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페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지(METHOD OF MANUFACTURING PEROVSKITE SOLAR CELLS AND PEROVSKITE SOLAR CELLS MANUFACTURED BY THE METHOD)

  • 기술번호 : KST2018000163
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 태양전지의 제조방법이 개시된다. 페로브스카이트 태양전지는 기판 상에 페로브스카이트 태양전지 소자를 형성한 후 무극성 용매에 용해된 고분자 물질을 포함하는 고분자 용액을 이용하여 페로브스카이트 태양전지 소자의 외부면을 피복하도록 봉지층을 형성함으로써 형성될 수 있다. 이러한 제조방법에 따르면, 페로브스카이트 태양전지의 제조 과정에서 페로브스카이트 물질 및 유기 정공 전달 물질이 손상되는 것을 방지하여 페로브스카이트 태양전지의 광전 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/44 (2016.08.13) H01L 51/42 (2016.08.13) H01L 51/00 (2016.08.13)
CPC H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01)
출원번호/일자 1020160072253 (2016.06.10)
출원인 성균관대학교산학협력단, 유니버시티 오브 피츠버그 - 오브 더 커먼웰쓰 시스템 오브 하이어 에듀케이션, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0139826 (2017.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 유니버시티 오브 피츠버그 - 오브 더 커먼웰쓰 시스템 오브 하이어 에듀케이션 미국 미국 펜실베니아 ***** 피츠버그 테커라이 앤드 오하라 스트리츠 가드너 스틸 컨퍼런스 센터
3 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현석 대한민국 서울특별시 송파구
2 권승리 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 진영운 대한민국 울산광역시 울주군
4 김병조 대한민국 서울특별시 송파구
5 유진선 대한민국 경기도 용인시 기흥구
6 이중건 대한민국 미국 펜실베니아 *****
7 한길상 대한민국 미국 펜실베니아 *****

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0557976-99
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0090750-06
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0680582-66
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0026025-44
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0119117-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0374507-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0374576-82
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0603388-57
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0950713-07
12 법정기간연장승인서
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0136826-79
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1187941-36
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1187918-96
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0873140-52
16 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2018.03.06 수리 (Accepted) 7-8-2018-0005259-07
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번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 이격된 제1 및 제2 전극층, 상기 제1 및 제2 전극층 사이에 위치하고 페로브스카이트 물질을 구비하는 광흡수층 및 상기 광흡수층과 상기 제2 전극층 사이에 위치하고 유기 반도체 물질로 이루어진 정공 전달층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 소자를 형성하는 단계; 및상기 페로브스카이트 태양전지 소자의 외부면을 피복하도록 상기 기판 상에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 봉지층은 무극성 용매에 용해된 고분자 물질을 포함하는 고분자 용액을 상기 페로브스카이트 태양전지 소자 외부면에 도포함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 무극성 용매로는 벤젠, 사염화탄소, 이염화탄소, 이황화탄소, 디옥산, 에테르, 톨루엔 및 지방족 포화 탄화수소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 아크릴레이트계 고분자 물질 및 광경화 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 아크릴레이트계 고분자 물질로는 메틸메타아크릴레이트 또는 에틸아크릴레이트가 사용되고,상기 광경화성 고분자 물질로는 벤조인에테르계 또는 벤조페논/아민계 광중합 개시제를 함유하는 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 에스테르가 사용되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는,상기 아크릴레이트계 고분자 물질을 상기 무극성 용매에 용해시켜 제1 고분자 용액을 형성하는 단계;상기 제1 고분자 용액에 상기 광경화성 고분자 물질을 용해시켜 제2 고분자 용액을 형성하는 단계;상기 제2 고분자 용액을 이용한 스핀코팅 공정을 통해 상기 기판 상에 상기 페로브스카이트 태양전지 소자를 피복하는 고분자 박막을 형성하는 단계; 및 상기 광경화성 고분자 물질을 광경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 아크릴레이트계 고분자 물질을 상기 무극성 용매 질량 대비 10 내지 20 wt%의 양으로 혼합되고, 상기 광경화성 고분자 물질을 상기 무극성 용매 질량 대비 40 내지 60wt%의 양으로 혼합되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
7 7
기판 상에서 서로 이격된 제1 및 제2 전극층;상기 제1 및 제2 전극층 사이에 위치하고 페로브스카이트 물질을 구비하는 광흡수층; 상기 광흡수층과 상기 제2 전극층 사이에 위치하고 유기 반도체 물질로 이루어진 정공 전달층; 및상기 제1 및 제2 전극층, 상기 광흡수층 및 상기 정공 전달층의 외부면을 피복하도록 상기 기판 상에 형성되고, 아크릴레이트계 고분자 물질 및 광경화 고분자 물질의 혼합물로 형성된 봉지층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 아크릴레이트계 고분자 물질은 메틸메타아크릴레이트 중합체 또는 에틸아크릴레이트 중합체를 포함하고, 상기 광경화성 고분자 물질은 벤조인에테르계 또는 벤조페논/아민계 광중합 개시제에 의해 광중합된 에폭시 아크릴레이트 중합체, 우레탄 아크릴레이트 중합체 또는 에스테르 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
9 9
제8항에 있어서, 상기 아크릴레이트계 고분자 물질과 상기 광경화성 고분자 물질의 중량비는 1: 2 내지 1: 6인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
10 10
제7항에 있어서, 상기 제1 전극층은 상기 기판의 제1 측면 상에 위치하는 제1 부분을 포함하고, 상기 제2 전극층은 상기 제1 측면과 다른 상기 기판의 제2 측면 상에 위치하는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 상기 봉지층으로부터 노출되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
11 11
제10항에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 기판의 상부면을 따라 연장하고 상기 제2 부분과 연결되는 제3 부분, 상기 제3 부분으로부터 상기 제1 전극층, 상기 광흡수층 및 상기 정공 전달층의 측면을 따라 연장되는 제4 부분 및 상기 제4 부분으로부터 상기 정공 전달층의 상부면을 따라 연장되는 제5 부분을 더 포함하고, 상기 페로브스카이트 태양전지는 상기 제4 부분과 상기 제1 전극층 및 상기 광흡수층 사이에 위치하는 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 멀티스케일에너지시스템연구 집중형 실험실 구축 및 융합연구
2 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 기초연구실지원사업 초박형 System-On-Skin 소자용 저차원 무기물 전자소재 및 공정 연구