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PIN 다이오드 구조를 가지는 플라즈마 안테나로서,제1 비도핑 기판(106);상기 제1 비도핑 기판 상에 형성된 P형 영역, N형 영역 및 그 사이에 위치한 비도핑 영역에 의하여 형성된 복수의 PIN 다이오드;상기 P형 영역 및 상기 N형 영역 상부에 형성된 복수의 연결선;상기 복수의 PIN 다이오드 간의 누설 전류를 차단하는 절연 영역; 상기 복수의 연결선 중 P형 영역으로만 이루어진 영역 또는 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부에 형성된 연결선에 구비되는 패드;상기 제1 비도핑 기판 하부에 구비된 매몰 절연층(107); 및상기 매몰 절연층 하부에 구비된 제2 비도핑 기판(108);을 포함하고,상기 P형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드는 전압원에 연결되고, 상기 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드는 그라운드(GND)에 연결되는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 패드가 형성되지 않은 연결선은, 인접한 PIN 다이오드의 P형 영역과 N형 영역이 접해 있는 영역의 상부에 형성되어, P형 영역과 N형 영역에 동시에 접하는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 P형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드에는 상기 전압원에 의하여 +전압이 인가되어 순방향으로 전류가 흐르는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 N형 영역은 1019㎝-3 이상으로 N형 불순물이 이온 주입되어 형성되고, 상기 P형 영역은 1019㎝-3 이상의 P형 불순물이 이온 주입되어 형성되는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서, 상기 비도핑 영역의 전하 농도는 1015㎝-3 이하인 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 안테나에 전압이 인가되면, 상기 비도핑 영역의 전하 온도가 1018㎝-3 이상이 되어 반도체 플라즈마를 형성하는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 제1 비도핑 기판 또는 상기 제2 비도핑 기판은, 매몰 실리콘 웨이퍼, 절연층 매몰 스트레인드 실리콘 웨이퍼, 절연층 매몰 게르마늄 웨이퍼, 절연층 매몰 스트레인드 게르마늄 웨이퍼 및 절연층 매몰 실리콘 게르마늄 중 적어도 하나로 이루어지는 플라즈마 안테나
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제1항에 있어서,상기 매몰 절연층은 실리콘 산화물, 스트레인드 실리콘 산화물, 게르마늄 산화물, 스트레인드 게르마늄 산화물 및 실리콘 게르마늄 산화물 중 적어도 하나로 이루어지는 플라즈마 안테나
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제2 비도핑 기판(108), 매몰 절연층(107) 및 제1 비도핑 기판(106)이 순차적으로 형성된 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;N형 불순물을 주입하여 N형 영역을 형성하는 단계;P형 불순물을 주입하여 P형 영역을 형성하는 단계;상기 N형 영역, 상기 P형 영역 및 비도핑 영역에 의해 형성된 다수의 PIN 다이오드 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 N형 영역 및 P형 영역 상부에 복수의 비아홀을 형성하는 단계; 상기 비아홀이 형성된 영역에 복수의 연결선을 형성하는 단계;상기 복수의 연결선 중 P형 영역으로만 이루어진 영역 또는 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부에 형성된 연결선에 패드를 형성하는 단계; 및상기 P형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드를 전압원에 연결하고, 상기 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드를 그라운드(GND)에 연결하는 단계;를 포함하는 플라즈마 안테나 제조방법
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