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유기 트랜지스터를 활용하는 유기열센서에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되며, 상기 게이트 전극의 일부를 둘러싸는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 형성된 제2차 빛차단층;상기 제2차 빛차단층 내에 형성되며, 배면이 유기 반도체층과 접하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 제2차 빛차단층 상에 형성된 제1차 빛차단층;을 포함하고, 상기 제1차 및 제2차 빛차단층은 유기 반도체층에 도달하는 빛을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 플라스틱, 사파이어, 석영, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리노르보넨 및 폴리에테르선폰으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 산화 알루미늄, 산화 이트륨, 산화 아연, 산화 하프뮴, 산화 지르코늄, 산화 탄탈륨 및 산화 티타늄으로 이루어진 무기물; 또는비닐계 고분자, 스티렌계 고분자, 아크릴계 고분자, 에폭시계 고분자, 에스테르계 고분자, 페놀계 고분자, 이미드계 고분자 및 사이클로 알켄으로 이루어진 유기물로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 제2차 빛차단층은 유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 유기반도체층은 액정 폴리플루오렌 블록공중합체, 펜타센 및 폴리사이오핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 제1차 빛차단층의 두께는 100 nm 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 제1차 빛차단층의 빛 차단율이 99 % 이상인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 제1차 빛차단층은 빛 흡수층인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제9항에 있어서,상기 빛 흡수층은 아연(Zn), 바나듐(V), 몰레브데넘(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크로뮴(Cr), 나이오븀(Nb), 이들의 합금, 산화물, 질화물, 탄소화합물 및 카본블랙으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제1항에 있어서,상기 제1차 빛차단층은 빛 반사층인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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제11항에 있어서,상기 빛 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 이리듐(Ir), 하프늄(Hf), 구리(Cu), 이들의 합금, 산화물, 질화물 및 탄소화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기열센서
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유기 트랜지스터를 활용하는 유기열센서의 제조방법에 있어서,기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 유기 반도체층 상에 제2차 빛차단층을 형성하는 단계; 및상기 제2차 빛차단층 상에 제1차 빛차단층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1차 및 제2차 빛차단층은 유기 반도체층에 도달하는 빛을 차단하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기열센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 레이저 어블레이션 및 졸-겔 스핀코팅법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기열센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 유기 반도체층 또는 제2차 빛차단층을 형성하는 단계는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 승화법, 용액법, 열증발법, 유기분자빔증착법, 스핀코팅법 및 딥코팅법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기열센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1차 빛차단층의 두께는 100 nm 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 유기열센서 제조방법
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