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반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 장치와 방법

  • 기술번호 : KST2015167241
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 장치와 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 P-GaN층의 상면에 브러쉬 코팅 방식을 통해 금속 나노와이어층을 형성하고 그 위에 스퍼터링 방식을 통해 투명 전극층으로 형성함으로써, 별도의 열처리 공정 없이도 조성 불균일 문제를 해결하여 균일한 막질을 얻을 수 있고 오믹 접합이 정상적으로 이루어져 전기적 특성 또한 향상되며, 별도의 열처리 공정을 제거할 수 있어 제조 공정을 단순화할 수 있고, 이에 따라 제조 비용을 절감할 수 있고 더욱 신속한 제조 및 대량 생산을 가능하게 하는 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 장치와 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020130017005 (2013.02.18)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1432924-0000 (2014.08.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 신현수 대한민국 서울 강서구
3 이주현 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0143069-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0007960-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0100973-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0347827-11
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0444934-96
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.11 무효 (Invalidation) 1-1-2014-0546823-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0546827-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0546796-40
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0546776-37
11 보정요구서
Request for Amendment
2014.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0100720-47
12 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2014.06.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0579166-69
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0106075-35
14 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0619608-76
15 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2014.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0619607-20
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2014.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0108917-10
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2014.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0109194-85
18 등록결정서
Decision to grant
2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0511157-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상면에 순차적으로 적층 형성되는 N-GaN층, 활성층, P-GaN층으로 이루어진 발광 소자에서 상기 P-GaN층의 상면에 상기 금속 나노와이어층을 브러쉬 코팅 방식으로 코팅 형성하는 코팅 장치; 및상기 코팅 장치에 의해 코팅 형성된 상기 금속 나노와이어층의 상면에 투명 전극층을 스퍼터링 방식으로 증착 형성하는 스퍼터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 Ag, Cr, Ti, Cu, Au, Ni, Al, Mo 중 어느 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 스퍼터링 장치는 자기장에 의한 플라즈마 구속을 통해 증착 대상 기판에 대한 플라즈마 손상을 방지하는 대향 타겟 스퍼터링 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 투명 전극층은 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 장치
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 대향 타겟 스퍼터링 장치는내부 공간에 진공압이 형성되고, 증착 대상 기판이 내부 공간에 배치되도록 형성되는 스퍼터링 챔버;상기 스퍼터링 챔버 내에 장착되어 서로 대향하도록 이격되게 배치되고, 서로 대향하는 면에는 각각 음극 전원에 연결되도록 스퍼터링 타겟 물질이 배치되며, 대향하는 사이 공간이 상기 증착 대상 기판과 이격되게 배치되는 제 1 및 제 2 스퍼터링 건;상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간에 자기장이 형성되도록 상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건에 각각 장착되는 제 1 및 제 2 마그네트; 및상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간으로 반응 가스가 유입되어 플라즈마가 형성되도록 상기 스퍼터링 챔버에 관통 삽입되는 가스 공급관을 포함하고, 상기 플라즈마는 상기 제 1 및 제 2 마그네트에 의해 형성된 자기장에 의해 상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간에 구속되며, 상기 플라즈마에 의해 상기 스퍼터링 타겟 물질의 원자가 방출되어 상기 증착 대상 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 장치
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 브러쉬 코팅 장치는 코팅 대상 기판을 이송 공급하는 공급 유닛;상기 공급 유닛에 의해 공급되는 상기 코팅 대상 기판의 표면에 상기 금속 나노와이어층이 형성되도록 금속 나노와이어 코팅액을 도포하여 코팅하는 브러쉬 모듈; 및상기 브러쉬 모듈에 의해 코팅 형성된 상기 금속 나노와이어층을 건조하는 건조 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 공급 유닛에 의해 이송 공급되는 상기 코팅 대상 기판의 표면을 친수성 상태로 전처리하는 전처리 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 장치
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
기판의 상면에 순차적으로 N-GaN층, 활성층 및 P-GaN층을 적층 형성하는 단계;상기 P-GaN층의 상면에 코팅 방식으로 금속 나노와이어층을 코팅 형성하는 단계; 및상기 금속 나노와이어층의 상면에 스퍼터링 방식으로 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 투명 전극층은 자기장에 의한 플라즈마 구속을 통해 증착 대상 기판에 대한 플라즈마 손상을 방지하는 대향 타겟 스퍼터링 장치를 통해 스퍼터링 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 스핀 코팅 또는 브러쉬 코팅 방식을 통해 코팅 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.