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열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법(ORGANIC MEMORY DEVICE USING HIGH TEMPERATURE HEAT-TREATMENT AND PREPARATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016018581
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 80℃ 이상의 고온에서 열처리하여 고분자 메모리 절연층을 형성시킴으로써 열적 안정성을 확보하면서도 저전압에서도 우수한 메모리 특성을 보일 수 있으며, 산성도가 적어 전하 수송층의 안정성을 높일 수 있고 유리전이온도가 매우 높아 300℃까지의 고온에서도 열처리가 가능한 술폰산(sulfonic acid) 계열의 유기물질을 메모리 저장층으로 적용시킨 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 유기 메모리 소자는, 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자이다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0537(2013.01) H01L 51/0537(2013.01) H01L 51/0537(2013.01) H01L 51/0537(2013.01)
출원번호/일자 1020150055034 (2015.04.20)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1672237-0000 (2016.10.28)
공개번호/일자 10-2016-0124941 (2016.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20161104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구광역시 수성구
2 김화정 대한민국 대구광역시 수성구
3 정재훈 대한민국 대구광역시 달서구
4 서주역 대한민국 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 해담 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, **층 *호(역삼동, 송촌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0379699-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0089453-22
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0005568-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0206062-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0468985-34
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0468991-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0689351-27
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0956702-00
10 등록결정서
Decision to grant
2016.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0771345-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 유기 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성되되,상기 유기물질은 술폰산(sulfonic acid) 계열의 물질로써, 하기의 화학식 1로 표현되는 화합물 또는 하기의 화학식 2로 표현되는 화합물인 것을 특징으로 하는 열처리를 이용한 유기 메모리 소자
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기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되며 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층;상기 고분자 메모리 절연층 상에 형성된 전하 수송층; 및상기 전하 수송층 상에 일정 거리 이격되게 각각 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하되,상기 유기물질은 술폰산(sulfonic acid) 계열의 물질로써, 하기의 화학식 1로 표현되는 화합물 또는 하기의 화학식 2로 표현되는 화합물인 것을 특징으로 하는 열처리를 이용한 유기 메모리 소자
6 6
제 5항에 있어서,상기 고분자 메모리 절연층은, 상기 유기물질의 용액을 스핀 코팅한 후 80 ~ 230℃의 온도로 0
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제 5항에 있어서,상기 전하 수송층은 정공 수송층인 것을 특징으로 하는 열처리를 이용한 유기 메모리 소자
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성되며 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층을 형성하는 단계;상기 고분자 메모리 절연층을 열처리하는 단계;상기 고분자 메모리 절연층 상에 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 전하 수송층 상에 일정 거리 이격되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 고분자 메모리 절연층을 형성하는 단계는,술폰산(sulfonic acid) 계열의 유기물질 용액을 스핀 코팅하여 300 ~ 800nm 두께의 고분자 메모리 절연층을 형성하며,상기 유기물질은 하기의 화학식 1로 표현되는 화합물 또는 하기의 화학식 2로 표현되는 화합물이고,[화학식 1](상기 식에서, n은 2 이상의 정수이다
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제 11항에 있어서,상기 전하 수송층으로서 정공 수송층을 형성하는 것을 특징으로 하는 열처리를 이용한 유기 메모리 소자의 제조 방법
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1 WO2016171436 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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