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데이터 영구 파괴 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2020001550
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자기기의 저장장치 내 데이터를 단독 또는 연동시켜 영구적으로 파괴하는 데이터 영구 파괴 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 플래시메모리에 저장된 데이터를 소프트웨어적 파괴 및 열적인 하드웨어적 파괴함으로써, 데이터를 복합적 및 영구적으로 파괴하는 기술을 제공한다.
Int. CL G06F 21/78 (2013.01.01) G11B 20/00 (2006.01.01) G06F 3/06 (2006.01.01)
CPC G06F 21/78(2013.01) G06F 21/78(2013.01) G06F 21/78(2013.01)
출원번호/일자 1020180099136 (2018.08.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0022919 (2020.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대전광역시 유성구
2 박준영 대전광역시 유성구
3 김성환 대전광역시 유성구
4 손준우 대전광역시 유성구
5 한준규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0840462-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0138563-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0927756-35
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0193482-36
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0302266-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0559759-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
11 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0673059-62
12 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2020.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0097496-38
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0804538-60
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0804537-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저장장치의 데이터를 단독 또는 연동시켜 영구적으로 파괴하는 장치에 있어서,전자기기의 저장장치에 더미 데이터(Dummy Data)를 기입하는 논리적 파괴부;발열 모듈로부터 발생되는 열(heat)로 상기 저장장치 내 데이터를 파괴하는 물리적 파괴부; 및상기 전자기기의 저장장치에 가해지는 소프트웨어적 및 하드웨어적 데이터 파괴 과정을 제어하며, 열처리 후 상기 전자기기 및 내부 프레임을 냉각시키는 제어부를 포함하는 데이터 영구 파괴 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 물리적 파괴부는전압 또는 전류를 인가하여 상기 발열 모듈에서 발생하는 발열 현상을 통해 상기 저장장치 내 데이터를 영구적으로 파괴하는 데이터 영구 파괴 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 발열 모듈은수동 소자 또는 금속, 무기물, 유기물, 세라믹 및 고분자 물질 중 적어도 어느 하나로 구성되어 상기 전압 또는 전류에 의한 발열 현상을 나타내는 데이터 영구 파괴 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 발열 모듈은외부에서 인가되는 빛, 마이크로파, 초음파, 열, 전파, 전자기파, 레이저, 자외선, x-선, γ-선, 가스, 액체, 진동, 자기장 및 외부의 무선전력장치로부터 수신되는 무선신호 중 적어도 어느 하나에 의해 발열 현상을 나타내는 데이터 영구 파괴 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 저장장치 내 데이터의 파괴 유무를 판단하는 판단부; 및상기 판단 결과를 디스플레이하는 모니터링부를 더 포함하는 데이터 영구 파괴 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 제어부는상기 판단부를 통해 상기 저장장치 내 데이터의 존재가 판단되는 경우, 상기 논리적 파괴부를 통해 상기 더미 데이터를 상기 저장장치에 추가적으로 기입하도록 제어하거나, 상기 물리적 파괴부를 통해 상기 저장장치 내 데이터에 가해지는 열을 이용한 파괴시간 및 파괴량을 추가적으로 증가시키도록 제어하는 데이터 영구 파괴 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 제어부는상기 발열 모듈에 공급되는 전력의 공급 시간 및 상기 발열 모듈의 온도를 제어하여 상기 저장장치 내 데이터를 영구적으로 파괴한 후, 상기 전자기기 및 상기 내부 프레임의 냉각을 제어하는 데이터 영구 파괴 장치
8 8
제5항에 있어서,상기 전자기기로 제공되는 전력을 공급하는 전력공급부;복수 개의 상기 전자기기를 동시에 처리하는 내부 프레임; 및상기 논리적 파괴부 및 물리적 파괴부를 연결하는 연결 포트를 포함하는 데이터 영구 파괴 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 전자기기의 저장장치는SSD(Solid-State Drive), USB(Universal Serial Bus), SD(Secure Digital) 카드, 플로팅게이트(Floating Gate) 트랜지스터 및 전하 저장막(Charge Trap Layer) 트랜지스터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플래시메모리인 것을 특징으로 하는 데이터 영구 파괴 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 플래시메모리는상변화메모리(Phase Change Memory; PcRAM), 저항변화메모리(Resistive switching Random Access Memory; RPAM), 자기저항메모리(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 및 폴리머메모리(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 중 적어도 어느 하나에 포함되는 데이터 영구 파괴 장치
11 11
저장장치의 데이터를 단독 또는 연동시켜 영구적으로 파괴하는 장치의 동작 방법에 있어서,저장장치를 포함하는 전자기기를 내부 프레임에 연결하는 단계;논리적 파괴부의 작동을 통해 상기 저장장치로 더미 데이터(Dummy Data)를 반복하여 기입하는 단계;물리적 파괴부의 작동을 통해 발열 모듈로부터 발생되는 열로 상기 저장장치 내 데이터를 파괴하는 단계; 및제어부의 작동을 통해 상기 전자기기의 저장장치에 가해지는 소프트웨어적 및 하드웨어적 데이터 파괴 과정을 제어하는 단계를 포함하는 데이터 영구 파괴 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 저장장치 내 데이터를 영구적으로 파괴한 후, 상기 전자기기 및 상기 내부 프레임을 냉각시키는 단계를 더 포함하는 데이터 영구 파괴 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 데이터 파괴 과정을 제어하는 단계는상기 저장장치 내 데이터의 파괴 유무를 판단하는 단계; 및상기 판단 결과를 디스플레이하는 단계를 포함하는 데이터 영구 파괴 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 데이터 파괴 과정을 제어하는 단계는상기 파괴 유무를 판단하는 단계를 통해 상기 저장장치 내 데이터의 존재가 판단되는 경우, 상기 논리적 파괴부를 통해 상기 더미 데이터를 상기 저장장치에 추가적으로 기입하도록 제어하거나, 상기 물리적 파괴부를 통해 상기 저장장치 내 데이터에 가해지는 열을 이용한 파괴시간 및 파괴량을 추가적으로 증가시키도록 제어하는 데이터 영구 파괴 방법
15 15
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위하여 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.