자 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015162596
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은, 유기박막트랜지스터(OTFT) 및 유기축전기(OCAP)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법에 있어서, (a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 및 상기 OCAP의 하부 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 OTFT의 소스전극과, 드레인 전극 및 OCAP의 하부 전극이 충분히 덮히도록 상기 기판상에 유기박막층을 형성하는 단계; (c) 상기 유기박막층 상에 유전체층과 전도층을 순차적으로 형성하는 단계; (d) 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계; 및 (e) 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층이 노출되도록 식각하여 OTFT의 게이트 전극과, 제 2 전극 및 상기 OCAP의 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법을 제공한다.유기박막트랜지스터(OTFT), 유기전기발광디스플레이소자(OLED), 유기축전기(OCAP), 소오스, 드레인, 게이트, 개구율
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 27/3244(2013.01) H01L 27/3244(2013.01) H01L 27/3244(2013.01) H01L 27/3244(2013.01)
출원번호/일자	1020070080433 (2007.08.10)
출원인	경북대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0869649-0000 (2008.11.13)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20081121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.08.10)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	경북대학교 산학협력단	대한민국	대구광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김영규	대한민국	대구 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이건철	대한민국	서울특별시 서초구 사평대로 **, 층 (반포동)(특허법인이룸리온)
2	정영수	대한민국	서울특별시 금천구 가산디지털 로 , ***호 (가산동, 에이스한솔타워)(한영국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	경북대학교 산학협력단	대한민국	대구광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.08.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0580343-37
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.04.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.05.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0028364-81
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0336241-58
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2008-0510838-96
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0510824-57
7	등록결정서 Decision to grant	2008.11.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0570550-84
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 유기박막트랜지스터(OTFT) 및 유기축전기(OCAP)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 및 상기 OCAP의 하부 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 OTFT의 소스전극과, 드레인 전극 및 OCAP의 하부 전극이 덮히도록 상기 기판상에 유기박막층을 형성하는 단계;(c) 상기 유기박막층 상에 유전체층과 전도층을 순차적으로 형성하는 단계;(d) 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계; 및(e) 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층이 노출되도록 식각하여 OTFT의 게이트 전극과, 제 2 전극 및 상기 OCAP의 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법은:상기 유기박막트랜지스터(OTFT)와, 유기전기발광디스플레이소자(OLED) 및 유기축전기(OCAP)의 크기 비율을 조절함으로써 개구율을 조절할 수 있는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:상기 기판의 전면에 전도성 물질을 증착한 후 리소그래피 공정으로 형성하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:진공 증착 또는 스핀 코팅 공정으로 형성하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 유기박막층은 단일층 또는 다중층인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
10	10 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
11	11 제 1항에 있어서,상기 유기박막층을 형성하는데 있어,상기 OCAP의 하부 전극 상부에 유기, 무기 도핑층이 적층되도록 형성되는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법
12	12 유기박막트랜지스터(OTFT) 및 유기축전기(OCAP)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 OTFT의 소스 전극;상기 기판의 전면에 상기 소스 전극과 일정 간격을 두고 형성되며 OLED의 제 1 전극으로 같이 사용되는 OTFT의 드레인 전극;상기 기판의 전면에 상기 드레인 전극과 소정거리 이격되어 형성되는 OCAP의 하부 전극;상기 OTFT의 소스 전극과 드레인 전극 및 상기 OCAP의 하부 전극이 덮히도록 상기 기판상에 형성된 유기박막층; 및상기 유기박막층 상에 소정의 패턴으로 각각 형성된 OTFT의 게이트 전극과 OLED의 제 2 전극 및 상기 OCAP의 상부 전극을 포함하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
13	13 제 12 항에 있어서,상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자는:상기 유기박막트랜지스터(OTFT)와, 유기전기발광디스플레이소자(OLED) 및 유기축전기(OCAP)의 크기 비율을 조절함으로써 개구율을 조절할 수 있는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
14	14 삭제
15	15 제 12 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
16	16 제 12 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고,상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자
17	17 제 12 항에 있어서,상기 유기박막층을 형성하는데 있어,상기 OCAP의 하부 전극 상부에 적층되는 유기, 무기 도핑층을 더 포함하는 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR100869646	KR	대한민국	FAMILY
2	KR100869647	KR	대한민국	FAMILY
3	KR100869648	KR	대한민국	FAMILY
4	KR100871556	KR	대한민국	FAMILY
5	WO2009017339	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY
6	WO2009017339	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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특허 등록번호	10-0869649-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070810 출원 번호 : 1020070080433 공고 연월일 : 20081121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081111 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 유기박막트랜지스터 및 유기축전기가 내장된 능동형유기전기발광디스플레이소자 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20161114

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	370,500 원	2008년 11월 13일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2011년 10월 27일	납입
제 5 년분	금 액	370,000 원	2012년 11월 01일	납입
제 6 년분	금 액	370,000 원	2013년 10월 28일	납입
제 7 년분	금 액	670,000 원	2014년 10월 28일	납입
제 8 년분	금 액	790,600 원	2016년 04월 20일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.08.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0580343-37
2	선행기술조사의뢰서	2008.04.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2008.05.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0028364-81
4	의견제출통지서	2008.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0336241-58
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.07.16	수리 (Accepted)	1-1-2008-0510838-96
6	[명세서등 보정]보정서	2008.07.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0510824-57
7	등록결정서	2008.11.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0570550-84
8	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04


과제고유번호	1355050174
세부과제번호	R01-2007-000-10836-0
연구과제명	근적외선흡수가강화된반도체고분자나노층을이용한고분자태양전지연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	경북대학교
성과제출연도	2007
연구기간	200705~201002
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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중요키워드

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