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그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167130
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기 프리스틴 또는 도핑된 그래핀이 전사된 광증폭 광전자소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 구체적으로, 발광소자 상에 제 1 전극을 박막으로 증착시키는 단계, 상기 전극 박막 상에 프리스틴 또는 도핑된 그래핀을 전사시키는 단계, 상기 그래핀이 전사된 전극 박막이 접촉된 발광 소자를 에칭시켜 상부 전극의 일부를 제거하는 단계, 상기 에칭된 발광 소자에 포토레지스트, 스핀 코팅하는 단계, 상기 포토레지스트, 스핀 코팅된 발광 소자에 포토레지스트를 제거하여 원형 형태의 전극 박막 및 전극 박막에 전사된 프리스틴 또는 도핑된 그래핀을 형성시키는 단계 및, 제 2 전극 상에 금속을 침착시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/40 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020140115491 (2014.09.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0124342 (2014.10.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0034581 (2013.03.29)
관련 출원번호 1020130034581
심사청구여부/일자 Y (2018.03.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김성 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김창오 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0834140-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0244083-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0369762-31
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0736129-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0736128-77
7 등록결정서
Decision to grant
2018.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0769610-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 활성층이 개재된 발광 다이오드(LED);상기 p형 반도체층의 상면에 형성되고 갈륨(Ga)이 도핑된 산화 아연 박막층(GZO); 및 상기 갈륨 도핑 산화아연 박막층 상에 형성된 프리스틴 그래핀층;을 포함하고,상기 프리스틴 그래핀층은 상기 발광 다이오드에서 방출되는 광과 표면 플라즈몬 공명을 일으켜 상기 광을 증폭시키는 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 p형 반도체층은 p-GaN이고, 상기 n형 반도체층은 n-GaN인 발광 소자
3 3
p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 활성층이 개재된 발광 다이오드의 p형 반도체층에 갈륨(Ga)이 도핑된 산화 아연으로 구성된 제1 전극 박막을 형성하는 단계;상기 제1 전극 박막에 프리스틴 그래핀을 전사하는 단계;상기 프리스틴 그래핀이 전사된 제1 전극 박막과 상기 발광 다이오드의 일부를 제거하여 상기 n형 반도체층의 일부를 노출시키는 에칭 단계; 및상기 n형 반도체층에 금속을 침착하여 제 2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 프리스틴 그래핀은 상기 발광 다이오드에서 방출되는 광과 표면 플라즈몬 공명을 일으켜 상기 광을 증폭시키는 발광 소자의 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 금속은 금인 발광 소자의 제조 방법
5 5
제3 항에 있어서, 상기 p형 반도체층은 p-GaN이고, 상기 n형 반도체층은 n-GaN인 발광 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02980863 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 KR101517995 KR 대한민국 FAMILY
3 US10535802 US 미국 FAMILY
4 US20160056340 US 미국 FAMILY
5 US20180114881 US 미국 FAMILY
6 WO2014157772 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2014157772 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 교육부 경희대학교 산학협력단 도전과제 그래핀 기반 융복합 나노구조의 특성 및 소자 응용 연구