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반도체 소자(Semiconductor Device)

  • 기술번호 : KST2018004633
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 연결된 제1 셀 및 제2 셀을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 각각 상기 제1 전극에 연결된 제1 자성층을 포함한다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 43/12 (2006.01.01)
CPC H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160137412 (2016.10.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1998268-0000 (2019.07.03)
공개번호/일자 10-2018-0044456 (2018.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20190711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190046436;
심사청구여부/일자 Y (2016.10.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 대전광역시 유성구
2 백승헌 대한민국 대전광역시 유성구
3 박경웅 대한민국 경기도 하남시 위례중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1023266-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0093939-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0506219-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0955811-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1052144-77
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1052172-45
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0117508-08
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2019.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0182963-14
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0293700-05
11 법정기간연장승인서
 2019.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0049463-59
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0408483-45
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0412946-22
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0412945-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0351290-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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중금속을 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극과 연결된 셀; 상기 셀과 전기적으로 연결되어 상기 셀에 전압을 인가하는 셀 제어 전극; 및상기 셀 제어 전극 및 상기 셀 사이에 위치하는 게이트 절연층을 포함하고,상기 셀은상기 제1 전극에 흐르는 수평 전류에 의해 자화 방향의 변화가 가능한 자유 자성층으로 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제1 자성층;자화 방향이 고정된 고정 자성층으로 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제2 자성층; 및상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이에 배치되어, 상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이의 전류의 흐름을 제한하는 절연층이 적층된 자기터널접합구조를 포함하며,상기 셀은상기 셀 제어 전극에 의해 인가되는 전압에 의해 전기적 또는 자기적 특성이 조절되는 것으로, 상기 셀 제어 전극에 의해 인가되는 전압에 따라 상기 제1 자성층의 자화 방향 변경을 위한 임계전류의 크기가 변경되며, 상기 임계전류에 따라 상기 제1 전극에 인가하는 수평전류의 크기가 조절되는 것으로,상기 변경된 임계전류의 크기는 상기 셀 제어 전극에 인가하는 전압을 제거하여도 유지되는 비휘발성 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 셀은 2 이상이고, 상기 셀에 연결된 각각의 셀 제어 전극은 상기 셀의 전기적 또는 자기적 특성을 각각 제어하는 반도체 소자
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제13항에 있어서,상기 2 이상의 셀의 전기적 또는 자기적 특성은 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 의해 서로 다르게 제어된 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 전극에 연결되고, 상기 제1 전극으로의 수평전류를 제어하는 전류 제어 스위치를 더 포함하는 반도체 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109891613 CN 중국 FAMILY
2 JP30067713 JP 일본 FAMILY
3 KR1020190017092 KR 대한민국 FAMILY
4 KR102108399 KR 대한민국 FAMILY
5 US10360963 US 미국 FAMILY
6 US20180114557 US 미국 FAMILY
7 US20190189175 US 미국 FAMILY
8 WO2018074724 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109891613 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2018067713 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US10360963 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2018114557 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2019189175 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 반강자성 물질을 이용한 스핀트로닉스 소재 및 소자 개발