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다이폴 안테나 장치 및 이를 이용한 배열 안테나 장치

  • 기술번호 : KST2018013257
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서의 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역의 통신을 위한 다이폴 안테나 장치는 제1 금속 층에 형성되는 급전부 및 급전부에 의해 급전되어 전파를 방사하는 멀티 레이어 다이폴 방사기를 포함하되, 멀티 레이어 다이폴 방사기는, 제1 금속 층에 형성되고, 급전부와 연결된 궤전점을 중심으로 좌우 대칭을 이루도록 형성되는 제1 유도부, 제2 금속 층에 형성되고 제1 유도부와 평행하게 배열되는 제2 유도부 및 제1 유도부 및 상기 제2 유도부를 전기적으로 연결하기 위해 제1 금속 층의 평면에 수직한 평면으로 형성된 한 쌍의 비아 홀을 포함한다.
Int. CL H01Q 9/28 (2018.01.01) H01Q 15/14 (2006.01.01) H01Q 21/06 (2018.01.01) H01Q 1/38 (2015.01.01)
CPC H01Q 9/285(2013.01) H01Q 9/285(2013.01) H01Q 9/285(2013.01) H01Q 9/285(2013.01)
출원번호/일자 1020170033021 (2017.03.16)
출원인 엘지전자 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0105833 (2018.10.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안민기 대한민국 서울특별시 서초구
2 안병권 대한민국 대전광역시 유성구
3 유종상 대한민국 대전광역시 유성구
4 유종원 대한민국 대전광역시 유성구
5 황인준 대한민국 대전광역시 유성구
6 유승우 대한민국 서울특별시 서초구
7 이원우 대한민국 서울특별시 서초구
8 이주희 대한민국 서울특별시 서초구
9 정재훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0260028-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
제1 금속 층(layer)에 형성되는 급전부; 및상기 급전부에 의해 급전되어 전파를 방사하는 멀티 레이어(multi-layer) 다이폴 방사기를 포함하되,상기 멀티 레이어 다이폴 방사기는,상기 급전부와 연결된 궤전점(feeder point)을 중심으로 좌우 대칭을 이루도록 형성되고, 상기 제1 금속 층에 형성되는 제1 유도부;상기 제1 유도부와 평행하게 배열되고, 제2 금속 층에 형성되는 제2 유도부; 및상기 제1 유도부 및 상기 제2 유도부를 전기적으로 연결하기 위해 상기 제1 금속 층의 평면에 수직한 평면으로 형성된 한 쌍의 비아 홀(via hole)을 포함하는, 다이폴 안테나 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 유도부의 길이, 상기 제2 유도부의 길이 및 상기 한 쌍의 비아 홀의 길이를 합한 길이는 상기 전파의 파장 길이에 대하여 일정한 비율을 갖도록 형성되는 다이폴 안테나 장치
3 3
제2 항에 있어서, 상기 일정한 비율은 1/2 또는 1/4인 다이폴 안테나 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 금속 층에 형성되고, 상기 멀티 레이어 다이폴 방사기와 이격된 위치에 형성되고, 상기 전파의 방사 방향을 소정의 방향으로 지향시키는 도파기(director)를 더 포함하는 다이폴 안테나 장치
5 5
제4 항에 있어서,제3 금속 층에 형성되고, 상기 소정의 방향과 반대 방향으로 방사되는 전파를 소정의 방향으로 반사시키는 반사기(reflector)를 더 포함하는 다이폴 안테나 장치
6 6
제5 항에 있어서,상기 반사기는 상기 다이폴 안테나 장치를 위한 접지면(ground plane)으로 구현되는 안테나 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 급전부는,전원을 공급받기 위한 마이크로스트립 급전면; 상기 멀티 레이어 다이폴 방사기를 급전시키는 공면 스트립 라인; 및상기 마이크로스트립 급전면을 상기 공면 스트립 라인에 접속하는 발룬을 포함하는 다이폴 안테나 장치
8 8
제1 항에 있어서,상기 급전부 및 상기 멀티 레이어 다이폴 방사기는 복수의 층(layer)을 포함하는 적층 구조(stacked structure)의 인쇄회로기판(PCB) 상에 형성되는 다이폴 안테나 장치
9 9
배열을 이루도록 형성된 복수의 안테나; 및 각 안테나로 공급될 입력 신호의 위상을 조절하는 복수의 위상 변위기를 포함하되, 상기 복수의 안테나 각각은,제1 금속 층(layer)에 형성되고, 상기 입력 신호가 인가되는 급전부; 및상기 제1 금속 층에 형성되고 상기 급전부와 연결된 궤전점(feeder point)을 중심으로 좌우 대칭을 이루도록 형성되는 제1 유도부, 제2 금속 층에 형성되고 상기 제1 유도부와 평행하게 배열되는 제2 유도부, 및 상기 제1 유도부 및 상기 제2 유도부를 전기적으로 연결하기 위해 상기 제1 금속 층의 평면에 수직한 평면으로 형성된 한 쌍의 비아 홀(via hole)을 포함하고, 상기 급전부에 의해 급전되어 전파를 방사하는 멀티 레이어(multi-layer) 다이폴 방사기를 포함하는, 배열 안테나 장치
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1 유도부의 길이, 상기 제2 유도부의 길이 및 상기 한 쌍의 비아 홀의 길이를 합한 길이는 상기 전파의 파장 길이에 대하여 일정한 비율을 갖도록 형성되는 배열 안테나 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.